红外光谱法无损鉴别升麻的研究

本文利用傅里叶变换红外光谱法和计算机比对软件，快速、直接地测定了15种升麻基源植物，结果表明：各种升麻药村的基源植物由于其化学成分的不同以及各成分间的相对含量的不同，使每种样品都有自己独特的红外谱图。不同科的升麻样品谱图差别较显著；同属不同种的升麻谱图差别较大；同种不同产地、同种同产地不同采集时间的升麻谱图差别较小。该方法具有快速、准确、制样简单不需对样品进行提取分离、保持原性质等特点。  

非晶Fe78Si9B13合金在高压下的晶化

 本文研究了压力对Fe₇₈Si₉B₁₃非晶合金晶化温度的影响。给出了常压及7.5 GPa压力下的时间－温度－相变图。结果指出：晶化温度不仅与压力的大小有关，而且还与热处理的时间因素有关。此外，高压下bcc-Fe(Si)相结晶区域明显变大。  

用于冲击诊断的成像速度干涉仪

 为了诊断测量激光驱动冲击波，研制了具有空间分辨力的成像型速度干涉仪。该干涉仪主要包括输入部分、像传递部分及干涉部分，探测光采用波长为532 nm的单纵模激光。 在靶位放置一分线板，经过测量，其空间分辨力小于10 μm。基于天光KrF准分子激光系统的参数，设计并自制含有烧蚀层的单台阶金属靶，利用成像型速度干涉仪测量到了金属铝靶内的冲击波速度。  

Ni83Cr7Fe3Si4B3非晶态合金在常压及高压下的晶化过程

本文研究了Ni₈₃Cr₇Fe₃Si₄B₃非晶态合金在1bar及100kbar压力下的晶化过程,得到了“时间-温度-变态”图。其结果表明:经高压热处理后的非晶合金其晶化温度降低,fcc-Ni相区域加宽及亚稳Ⅱ相没有形成。另外,还分别计算了常压及100kbar压力下的晶化激活能。  

使用基体烧结方法进行高温超导体Bi_(1.6)Pb_(0.4)Ca_2Sr_2Cu_3O_x的制备和研究

使用基体烧结方法,得到零电阻温度为109K 块状高温超导体 Bi_(1.6)Pb_(0.4)Ca_2Sr_2Cu_3O_x.测量了样品的电阻率、AC 磁化率与温度的关系,进行了 X 射线衍射、SEM 及 EDX 等分析,初步地研究了高 T_c2223相在不同热处理条件下的形成和分解.实验结果表明,在860℃,200h热处理条件下,样品基本上属于高 T_c2223相,其品格参数为 a=b=5.408(?),c=37.110(?).当热处理时间低于200h 时,样品中高 T_c2223的体积随热处理的时间增加而增大.在300h 热处理后的样品中,部分高 T_c2223相已经分解成为 T_c2122相和杂相.  

Ni_(83)Cr_7Fe_3Si_4B_3非晶态合金在常压及高压下的晶化过程

本文研究了Ni_(85)Cr_7Fe_3Si_4B_3非晶态合金在1bar及100kbar压力下的晶化过程,得到了“时间-温度-变态”图。其结果表明:经高压热处理后的非晶合金其晶化温度降低,fcc-Ni相区域加宽及亚稳Ⅱ相没有形成。另外,还分别计算了常压及100kbar压力下的晶化激活能。  

Deep level transient spectroscopy investigation of deep levels in CdS/CdTe thin film solar cells with Te:Cu back contact

Deep levels in Cds/CdTe thin film solar cells have a potent influence on the electrical property of these devices. As an essential layer in the solar cell device structure, back contact is believed to induce some deep defects in the CdTe thin film. With the help of deep level transient spectroscopy (DLTS), we study the deep levels in CdS/CdTe thin film solar cells with Te:Cu back contact. One hole trap and one electron trap are observed. The hole trap H1, localized at Ev + 0.128 eV, originates from the vacancy of Cd (VCd). The electron trap E1, found at Ec 0.178 eV, is considered to be correlated with the interstitial Cu+ i in CdTe.