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1.
自悬浮定向流法制备纳米铜微粒及其结构表征   总被引:19,自引:10,他引:9       下载免费PDF全文
 采用自悬浮定向流法制备金属铜纳米微粒,并用TEM,XRD和AES等分析手段研究了铜纳米微粒的形貌、粒度、结构及其表面氧化层特性。结果表明,在一定的参数条件下采用自悬浮定向流法可制备出单晶纳米铜微粒,并且通过工艺参数的调控可达到对微粒粒度的控制。  相似文献
2.
He-HCl体系各向异性势及分波散射截面的理论研究   总被引:13,自引:0,他引:13       下载免费PDF全文
首先用BFW势函数形式拟合了在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的He-HCl相互作用能数据,获得了He原子与HCl分子相互作用的各向异性势;然后采用CC近似方法计算了He-HCl碰撞体系的微分散射截面和分波散射截面,并总结了分波散射截面的变化规律.结果表明,拟合势不但表达形式简洁,而且较好地描述了He-HCl系统相互作用的各向异性特征;利用碰撞体系分子间势的量子化学从头计算结果,可解决势能参数难以确定的问题.对进一步研究原子与分子碰撞机理有一定参考价值.  相似文献
3.
He-N_2势能表面对散射截面的影响   总被引:13,自引:5,他引:8       下载免费PDF全文
从总散射截面、微分散射截面和分波散射截面三方面对He-N2体系的三个势能表面进行了详细比较。计算中采用了精确度较高的密耦(Close-Coupling)近似方法(E=64meV),计算结果与MKeil等的实验结果基本相符。研究结果表明:势能球平均零点能位置、势阱深度、排斥势的强度以及势能在势阱附近的方向性都对散射截面有较大的影响,为根据散射截面准确地确定He-N2体系的相互作用势能参数提供了一种新依据。  相似文献
4.
用于电子能谱测量的LiF热释光探测器标定   总被引:13,自引:5,他引:8       下载免费PDF全文
 用γ标准源对LiF热释光探测器(TLD)的灵敏度因子、线性吸收系数、离散性、重复性进行了测定。在此基础上建立了电子质量阻止本领的修正模型,理论上计算出电子等效质量阻止本领,给出单能电子的注量。由LiF TLD阵列可测量激光等离子体相互作用中发射的超热电子能谱(能量-注量关系)。  相似文献
5.
自悬浮定向流技术中铜纳米微粒的粒度控制研究   总被引:13,自引:5,他引:8       下载免费PDF全文
 采用自悬浮定向流技术制备了金属铜纳米微粒,根据TEM的行貌像对样品平均粒度进行标定,并结合样品制备的条件对制备工艺进行了研究。结果表明,自悬浮定向流技术可以方便地制备出不同粒度的金属铜纳米微粒,微粒平均粒径随熔球温度的降低而减小,随冷却气体流速的增大而减小;在1 200℃下微粒平均粒径随惰性气体压强的增大而减小,而在1 300℃时惰性气体压强对微粒平均粒径的影响不再具有规律性。  相似文献
6.
金等离子体平均离化度随电子温度变化关系的研究   总被引:10,自引:0,他引:10       下载免费PDF全文
用Cowan的原子结构从头算程序和自旋轨道劈裂阵模型计算各阶电离的金离子能级和跃迁, 在碰撞辐射模型下求解能级布居数方程,计算给定等离子体密度和电子温度下等离子体中离子的分布,给出了平均离化度随电子温度的变化关系.发现稀薄的金等离子体中,在一定的电子温度范围内电子温度的升高平均电离度反而下降的反常现象.讨论了电离势对平均离化度的影响.  相似文献
7.
 报道了在3TW飞秒激光器上完成的激光 等离子体相互作用过程中产生的超热电子的能谱测量结果。能谱测量显示:在较低的能段,超热电子能谱先是呈现一个局部的平台,然后迅速衰减,呈现非类麦克斯韦分布,这是由于几种加热机制共同作用,其中占主导地位的是反射激光对电子的加速;在较高的能段,超热电子能谱呈类麦克斯韦分布,拟合的温度远远高于已知的温度定标律给出的温度,其原因在于超热电子分布的高能尾部本身的抬高和激光的自聚焦及成道。  相似文献
8.
BeH,BeD,BeT分子基态(X2Σ+)的结构与势能函数   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
采用量子力学从头算方法,运用二次组态相互作用QCISD(T)/aug-cc-pVTZ和电子相关单双耦合簇CCSD(T)/6-311++G(3df,2pd)研究了BeH,BeD,BeT分子基态的结构与势能函数,计算出了这些分子的光谱数据(ωeωeχeBeαeDe),结果与实验光谱数据吻合较好.这表明上述分子基态的势能函数可用经修正的Murrell-Sorbie+c6函数来表示. 关键词: BeH BeD BeT分子基态 分子结构 势能函数  相似文献
9.
稀有气体原子间相互作用势的模型势计算   总被引:8,自引:1,他引:7  
10.
从金属箔背表面测量了超热电子穿越固体靶产生的光发射.光发射积分成像图案呈圆环状,在圆环边缘附近出现局部化明亮光信号确定为光学渡越辐射;光发射光谱在300—500nm之间出现一系列非周期锐利尖峰,在400nm(2ω)附近的尖峰较明显,这个光发射取决于v×B加 热机制产生的超热电子束的微束团引起的相干渡越辐射,(v为电子电度,B为磁场强度),光 强随靶厚度的增加而减小.  相似文献
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