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1.
Langmuir探针是诊断等离子体参数的重要手段.报道了在氩气射顿(13.56MHz)辉光放电等离子体中使用调谐单探针进行诊断,对探针I-V特性曲线的统计噪声进行了数字滤波的光滑化处理,而后求二次微商.在相同的放电条件下,使用自行设计的微分电路,对探针特性二次微商进行在线测量.这两种方法得到的二次微商结果能够较好地符合.  相似文献
2.
多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
以SiCl4H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜.实验发现,在多晶硅薄膜的生长过程中,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素,随功率、H2/SiCl4流量比的减小和反应室气压的增加,晶粒增大.而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数,通过工艺参数的改变,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化,指出“气相结晶”过程是晶粒长大的一个重要因素.  相似文献
3.
氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
Fourier红外透射(FTIR)谱技术是研究氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜中氢的含量(CH)及硅—氢键合模式(Si-Hn)最有效的手段.对用等离子体化学气相沉积(PCVD)方法在不同的衬底温度(Ts)下制备出的氢化非晶硅薄膜,通过红外透射光谱的基线拟合、高斯拟合分析,得到了薄膜中的氢含量,硅氢键合模式及其组分,并分析了这些参量随衬底温度变化的规律.  相似文献
4.
射频辉光放电等离子体的电探针诊断及数据处理   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
Langmuir探针是等离子体诊断的一个重要方法.对探针I-V曲线进行求解二次微商是获得等离子体中的电子能量分布函数的关键.由Fourier变换导出一个求解微商的数值解方法.克服了现有方法所存在的缺点.实现了对探针I-V曲线求解二次微商的精确、自动运算.测量了硅烷射频辉光放电等离子体的平均电子能量(温度)和浓度随放电功率的变化.  相似文献
5.
纳米晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
采用传统射频等离子体化学气相沉积技术在100—350℃的衬底温度下高速沉积氢化硅薄膜. 傅里叶变换红外光谱和Raman谱的研究表明,纳米晶硅薄膜中的氢含量和硅氢键合模式与薄膜的晶化特性有密切关系,当薄膜从非晶相向晶相转变时,氢的含量减少了一半以上,硅氢键合模式以SiH2为主. 随着衬底温度的升高和晶化率的增加,纳米晶硅薄膜中氢的含量以及其结构因子逐渐减少.  相似文献
6.
用SiCl4-H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析   总被引:5,自引:1,他引:4       下载免费PDF全文
用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的成分增大 .另一方面 ,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大 .因此可以认为 ,在多晶硅薄膜生长的最初阶段 ,空间反应过程对低温晶化起重要作用 .  相似文献
7.
用SiCl4-H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
用拉曼散射谱研究以SiCl4/H2为气源,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术,在200℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征.结果表明,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物,随射频功率增加,晶相结构的成分增大.另一方面,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大.因此可以认为,在多晶硅薄膜生长的最初阶段,空间反应过程对低温晶化起重要作用.  相似文献
8.
Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H.  相似文献
9.
非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相, 非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象;退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm;退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为1.5μm.  相似文献
10.
Langmuir探针是诊断等离子体参数的重要手段.报道了在氩气射顿(13.56MHz)辉光放电等离子体中使用调谐单探针进行诊断,对探针I-V特性曲线的统计噪声进行了数字滤波的光滑化处理,而后求二次微商.在相同的放电条件下,使用自行设计的微分电路,对探针特性二次微商进行在线测量.这两种方法得到的二次微商结果能够较好地符合.  相似文献
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