晶体中三阶有效非线性系数的计算方法

经过对ｘ（３）ｉｊｋｌ的脚标进行简化压缩处理，首次得出了全部晶体点群共１１种不同的Ｘ（３）ｉｍ矩阵表达形式及Ｋｌｅｉｎｍａｎ对称条件成立下的简化形式，给出了各类晶体中四波相互作用过程中Ｘ（３）＾ｅｆｆ的计算方法。  

晶体球法直接测量KTP晶体第Ⅰ类相位匹配曲线

报道了35ps激光脉冲射入直径为10mm KTP昌体球的第Ⅰ类相位匹配二次谐波产生实验，根据二次谐波产生转换效率直接测量了KTP晶体的第Ⅰ类相位匹配曲线及相应的有效非线性系数，并与6组色散方程给出的理论匹配曲线比较，指出Vanherzele的公式优于其他五组。  

超声跟踪反常氯化亚汞声光器件的设计及性能分析

氯化亚汞（Ｈｇ２Ｃｌ２）单晶具有独特的声光特性，这使得Ｈｇ２Ｃｌ２声光器件－Ｂｒａｇｇ盒适用于各种光信号处理。本文以超声跟踪反常器件的设计思想为基础，得出了Ｈｇ２Ｃｌ２器件的设计参数，并分析了这类新型器件的性能。结果表明，该器件有良好的性能，特别是其体积比同类ＴｅＯ２器件小得多。这些优点使之可望成为二维声光信号处理系统的关键器件。  

晶体球中非相位匹配二次谐波产生及最佳聚焦条件

晶体球法是近年来在国际上发展起来的一种测量非线性系数的新方法。根据聚焦高斯光束二次谐波产生的孔径方程理论，分析了晶体球中的第Ⅰ类非相位匹配二次谐波产生过程，讨论了晶体球中第Ⅰ类非相位匹配二次谐波最佳聚焦参数的选择。报道了LiNbO3晶体球中皮秒激光脉冲抽运的相位匹配二次谐波实验。所得结果与理论预计相符。  

用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角

Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角,分别研究了(0002)、(101-3)、(101-2)、(101-1)、(202-1)五个面的X射线摇摆曲线,并且用Pseudo-Voigt方程拟合每一个面的摇摆曲线,我们利用外推法很方便地测得氮化镓外延薄膜的面内扭转角。另外我们采用同步辐射X射线掠入射衍射对样品进行(11-00)面反射扫描直接测得面内扭转角,对第一种方法进行验证,两种方法测量结果相同。从而提供一种简单、方便的GaN外延层的面内扭转角的测试方法,为深入研究GaN材料奠定良好基础。  

单轴晶体三阶有效非线性系数的解析表达式

应用压缩角标方法所得到的三阶非线性系数的矩阵形式，首次给出了在单轴晶体事进行三次谐波实验时，各种相位匹配方式下，其三阶有效非线性系数的解析表达式。这些表达式对三次谐波实验具有指导意义。  

双轴晶体中非共线相位匹配二次谐波产生现象分析

激光束与其散射光束在晶体中发生非线性和频作用，在满足非共线相位匹配条件时，可观察到二次谐波环的现象。本文以拆射率主轴坐标ｘｏｚ平面为例，推导出了双轴晶体中环参数的近似表达式。并用计算机得出了精确数值解，与实验观察到环的形状完全一致，提出了一种寻找最佳二次谐波产生方向的方法。  

高斯光束第Ⅱ类二次谐波振荡的离散效应

利用直观推断法(heuristc)讨论了离散效应在高斯光束第Ⅱ类相位匹配(PM)二次谐波振荡(SHG)过程中的影响,导出了适用于任意离散参量 B和聚焦参量ξ的高斯光束第Ⅱ类PM SHG转换效率的孔径积分公式.  

金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究

研究由MOCVD 技术制备的 GaMnN 外延薄膜光吸收谱.实验发现Mn掺杂后较未掺杂GaN吸收系数在近紫外区增加，在吸收谱低能区144 eV附近观察到吸收峰，吸收系数随Mn浓度的增加而增大.实验结果与基于密度泛函理论的第一性原理计算结果一致，结合理论计算分析认为144 eV附近的吸收峰源于Mn³⁺离子e态与t₂态间的带内跃迁⁵T₂→⁵E. 关键词： GaMnN MOCVD 密度泛函理论 光学性质  

Structure Dependence of Magnetic Properties for Annealed GaMnN Films Grown by MOCVD

GaMnN/GaN multilayers and conventional GaMnN single layers are grown by metal-organic chemical vapor deposition. Both kinds of samples show room-temperature ferromagnetism. After thermal annealing, the sample with GaMnN/GaN multilayer structure displays a larger coercivity and better thermal stability compared to the GaMnN single layer. The annealing effects on Vca related defects are observed from photoluminescenee measurements. Moreover, a different magnetic behavior is also found in the annealed GaMnN films grown on different （n-type GaN and p-type GaN） templates. These kinds of structure-dependent magnetic behaviors indicate that defects or carriers transformation introduced during annealing may have important effects on the electronic structure of Mn ions and on the ferromagnetism. Our work may be helpful for further understanding the origin of ferromagnetism in GaN-based diluted magnetic semiconductors.