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分别以ZrOCl2·8H2O 和正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶工艺制备了性能稳定的ZrO2和SiO2溶胶。用旋转镀膜法分别在K9玻璃和单晶硅片上制备了ZrO2/ SiO2多层膜。采用溶剂替换和紫外光处理等手段,有效地解决了ZrO2/SiO2多层膜中膜层开裂和膜间渗透等问题。应用扫描电子显微镜观测了薄膜的表面和剖面微观形貌,并用椭偏仪测得薄膜的厚度和折射率,研究了薄膜厚度、折射率与热处理温度、紫外光处理时间的关系,对所获得薄膜的紫外-可见、红外光谱进行了分析。用输出波长1064nm ,脉宽15ns 的电光调Q光系统产生的强激光进行了单层膜的辐照实验,结果发现溶剂替换后激光损伤阈值有所提高。 相似文献
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采用溶胶凝胶技术,结合碱性催化和低表面张力溶剂交换以及非活性CH3基团置换修饰,在常压条件下成功地制备了孔隙率为77%、折射率为1.12纳米多孔SiO2气凝胶薄膜.采用氨和水蒸气混合气体热处理技术提高薄膜的耐磨性、附着力等力学特性.使用透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)分别观察了溶胶的颗粒结构和薄膜表面形貌.应用傅里叶转换红外光谱仪(FTIR)研究了薄膜经表面基团修饰前后的红外吸收光谱以及后处理对薄膜红外ω4(TO3)吸收峰位置和半宽度的影响.采用椭偏仪测量薄膜的厚度和折射率.耐摩擦和附着力测试表明: 相似文献
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报道了实验制备条件对纳米多孔SiO2薄膜结构、折射率、红外吸收、XPS等特性的影响,尤其是报道了一种新的快速、方便、有铲实现纳米多孔SiO2薄膜折射率连续调节的方法,在溶胶-凝胶基础上,采用碱、酸一步法以及碱/酸两步法和浸渍镀膜技术制备了纳米多孔SiO2薄膜,使用原子力显微镜、扫描电镜、XPS、傅里叶红光谱仪、椭偏仪等方法测量和分析了薄膜的特性,实验结果给出从碱一步法、碱/酸两步法、到酸一步法形成的薄膜,SiO2颗粒变小,孔隙率降低,折射率从1.18连续增加到了1.41;Si2p峰向高束缚能方向移动,并接近块体的值;红外吸收光学模ω4的频率向低波数方向移动,揭示了Si-O-Si键角的不断降低,这些结果表明,碱/酸两步法能方便、有效地连续控制纳米多孔SiO2薄膜的结构;实验条件对薄膜特性的影响起因于纳米多孔结构改变引起的SiO2结构变化。 相似文献
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热导率的动态热线法测量系统 总被引:8,自引:0,他引:8
介绍了我们研制的动态热线法测热导率系统的特点,原理和装置,通过对某些标准样品的测量结果表明,该系统的测量精度在2%以内,利用这一装置我们还测量了新型纳米多孔性材料SiO2气凝胶的热导率与气压和温度的关系。 相似文献
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氧化硅气凝胶的超临界制备及纳米结构 总被引:8,自引:0,他引:8
简要介绍了用溶胶-凝胶法制备新型功能材料氧化硅气凝胶的方法,着重阐述了氧化硅气凝胶的各种干燥过程对其纳米结构的影响,说明了超临界干燥工艺在保持气凝胶的纳米多孔结构方面的突出重要地位,同时,用比表面积测量,扫描电镜,小角X射线菜射等研究了这种轻质纳米多孔非晶固态材料的结构特性,介绍了这种材料的应用前景。 相似文献
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基于没有附加磁芯复位电路的磁脉冲压缩网络,设计研制了单级磁脉冲压缩系统;介绍了系统电路的工作情况,通过计算给出了系统关键元件的参数;应用Pspice仿真分析软件对系统电路进行仿真,仿真结果显示,负载为500 W时,饱和变压器和磁开关的磁芯所需饱和时间分别为6 ms和500 ns。实验结果表明:系统接200 W负载时,输出脉冲幅值约18.5 kV,下降时间约40 ns,脉冲宽度约70 ns,最高重复频率可达500 Hz;引入高压快速恢复二极管替代续流电感,不仅有效抑制了负载预脉冲,而且输出脉冲尾部的振荡幅值与持续时间都显著减小。 相似文献
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用于软X射线激光实验的铝衰减膜的测量 总被引:6,自引:1,他引:5
对不同方法制备的不同厚度的铝衰减膜,用微机控制α测厚仪测量了膜的质量厚度以及膜厚均匀性,用Auser电子能谱(AES)对铝膜进行了组分的表面和深度分布分析,根据铝KLL Auger特征谱揭示了氧化膜的化学组分并测量了氧化膜厚度随放置时间的变化,还讨论了膜中其它杂质含量的上限。 相似文献