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1.
聚合物发光器件中激子的解离与复合效率   总被引:14,自引:0,他引:14       下载免费PDF全文
李宏建  彭景翠  许雪梅  瞿述  夏辉 《物理学报》2001,50(11):2247-2251
对聚合物发光器件中极化子激子的形成与解离过程进行了详细探讨,提出了极化子激子解离的理论模型及解离概率的解析式,分析了激子解离后正、负极化子的输运过程,认为是极化子的链间跃迁实现了聚合物的电导,计算并讨论了内量子效率随外加电场、温度及杂质浓度的变化关系.该模型较好地解释了有关实验现象.  相似文献
2.
有机电致发光器件中载流子的输运和复合发光   总被引:10,自引:0,他引:10       下载免费PDF全文
以高场作用下载流子对三角势垒的FowlerNordheim隧穿理论为基础,建立了单层有机电致发光器件中载流子输运和复合发光模型,给出了薄膜中电子空穴对的解离和复合概率及电子和空穴的密度分布.计算并讨论了外加电压和注入势垒对器件电流和复合效率的影响.  相似文献
3.
填充碳纳米管/石墨的复合型电磁波屏蔽膜   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
介绍一种填充碳纳米管/石墨的复合型电磁波屏蔽膜的组成、制备及其对耐老化性能,实验发现:当碳纳米管/石墨的配比为1/7-1/2、有机聚合物/导电填料的配比为29.6/70.4-32.4/67.6时,该屏蔽具有最佳的电性能、屏蔽性能和加工性能,且在一定条件下具有负的温度系数。用多层结构模型讨论了该屏蔽膜的导电性,并与铜、镍、危险性膜的屏蔽特性进行了比较。  相似文献
4.
许雪梅  彭景翠  李宏建  瞿述  罗小华 《物理学报》2002,51(10):2380-2385
建立了在单层有机发光二极管中电场强度不太大(E≤104Vcm)的情况下,载流子注入、传输和复合的理论模型.通过求解非线性Painleve方程得出了电场强度随坐标变化的解析函数关系式以及电流密度随电压变化关系,给出了电流密度以及器件的复合效率在不同的载流子迁移率情况下随电压变化关系图像.结果表明,复合效率受载流子迁移率影响较大,在器件中多数载流子应具有较低的迁移率,而少数载流子应具有较高的迁移率,这样有利于载流子的注入和传输,从而可提高发光效率.并且得出当空穴迁移率大于电子迁移率时,复合区域偏向阴极,反之亦  相似文献
5.
多孔硅的表面碳膜钝化   总被引:7,自引:2,他引:5  
报道对多孔硅(PS)进行碳膜(CF)钝化处理的结果。红外吸收光谱表明,经钝化处理样品的表面由Si-C、Si-N和Si-O键所覆盖;荧光我谱表明,经钝化处理的样品较未处理的样品发光强度提高4 ̄4.5倍,且发光峰位明显蓝移;存放实验显示,经钝化处理的样品发光强度稳定、发光峰位不变。这些结果表明正丁胺可以在多孔硅表面形成优良的钝化碳膜,是一种十分有效的多孔硅后处理途径。  相似文献
6.
微腔有机发光器件中的电致发光光谱   总被引:6,自引:6,他引:0  
设计了结构为Glass/DBR/ITO/TPD/Alq3/Ag的微腔有机发光器件。从理论上详细地研究了腔内各层结构对器件电致发光谱性能的影响。结果表明:随着腔长厚度的增加,器件的归一化电致发光谱强度不断减小;在可见光区,器件的EL谱随发光层厚度的增加出现振荡变化。空穴传输层和发光层的界面位置对器件电致发光谱的影响也很大。最后得到,在设计微腔时发光层厚度要尽量窄,并且中心发光区域应位于谐振腔中电场的峰值位置。  相似文献
7.
纳米晶Gd2O3:Eu^3+的制备及发光性能   总被引:5,自引:3,他引:2  
采用低温燃烧合成法制备了Gd2O3:Eu^3+纳米晶。用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光光谱仪分别对样品的结构、形貌和发光性能进行了研究。结果表明,改变甘氨酸与稀土离子的比例(G/M)、退火温度可以制备出不同结构和晶粒尺寸的Gd2O3:Eu^3+纳米晶。在退火温度为800℃,G/M等于0.83和1.0时,均得到了纯立方相的Gd2O3:Eu^3+纳米晶,随着G/M的增加,Gd2O3:Eu^3+从立方相逐渐向单斜相转变。粉末的晶粒尺寸随着退火温度的增高而增大,晶粒尺寸在10-30nm之间。立方相的Gd2O3:Eu^3+纳米晶主发射峰位置在612nm(^5D^0→^7F2跃迁),激发光谱中电荷迁移态发生了红移。  相似文献
8.
掺杂PVK薄膜的荧光谱及电荷转移   总被引:5,自引:3,他引:2  
根据PVK掺杂后荧光谱的变化,说明掺杂PVK薄膜的电致发光存在着从基质分子向掺杂分子的能量传递,用一个由单链模型扩展到包括杂质的哈密顿量进行数值求解,结果表明:在PVK和杂质分子之间有效的能量传递是源于它僮之间的电荷转移,且随着杂质浓度的变化,其荧光谱峰位的移动与掺杂前后系统总能量的改变及荧光谱强度与掺杂后转移的电荷数之间分别存在对应关系。该模型较好地解释了有关的实验结果。  相似文献
9.
注入和输运对单层有机发光器件复合发光的影响   总被引:5,自引:4,他引:1       下载免费PDF全文
李宏建  易丹青  黄伯云  彭景翠 《光子学报》2003,32(12):1446-1449
通过分析聚合物电致发光器件中载流子注入、输运、激子的解离与复合过程,提出了激子解离与复合的理论模型. 基于电流连续性方程和Poisson方程,给出了激子复合密度、电流密度及复合效率表达式.研究两电极与有机层之间在Ohmic和Fowler-Nordheim接触条件下载流子迁移率对器件中激子的复合密度及外加电压和注入势垒对器件电流和复合效率的影响.结果表明:1)在一个较宽的注入势垒和迁移率范围内,复合密度不是由两个注入电极的相对注入比决定而是由有机层电子和空穴迁移率之比所支配;2)固定阴极势垒,而阳极势垒由小变大时,器件电流由接触限制向空间电荷限制转变;3)复合效率随外电压升高先增加,当电压达一临界值时而陡降,存在一个最佳的注入势垒值.结果说明:电极与有机层的能带匹配及有机层间的迁移率匹配对器件复合发光有着极其重要的影响.其计算值与所报道的理论结果相符.  相似文献
10.
By using n-butylamine as carbon resource, diamond-like carbon film (DLCF) was deposited on the p-n porous silicon (PS) surface by means of a radio-frequency glow discharge plasma system. Electroluminescent (EL) spectra show that EL intensity of the passivated PS diodes increases by 4.5 times and 30-nm blue-shift of EL peak occurs compared with the diodes without treatment and both of them are stable  相似文献
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