首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5篇
  国内免费   1篇
  完全免费   17篇
  物理学   23篇
  2018年   1篇
  2017年   1篇
  2015年   1篇
  2013年   1篇
  2012年   2篇
  2011年   2篇
  2009年   2篇
  2007年   2篇
  2006年   1篇
  2005年   1篇
  2004年   1篇
  2003年   1篇
  2002年   3篇
  2001年   3篇
  2000年   1篇
排序方式: 共有23条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
质子滴线核12N在28Si靶上的核反应总截面测量   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
描述了50.4MeV/u的12N和42.3MeV/u的13N次级放射性束在28Si靶上引起的核反应总截面σr实验研究,结果发现12N的反应总截面σr比其相邻同位素核13N有着异常的增大.这可能是核形变及核子对效应造成的,试验中的测量误差也不可忽视.利用微观Glauber模型计算了12N在28Si靶上的核反应总截面,并与实验结果做了比较,发现理论计算与实验结果拟合较好  相似文献
2.
在对反应总截面的理论计算中,现有的理论计算值与实验数据在高能区可以很好的符合,但在中能区理论值低于实验值约10%—20%.通过对计算核反应总截面的Glauber模型加入有限程修正,并对输入的核物质密度分布采用双参数的费米密度分布形式.计算结果表明,理论计算值对于没有奇异结构的核在低中能区和高能区,都与实验数据很好符合.  相似文献
3.
Room-temperature ferromagnetic Mn-doped ZnO films are grown on Si (001) substrates by plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). X-ray diffraction measurements reveal that the Znl-xMn.O films have the single-phase wurtzite structure. X-ray photoelectron spectroscopy indicates the existence of Mn^2+ ions in Mndoped ZnO films. Furthermore, the decreasing additional Raman peak with increasing Mn-doping is considered to relate to the substitution of Mn ions for the Zn ions in ZnO lattice. Superconducting quantum interference device (SQUID) measurements demonstrate that Mn-doped ZnO films have ferromagnetic behaviour at room temperature.  相似文献
4.
ZnO and Mn-doped ZnO polycrystalline films are prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition at low temperature (220℃), and room-temperature photoluminescence of the films is systematically investigated. Analysis from x-ray diffraction reveals that a11 the prepared films exhibit the wurtzite structure of ZnO, and Mndoping does not induce the second phase in the films. X-ray photoelectron spectroscopy confirms the existence of Mn^2+ ions in the films rather than metalic Mn or Mn^4+ ions. The emission efficiency of the ZnO film is found to be dependent strongly on the post-treatment and to degrade with increasing temperature either in air or in nitrogen ambient. However, the enhancement of near band edge (NBE) emission is observed after hydrogenation in ammonia plasma, companied with more defect-related emission. Furthermore, the position of NBE shifts towards to high-energy legion with increasing Mn-doped concentration due to Mn incorporation into ZnO lattice.  相似文献
5.
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.  相似文献
6.
应用透射法对中能区F同位素与C靶的反应总截面进行了测量。发现^17F的反应总截面比其邻近同位素的反应总截面稍有增强。用Glauber模型和BUU模型对F同位素进行了差异因子d的分析。^17F的差异因子d比共附近同位素稍有增强。分析结果表明^17F可能存在质子皮结构。  相似文献
7.
描述了50.4 MeV/u的12N和42.3MeV/u的13N次级放射性束在28Si靶上引起的核反应总截面σr实验研究,结果发现12N的反应总截面σr比其相邻同位素核13N有着异常的增大. 这可能是核形变及核子对效应造成的,试验中的测量误差也不可忽视. 利用微观Glauber模型计算了12N在28Si靶上的核反应总截面,并与实验结果做了比较,发现理论计算与实验结果拟合较好.  相似文献
8.
张纪才  王建峰  王玉田  杨辉 《物理学报》2004,53(8):2467-2471
利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱结构缺陷(如位错密度和界面粗糙度)和光致发光的影响.通过对(0002)对称和(1012)非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描,分别测量出了多量子阱的螺位错和刃位错平均密度,而界面粗糙度则由(0002)对称衍射的卫星峰半高全宽随级数的变化得出.试验发现多量子阱中的位错密度特别是刃位错密度和界面粗糙度随In源流量与Ⅲ族源流量比值的增加而增加,导致室温下光致发光性质的降低,从而也证明了刃位错在InGaN/GaN  相似文献
9.
应用透射法对中能区F同位素与C靶的反应总截面进行了测量.发现17F的反应总截面比其邻近同位素的反应总截面稍有增强.用Glauber模型和BUU模型对F同位素进行了差异因子d的分析.17F的差异因子d比其附近同位素稍有增强.分析结果表明17F可能存在质子皮结构.  相似文献
10.
介绍了用透射法测量中能区20Ne打9Be靶碎裂产生的次级束与Si靶作用的核反应总截面的方法,以及实验的探测器布局、实验过程和实验结果.并对理论上预言有奇异结构的核12N,17Ne和17F的实验结果与其相邻核进行了比较.  相似文献
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号