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1.
3.5 MeV注入器脉冲功率系统   总被引:5,自引:5,他引:0       下载免费PDF全文
 用于直线感应加速器的3.5 MeV注入器脉冲功率系统采用了感应叠加原理。整个系统包含了脉冲形成系统、触发系统以及感应腔负载。脉冲形成系统主要由Marx发生器和Blumlein脉冲形成线组成,产生12个脉宽约90 ns,幅度约200 kV的高压脉冲,通过12个感应腔和变阻抗阴阳极杆,在阴阳极间隙处产生3.5 MV的二极管电压,由天鹅绒阴极发射强流电子束。触发系统主要由两级触发开关构成,严格控制12个高压脉冲的输出时间,时间分散性统计值小于1 ns(动作时间抖动)。采用该脉冲功率系统注入器能产生能量约3.5 MeV,电流2~3 kA的强流电子束。  相似文献
2.
MHz重复频率脉冲功率技术   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
 采用串联单传输线、并联Blumlein脉冲形成线和高重复频率固体开关等技术路线开展了MHz重复频率脉冲功率技术研究。利用串联单传输线获得了幅度约200 kV,时间间隔约500 ns的双脉冲。利用并联使用的Blumlein系统和特殊设计的汇流/隔离网络获得了幅度约275 kV,时间间隔约500 ns的三脉冲。利用并联MOSFET和感应叠加原理研制了6 kV/2.5 MHz固体调制器。结果表明:3种方式均可以猝发MHz的方式输出高品质的高压脉冲串,可根据实际的需求选择合适技术路线。  相似文献
3.
低能He原子与Li2分子碰撞散射截面理论计算   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
利用Fuchs势模型和密耦方法对He-Li2碰撞体系低能散射截面进行理论计算,研究了He-Li2碰撞体系的散射总截面随能量的变化、微分截面随角度的变化、分波截面随总角动量的变化以及与入射能量之间的关系,并总结了量子效应随入射能量的变化规律.  相似文献
4.
在B3LYP/6-31+G(d)水平上,对NCO分子的各种可能结构进行几何优化,得到了NCO及其异构体分子CNO和CON基态结构都是C∞v,电子态为X 2Π,NCO分子的平衡核间距RNC=0.1230nm, RCO=0.1186nm,离解能De=13.40eV,并计算出谐振频率ω1=1293.44cm-1, ω2(A΄)=484.73cm-1,ω2(A˝)=559.72cm-1,ω3=1988.41cm-1,Renner-Teller参数ε=-0.1429,计算值与实验值吻合较好.在此基础上,应用多体项展式理论,单体项中首次引入开关函数,三体项以NCO,CNO基态结构与性质为依据,拟合给出了NCO分子的基态分析势能函数,其等值势能图准确再现了NCO,CNO分子基态结构与特征,并与优化结果完全一致.  相似文献
5.
在B3LYP/6-31+G(d)水平上,对NCO分子的各种可能结构进行几何优化,得到了NCO及其异构体分子CNO和CON基态结构都是C∞v,电子态为X2Ⅱ,NCO分子的平衡核间距RNC=0.1230 nm,RCO=0.1186 nm,离解能De=13.40 eV,并计算出谐振频率ω1=1293.44 cm-12(A′)=484.73 cm-12(A″)=559.72 cm-13=1988.41 cm-1,Renner-Teller参数ε=-0.1429,计算值与实验值吻合较好.在此基础上,应用多体项展式理论,单体项中首次引入开关函数,三体项以NCO,CNO基态结构与性质为依据,拟合给出了NCO分子的基态分析势能函数,其等值势能图准确再现了NCO,CNO分子基态结构与特征,并与优化结果完全一致.  相似文献
6.
采用基于并联Blumlein脉冲形成线的MHz重复频率脉冲功率技术和基于激光触发气体开关的多级触发系统,设计了脉冲功率系统模块,该模块具备6路输出能力,每路均可以MHz重复频率猝发方式输出三脉冲,幅度可达300kV。对模块中的Blumlein装置、脉冲汇流、隔离网络、触发系统等部件参数进行了设计。以多脉冲直线感应加速器感应腔作为负载,对该模块的性能进行了分析,结果表明:模块中每个脉冲的输出时间抖动小于2.3ns(标准差),脉冲间最小时间间隔大于500ns时可在负载上获得高品质波形。  相似文献
7.
李劲  刘红侠  李斌  曹磊  袁博 《物理学报》2010,59(11):8131-8136
在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOI MOSFET结构.通过求解二维泊松方程建立了该新结构的二维阈值电压模型,在该模型中考虑了影响阈值电压的主要参数.分析了阈值电压与弛豫层中的Ge组分、应变Si层厚度的关系.研究结果表明阈值电压随弛豫层中Ge组分的提高和应变Si层的厚度增加而降低.此外,还分析了阈值电压与高k栅介质的介电常数和应变Si层的掺杂浓度的关系.研究结果表明阈值电压随高k介质的介  相似文献
8.
李劲  刘红侠  李斌  曹磊  袁博 《中国物理 B》2010,19(10):107302-107302
Based on the exact resultant solution of two-dimensional Poisson’s equation, the novel two-dimensional models, which include surface potential, threshold voltage, subthreshold current and subthreshold swing, have been developed for gate stack symmetrical double-gate strained-Si MOSFETs. The models are verified by numerical simulation. Besides offering the physical insight into device physics, the model provides the basic designing guidance of further immunity of short channel effect of complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS)-based device in a nanoscale regime.  相似文献
9.
李劲  刘红侠  李斌  曹磊  袁博 《中国物理 B》2010,19(10):107301-107301
Based on the exact resultant solution of two-dimensional Poisson’s equation in strained Si and Si1-X GeX layer, a simple and accurate two-dimensional analytical model including surface channel potential, surface channel electric field, threshold voltage and subthreshold swing for fully depleted gate stack strained Si on silicon-germanium-on-insulator (SGOI) MOSFETs has been developed. The results show that this novel structure can suppress the short channel effects (SCE), the drain-induced barrier-lowering (DIBL) and improve the subthreshold performance in nanoelectronics application. The model is verified by numerical simulation. The model provides the basic designing guidance of gate stack strained Si on SGOI MOSFETs.  相似文献
10.
介绍了神龙一号直线感应加速器脉冲功率系统、注入器、束流输运系统、轫致辐射转换靶的调试情况, 给出了调试结果, 并对下一步工作进行了展望. 调试结果表明, 神龙一号加速器全面达到设计指标.  相似文献
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