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1.
非掺杂ZnO薄膜中紫外与绿色发光中心   总被引:29,自引:2,他引:27       下载免费PDF全文
林碧霞  傅竹西  贾云波  廖桂红 《物理学报》2001,50(11):2208-2211
用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜,测量它们的光致发光(PL)光谱,观察到两个发光峰,峰值能量分别为3.18(紫外峰,UV)和2.38eV(绿峰).样品用不同温度分别在氧气、氮气和空气中热处理后,测量了PL光谱中绿峰和紫外峰强度随热处理温度和气氛的变化,同时比较了用FP-LMT方法计算的ZnO中几种本征缺陷的能级位置.根据实验和能级计算的结果,推测出ZnO薄膜中的紫外峰与ZnO带边激子跃迁有关,而绿色发光主要来源于导带底到氧错位缺陷(OZn)能级的跃迁,而不是通常认为的氧空  相似文献
2.
MOCVD方法生长的氧化锌薄膜及其发光特性   总被引:22,自引:4,他引:18  
近年来,随着近紫外光发射氧化锌薄膜研究的进展,许多先进的薄膜生长手段被广泛采用。本文探索了用MOCVD方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法,试验了用几种不同的有机金属源生长ZnO薄膜;研究了源材料及生长压力和温度对薄膜生长的影响;观察了样品的室温光致发光光 谱。通过与溅射方法生长的ZnO薄膜的比较,提出了影响材料结构和发光特性的可能原因。  相似文献
3.
Si基沉积ZnO薄膜的光谱特性   总被引:20,自引:7,他引:13  
利用同步辐射真空紫外光研究了Si基沉积ZnO薄膜的发射光谱、激发光谱及其湿度依赖。首次观测到高于ZnO禁带宽度的发射带(290nm),并初步指定其来源。  相似文献
4.
氧化锌薄膜光电功能材料研究的关键问题   总被引:16,自引:3,他引:13  
傅竹西  林碧霞 《发光学报》2004,25(2):117-122
氧化锌薄膜光电功能材料是近年来新发展起来的研究课题,由于它在短波长光电信息功能材料方面具有潜在的应用前景而备受关注。为了开发ZnO结型光电器件,目前首先需要解决高质量ZnO单晶薄膜的外延及p型掺杂等关键问题。综合国内外的研究结果,结合我们的工作,叙述了利用多晶格匹配原理通过过渡层在Si衬底上异质外延高质量ZnO薄膜,介绍了用SiC作过渡层生长ZnO薄膜的有关问题。对ZnO的p型掺杂,分析了制备p型ZnO的困难和利用Ⅲ-Ⅴ族共掺杂方法生长p型ZnO的作用和优点。  相似文献
5.
ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响   总被引:13,自引:9,他引:4  
利用深能级瞬态谱(DLTS)和光致发光谱(PL),研究了ZnO/p-Si异质结的两种不同温度(850℃,1000℃)退火下的深能级中心。发现850℃退火的样品存在3个明显的深中心,分别为E1=Ev 0.21eV,E2=Ev 0.44eV,E3=Ev 0.71eV;而1000℃退火样品仅存在一个E1=Ev 0.21eV的中心,且其隙态密度要比850℃退火的大。同时,测量了两个样品的PL谱,发现1000度退火可消除一些影响发光强度的深能级,对改善晶格结构,提高样品的发光强度有利。  相似文献
6.
用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜   总被引:13,自引:8,他引:5  
本文报道了用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜,薄膜具有(002)取向,通过电子扫描显微镜确认晶粒大小在150nm左右,现有的薄膜在525nm处有强的光致发光。  相似文献
7.
ZnO薄膜的反射、透射光谱及能带结构测量   总被引:12,自引:5,他引:7  
采用正入射的方法研究了生长在硅基片上的氧化锌薄膜的反射光谱,测量出氧化锌薄膜的光学吸收边在370nm,所对应的能量值为3.35eV,测量生长在石英玻璃基片上的氧化锌薄膜的透射光谱,得到相同的吸收边,表明ZnO薄膜的光学禁带宽度与体材料的禁带宽度一致,反射谱中,在550-600nm之间观察到一个吸收峰,吸收峰的位置以及吸收边的陡峭程度都薄膜的结晶状况的不同而有所不同。  相似文献
8.
氧化锌薄膜Zn/O比和发光性能的关系   总被引:11,自引:3,他引:8  
用直流反应溅射在硅基片上生长具有高取向晶粒的氧化锌薄膜,在氧气、氮气、空气气氛和不同温度下进行热处理,对所得到的样品用俄歇谱(AES)仪进行元素深层分布分析,并测量光致发光光谱。研究结果表明:1.经热处理的薄膜表面全部为缺氧表面,不同深度Zn和O含量分布(Zn/O)有所不同;2.当在氧气氛中1000℃下热处理后,在薄膜的深层可产生比较明显的氧过量;而在空气中950℃下热处理后,则可产生局部氧过量;3.光致发光谱表明,薄膜中全部为锌过量时产生纯紫外发射,而具有局部氧过量的薄膜则在产生紫外发射的同时产生绿色发光,绿光和紫外的强度比则随局部氧过量增多而增大。  相似文献
9.
ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理   总被引:9,自引:1,他引:8  
以同步辐射真空紫外光(195nm)为激发源,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射,其峰值波长分别为380,369.5,290nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区,而在真空紫外区(100~200nm),可能源于ZnO的下价带(Zn3d组态)电子的激发。对三种紫外发射的来源作了分析讨论。  相似文献
10.
ZnO薄膜光学常数测量   总被引:6,自引:0,他引:6  
利用Kramers-Kronig方法(K-K方法)测量了ZnO薄膜的复介电常数和复折射率(折射率和消光系数)。为了满足K-K方法所要求的条件,光源发出的光束通过一个特殊设计的中间带孔的反射镜垂直投射到ZnO薄膜表面,在ZnO薄膜表面产生的反射光穿过反射镜中间的小孔进入单色仪,从而测量出正入射情况下ZnO薄膜的反射光谱。对有限波段下测量的数据经合理的外推后,得出全波段的薄膜反射谱,然后利用K-K方法计算出ZnO薄膜的复介电常数和复折射率。实验结果表明,氧化锌薄膜在可见光范围内的折射率近似为一常数3.5;在430nm附近出现折射率最大值,而在短波长范围所对应的折射率大大降低,其值在0.5—2.5之间起伏波动。  相似文献
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