首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   33篇
  国内免费   10篇
  完全免费   49篇
  物理学   92篇
  2015年   1篇
  2014年   3篇
  2013年   5篇
  2012年   6篇
  2011年   11篇
  2010年   1篇
  2009年   6篇
  2008年   5篇
  2007年   4篇
  2006年   7篇
  2005年   4篇
  2004年   3篇
  2003年   3篇
  2002年   4篇
  2001年   3篇
  1999年   4篇
  1998年   3篇
  1997年   1篇
  1996年   6篇
  1995年   3篇
  1993年   2篇
  1991年   1篇
  1986年   1篇
  1985年   1篇
  1983年   2篇
  1966年   1篇
  1961年   1篇
排序方式: 共有92条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
多层光子晶体滤波器研究   总被引:34,自引:6,他引:28  
从双层结构出发研究了一种由多块不同的单周期光子晶体组合而成的多层结构的滤波器,论述了这种滤波器的工作原理,研究表明这种结构适于制作带通、窄带通过、带阻、宽带带阻、高通以及其它各种性能的滤波器。实验和理论研究的结果相一致。  相似文献
2.
多模干涉马赫曾德尔光开关模型   总被引:7,自引:4,他引:3  
根据N×N多模干涉耦合器的基本原理 ,确定了多模干涉耦合器的结构参数。通过分析多模干涉耦合器的输入光场与其映像间的相位关系 ,提出了模传输矩阵的分析方法 ,并用此方法分析了N×N普通干涉多模干涉耦合器、N×N相移器以及N×N普通干涉多模干涉马赫 曾德尔光开关 ,得到了它们的模场传输方程 ,分析了光开关在光场从任一输入端输入 ,从任一输出端输出时开关的驱动条件。用上面的方法分析了 4× 4光开关的结构及驱动条件  相似文献
3.
提高Si基材料高效率发光途径的探索   总被引:6,自引:0,他引:6  
近来人们对发展硅基光电子学作出了很大的努力。众所周知,如同晶体管是微电子学的核心器件一样,发光器件将是光电子学的关键部件。然而由于硅属间接带隙材料,发光效率比直接带隙的GaAs等化合物材料低三个多量级,因此如何在硅基材料系实现高效率发光,已成为发展硅基光电子学的重要课题,它吸收着国际上众多科学、工程家们的巨大兴趣。能带工程的应用可能将提供一条有望的途径。本文总结评述了近几年来在SiGe量子阱能带工程,Er3+离子注入发光中心掺杂工程、直接带隙β—FeSi2材料工程以及热电子跃迁发光带内子能级工程中所取得的重要进展。本文同时对其未来的发展提出了若干设想与展望。  相似文献
4.
半导体物理效应与光电子高技术产业   总被引:6,自引:0,他引:6  
王启明 《物理》2002,31(7):409-414
阐述了能带理论和晶格动力学的创建对半导体科学技术发展发展的历史意义,重点介绍了若干关键半导体物理效应的内涵及其对光电子器件与技术发展所作出的源头性贡献,描绘了以半导体激光器为代表的现代光电子高科技产业的发展现状与趋势,指出了光电子高科技持续发展的主要方向。  相似文献
5.
镜面起伏对1.55μm Si基MEMS光滤波器的影响   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
用传输矩阵方法,在简化的光学模型基础上,分别讨论了分布式Bragg反射镜DBR(Distributed Bragg Reflector)的生长精度及镜面起伏对1.55 μm Si基MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)可调谐光滤波器透射谱的影响.计算表明:DBR生长误差仅使主透射峰位置发生变化,而镜面起伏是导致主透射峰性能劣化的主要原因,它使得FWHM增大,透射峰强度下降.理论计算结果能较好地解释实验现像.在此基础上,进一步讨论了引起镜面起伏的多种原因,并提出了可能的解决方法.  相似文献
6.
采集强干扰下微弱信号的APD电路系统研究   总被引:5,自引:1,他引:4       下载免费PDF全文
基于雪崩光电二极管反向偏压及其电容特性,利用时间同步原理,构建了一个用于回避强烈反射光信号,探测微弱回波信号的雪崩光电二极管探测系统.对雪崩光电二极管电容效应作出了分析,得出交流高压供电会使雪崩光电二极管产生干扰尖峰脉冲的结论.为了消除这个电容效应产生的尖峰干扰,提出了施加直流反向低压的方案,以达到减少雪崩光电二极管电容变化量的目的.通过实验数据验证了方法可行性.  相似文献
7.
硅基1.55 μm可调谐共振腔窄带光电探测器的研究   总被引:4,自引:4,他引:0       下载免费PDF全文
制作了一种低成本硅基1.55 μm可调谐共振腔增强型探测器.首次获得硅基长波长可调谐共振腔探测器的窄带响应,共振峰量子效率达44%,峰值半高宽为12.5nm,调谐范围14.5nm,并且获得1.8 GHz的高频响应.本制作工艺不复杂,成本低,有望用于工业生产.  相似文献
8.
光子晶体对nc-Ge/Si岛发光增强的模拟   总被引:3,自引:3,他引:0  
唐海侠  王启明 《发光学报》2006,27(4):435-441
在S i基集成光电子学的发展中,高效的S i基光源是人们不懈追求的目标。但是S i材料的间接带隙特性导致其发光效率低,更谈不上受激发射。于是人们探索了多种S i基材料体系来提高S i材料的发光效率,并在不同程度上取得了重要的进展。在众多的S i基发光材料体系中,Ge/S i量子点材料,不仅生长工艺与标准的CMOS工艺有很好的兼容性,而且发光波长能够覆盖重要的光通信波段即1.3~1.55μm,因此成为实现S i基发光器件的重要途径之一。但是目前这种材料的发光效率仍很低,所以提高其发光效率自然成为人们关注的焦点。如果将光子晶体引入到nc-Ge/S i材料中,它不仅可以改变材料本身的自发发射特性,而且可以改变发射的光子的提取效率,从而使材料的发光效率得到增强。提出了在Ge/S i量子点材料中引入光子晶体结构来提高其发光效率,包括光子晶体点缺陷腔结构和带边模式工作的完整光子晶体结构,并从理论上分析了发光效率提高的原理。针对发光波长在1.5μm附近的材料结构,模拟出了相应的光子晶体的结构参数。从模拟结果可以看出,对于缺陷腔的光子晶体结构,采用单点缺陷微腔很好地实现了单模运作,但是微腔内有源材料的体积很小,因此得到的发光效率很低。而采用耦合缺陷腔的结构和H2腔都增加了腔内有源区的体积。但是耦合腔与H2腔相比,谐振腔模减少,主谐振模式的峰值强度增加,更容易实现单模发光。因而更适用于提高nc-Ge/S i的发光效率。而带边模式工作的光子晶体结构,尺寸较大,不需引入缺陷,工艺上更容易实现。  相似文献
9.
半导体量子光电子的进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
王启明 《物理》1993,22(9):513-519
10.
纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进   总被引:3,自引:0,他引:3  
王启明 《物理学进展》2002,22(4):359-370
自1991年Canham L.T发现多孔Si的强发光特性之后,Si基发光的系列性探索已走过了10年的路程。人们从中认清了一些重要的科学问题,发现和掌握了许多新的技术,也取得了许多有价值的重要进展。可以说过去的10年是处於四方探索的百花齐放阶段,现在无论从应用目标的需求和开拓研究的思路与途径,都更加明确、集中,一个有实用价值的Si基发光器件的研究高潮即针来临。本文着重评述介绍了四个方面的研究进展,即局域态nc-Si的发光,基於能带工程的Si基发光,纳米结构Si化物的发光和Ge/Si量子点的发光研究,指出了各自存在的问题,提出了若干新的研究思路。本文还把Si基发光的研究与微电子发展需求紧密结合,由此提出了下一阶段开展Si基发光研究应予遵循的几项原则。  相似文献
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号