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1.
GaN基白光LED的研制与特性   总被引:11,自引:3,他引:8  
本文报导了通过低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)与钇铝石榴石(YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管(W-LED).在室温、正向电流20mA时,W-LED轴向亮度为170mcd,显色指数(CRI)达到82,色温(CCT)为7448K,CIE色坐标是(0.296,0.316),接近纯白色(0.33,0.33).随着注入电流的增强,测量并探讨了白光LED的发射光谱与发光强度的变化.  相似文献
2.
MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED   总被引:8,自引:7,他引:1  
利用LP-MOCVD系统生长了InGaN/GaN MQW紫光LED外延片,双晶X射线衍射测试获得了2级卫星峰,室温光致发光谱的峰值波长为399.5nm,FWHM为15.5nm,波长均匀性良好。制成的LED管芯,正向电流20mA时,工作电压在4V以下。  相似文献
3.
X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜   总被引:3,自引:0,他引:3  
氮化物研究在90年代取得显著进步,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管.由于氮化镓与衬底(如:蓝宝石,碳花硅)间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配,外延膜中有非常高的位错密度.研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度.Ф扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构.计算出螺位错密度为:2.93×109cm-2和刃位错密度为:5.25×1010cm-2.  相似文献
4.
GaN发光二极管的负电容现象   总被引:3,自引:2,他引:1  
采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性.由此可以同时测量结电容和串联电阻,并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下,GaN二极管的结电容具有负值,并且测试频率越低,正向偏压越大,负电容现象越显著。这种负电容效应可能与大正向电压下强注入造成的电子-空穴复合发光有关。  相似文献
5.
InGaN/GaN multi-quantum well structure with Mg-doped p-type GaN was grown by low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy. After rapid-thermal-annealing at 700 and 900${^\circ}$C, both the red-shift and the blue-shift of the photoluminescence (PL) peak, the decreased and the enhancement of the PL intensity were observed. The transmission electron microscopic images showed that InGaN multi-quantum-dots-like (MQD-like) structures with dimensions less than 5$\tm$10nm were formed in InGaN wells. The changes of PL spectra could be tentatively attributed to the competition between the red-shift mechanism of the quantum-confined Stark effect and the blue-shift mechanism of the quantum size effect due to MQD-like structures.  相似文献
6.
大气压交流辉光放电等离子体气—液相化学反应器   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文介绍一种大报压交流辉光放电等离子体气-液相化学反应器的结构,放电实验及应用结果。该反应器在气-液混合和大气压条件下顺利地产生了氢等离子体,并在常温,常压和无催化剂作用下,对液相C18烯酸进行了选择性加氢。  相似文献
7.
The effect of Al doping in the GaN layer of InGaN/GaN multiple quantum-well light emitting diodes (LEDs) grown by metalorganic chemical vapour deposition is investigated by using photoluminescence (PL) and highresolution x-ray diffraction. The full width at half maximum of PL of A1 doped LEDs is measured to be about 12nm. The band edge photoluminescence emission intensity is enhanced significantly. In addition, the in-plane compressive strain in the Al-doped LEDs is improved significantly and measured by reciprocal space map. The output power of Al-doped LEDs is 130mW in the case of the induced current of 200mA.  相似文献
8.
金属有机化合物相外延生长GaN薄膜的电子微结构研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
程立森  杨志坚 《物理》2000,29(1):19-22,60
研究了金属有机化合物气相外延(MOVPE)方法在(0001)氧化铝基底上生长的GaN薄膜的微结构,目的在于解释GaN缓冲层在二步法生和过程中的作用及其对外延层晶体质量的影响。在缓冲层中观察到了高密度的结构缺陷,并发现了两种晶体结构(立方和六角)的GaN。进而对两种结构GaN的成因进行讨论,并对缓冲层和外延层中结构缺陷的关系进行了研究。  相似文献
9.
侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察   总被引:1,自引:1,他引:0  
在有条状SiO2图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到4.5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO:掩膜上方都形成了空洞。样品在240℃熔融的KOH中腐蚀13min。在SiO2掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度)减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到10^8cm^-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的CaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的CaN中的晶格失配应力已被部分释放。  相似文献
10.
空气和氧气气氛下p-GaN/Ni/Au合金性质   总被引:1,自引:1,他引:0  
研究了p-CaN上的Au/Ni双金属层在空气气氛和氧气气氛下合金对其欧姆接触性质的影响。使用同步辐射高强度X射线衍射观察到明显的NiO衍射峰。随着合金时间的增加,NiO和Au的结晶性均明显变好,NiO的衍射峰强度随合金时间的增加而增强,同时发现Au(111)沿CaN的(0001)面择优形成单晶。测得Ni/Au-p-CaN-Ni/Au串联电阻在合金后明显降低,表明接触性质改善与结晶性的提高有关。同时发现氧气下合金比空气下合金形成NiO更快,相应的串联电阻也更快地下降。  相似文献
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