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1.
射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学特性   总被引:11,自引:5,他引:6  
采用射频(RF)反应磁控溅射法在n-Si(001)衬底上外延生长ZnO薄膜。XRD谱测量显示出较强的(002)衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的。室温PL谱测量观察到了较强的紫外光发射和深能级发射。  相似文献
2.
ZnO薄膜的掺杂特性   总被引:8,自引:4,他引:4  
通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质。主要研究在生长过程中通过NH_3对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况,利用优化生长条件,即生长温度为610℃,Ar气(携带DEZn)流量为4 sccm,O_2流量为120 sccm,N_2流量为600 sccm,得到在NH_3流量为80 sccm时生长样品的结晶质量最高,在掺杂薄膜中NH_3流量高于或低于80 sccm时,样品的表面形貌都将变差,只有在80 sccm时表面粗糙度最低晶粒最小,表明该流量下获得的样品表面较光滑致密。所以80 sccmNH_3流量为在R面蓝宝石上生长<110>取向ZnO薄膜的最佳掺杂流量。Hall测量结果表明,NH_3流量为50 sccm的样品电导呈弱p型,电阻率为102Ω·cm,空穴载流子浓度为+1.69×10~(16)cm~(-3),迁移率为3.6cm~2·V~(-1)·s~(-1);当NH_3流量增加时样品的电导呈n型,电阻率最高达10~8Ω·cm,我们认为与进入ZnO薄膜的H的量有关,并对其变化机理进行了详细的分析。  相似文献
3.
兰州重离子加速器冷却储存环   总被引:8,自引:5,他引:3       下载免费PDF全文
 兰州重离子加速器冷却储存环HIRFL-CSR,是一个多用途、多功能的双冷却储存环同步加速器系统,由主环CSRm和实验环CSRe构成,并以兰州重离子级联回旋加速器HIRFL作注入器。CSR利用高频变谐波的方法,将重离子束的能量从7~25 MeV/u同步加速到200~1 000 MeV/u,同时利用重离子储存环中空心电子束冷却技术将束流品质提高1个数量级,并通过储存环的快引出及慢引出,提供多种类的重离子束以及放射性次级束(RIBs),以开展范围更广精度更高的物理实验。该装置于2007年投入运行,已取得了重要的运行结果,如实现了剥离注入与多圈注入、空心电子束对重离子束的冷却与累积、变谐波宽能区同步加速、等时性环型谱仪、RIBs的产生收集与ToF高分辨质量测量以及高能重离子束的变能慢引出等。  相似文献
4.
ZnO基紫外探测器的制作与研究   总被引:6,自引:4,他引:2  
利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-金属)结构器件响应度高、速度快、随偏压变化小、工艺简单、易于单片集成等优点,制作了ZnO基紫外探测器,器件规格为80 μm×100μm,电极为叉指式电极。测试中采用500 W的氙灯做测试光源,探测器的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示;正向偏压下探测器的暗电流及光照电流与外加偏压呈线性增长。不同波长下的响应曲线显示:探测器对紫外波段有响应,响应峰值在375nm附近。  相似文献
5.
MOCVD法生长SAWF用ZnO/Diamond/Si多层结构   总被引:6,自引:2,他引:4  
使用等离子体辅助MOCVD系统在金刚石,硅衬底上成功地制备了氧化锌多层薄膜材料,通过两步生长法对薄膜质量进行了优化。XRD测试显示优化后的样品具有c轴的择优取向生长,PL谱测试表明样品经优化后不仅深能级发射峰消失,同时紫外发射峰增强。对优化后的样品的表面测试显示出较低的表面粗糙度。比较氧化锌多层薄膜结构的声表面波频散曲线,ZnO薄膜声表面滤波器受膜厚和衬底材料的影响较大。当ZnO薄膜较薄时,在它上面的传播速度将与衬底上的传播速度接近,与其他衬底上生长的薄膜相比,以金刚石这种快声速材料为衬底的ZnO多层薄膜结构,声表面波滤波器的中心频率将提高1倍左右。  相似文献
6.
等离子MOCVD系统生长ZnO薄膜掺N2和掺NH3特性比较   总被引:3,自引:2,他引:1  
利用MOCVD方法生长了高质量的ZnO薄膜材料,分别通过N2和NH3对c面和R面蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜材料进行了掺杂行为研究.掺N2时,X射线衍射半峰全宽仅为0.148°,室温光荧光发光峰位于3.29eV,半峰全宽~100meV,电阻率由0.65 Ω·cm增大到5×l04Ω·cm.掺NH3时,X射线衍射峰半峰全宽0.50°,样品为弱p型,电阻率为102Ω·cm,载流子浓度为1.69×1016 cm-3.同时我们还观察到弱p型材料很容易退化成n型高阻材料.  相似文献
7.
ZnO薄膜的光抽运紫外激射   总被引:3,自引:3,他引:0  
采用等离子体增强MOCVD方法生长出高质量的ZnO薄膜,并观察到了ZnO薄膜的光抽运紫外激射现象。在不同激发强度下进行了光荧光谱测量,发现紫外发光强度随着激发光强度的增加呈直线增强,证明此紫外发光峰来源于带边自由激子辐射复合。激发的激光器为3倍频YAG激光器,脉宽15ps,每秒10个脉冲。抽运光达到样品的光斑直径约为25μm,激射阈值为0.28μJ,利用光纤连接到CCD来探测接收激射光。在385~390nm之间的激射峰,其半峰全宽为0.03nm。所观察到的激射没有固定的方向,也就是说是往各个方向发射的。对于ZnO薄膜,由于我们并没有制作通常激光器的谐振腔,激射是通过晶粒强烈的散射导致的自形成谐振腔所产生的。  相似文献
8.
蓝宝石R面上ZnO薄膜的NH3掺杂研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
以NH3为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜.通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH3流量下生长出了〈11 20〉单一取向的ZnO薄膜.经Hall电阻率测量,得知该薄膜呈现弱p型或高电阻率,并对其光电子能谱进行了研究.  相似文献
9.
Commissioning of electron cooling in CSRe   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
The 400 MeV/u 12C6+ ion beam was successfully cooled by the intensive electron beam near 1 A in CSRe.The momentum cooling time was estimated near 15 s.The cooling force was measured in the cases of difierent electron beam profiles,and the difierent angles between the ion beam and electron beam.The lifetime of the ion beam in CSRe was over 80 h.The dispersion in the cooling section was confirmed as positive close to zero.The beam sizes before cooling and after cooling were measured by the moving screen.The beam diameter after cooling was about 1 mm.The bunch length was measured with the help of the signals from the beam position monitor.The difiusion was studied in the absence of the electron beam.  相似文献
10.
国内外加速器极高真空技术进展   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
杨晓天 《中国物理 C》2008,32(Z1):46-48
介绍了国内外要求在极高真空条件下运行的部分粒子加速器概况; 极高真空系统材料选择和处理工艺方面的进展; 真空获得设备的选择和抽气方法的创新性进展; 极高真空条件下的检漏方法研究及极高真空度的测量和校准现状.  相似文献
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