首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   35篇
  完全免费   5篇
  物理学   40篇
  2018年   2篇
  2016年   1篇
  2014年   2篇
  2012年   2篇
  2011年   1篇
  2009年   1篇
  2006年   4篇
  2005年   3篇
  2004年   7篇
  2003年   2篇
  2002年   2篇
  2001年   4篇
  2000年   4篇
  1999年   1篇
  1992年   1篇
  1991年   2篇
  1988年   1篇
排序方式: 共有40条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
中国环流器二号A装置(HL-2A)工程研制   总被引:4,自引:4,他引:0  
中国环流器二号A装置(HL 2A)(设计指标:大半径1.65m、小半径0 4m、环向磁场2 8T、环向等离子体电流480kA)是我国已建成的第一个偏滤器托卡马克实验型磁约束聚变装置。HL 2A装置的首要研究目标是利用其独特的大体积极向偏滤器在高参数等离子体条件下开展与偏滤器位形运行有关的研究。本文总结了HL 2A装置工程设计、制造与安装、工程调试等研制的主要内容和关键技术。工程调试和初步物理实验的结果表明:HL 2A装置的主要工程参数和性能已具备开展物理实验的条件,并已成功地运行于偏滤器位形。2003年11月底,HL 2A装置获得等离子体电流168kA,等离子体存在时间920ms,等离子体线平均密度1.7×1019m-3,环向磁场1 4T,极限真空度为4.6×10-6Pa。  相似文献
2.
3.
HL—1装置脉冲送气控制等离子体密度实验   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文描述HL-1装置用脉冲送气控制等离子体密度的实验。其结果表明等离子体建立后工作气体的快速注入(即边缘加料)能提高等离子体密度,改善等离子体性能。在较好地控制装置放电条件后(主要是等离子体电流,位移和杂质控制),多脉冲或长脉冲补充送气能在较宽范围内(0.8—7.0×10~(19)·m~(-3))有效地控制等离子体密度及波形,装置稳定运行区域大为扩展。最后讨论了器壁再循环对密度控制的影响和送气的加料效率。  相似文献
4.
HL—1装置等离子体密度反馈实验   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文叙述HL-1装置用反馈脉冲补充送气方式控制等离子体密度的方法及实验结果。给出了在固有的物理实验条件下的最佳反馈方式,实现了对密度的有效控制及反馈。讨论了在不同密度条件下的几种反馈方式及反馈系统尚存在的不足之处。  相似文献
5.
HL-2A托卡马克装置真空系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了HL 2A装置真空系统研制。它由真空主抽气系统、抽气偏滤器、直流辉光放电清洗系统组成。主抽气系统提供了装置真空室从大气到高真空、烘烤除气、直流辉光放电清洗所需要的抽气能力。抽气偏滤器初步实现了托卡马克放电过程中边缘粒子的抽运与控制;直流辉光放电清洗系统保证了装置良好的真空器壁条件。介绍了这些系统的初步运行情况,并给出了其测试结果。HL 2A装置首轮物理实验运行时真空室极限真空度达到4.6×10-6Pa,12h总漏放气率为1.8×10-5Pa·m3·s-1。  相似文献
6.
本文描述了HL-1装置送气系统的结构、性能和实验结果。送气系统提供的稳态和脉冲送气方式成功地运用于各种物理实验和密度控制。观察了不同送气方式放电下密度变化特性,发现在较低的初始气压(0.6—1×10~(-1)Pa)下有控制地加入多脉冲补充送气,能有效地控制密度和改善等离子体性能,送气滞后时间小于8ms,故可用于反馈控制。  相似文献
7.
低杂波电流驱动系统在2004年经过改造完成了重建工作,并在HL-2A装置上用单只速调管输出300~400kW的微波功率系统进行了工程调试。针对大功率微波的传输和发射,微波的局部打火和拉弧,低杂波传输线和天线作了相应的技术改造,设计了相对独立的真空系统,具备了抽气和充气的能力。  相似文献
8.
1垂直不稳定性的产生 非圆截面(通常是D形或豆形)等离子体的性能和能量约束时间优于圆截面,并且可获得更大的等离子体电流,但等离子体的垂直稳定性会因其被拉长而变坏,拉长比值k值愈大,则垂直不稳定性的可能性就增加。描述垂直不稳定性的重要参数有衰减指数n,稳定参数,和增长率参数y。  相似文献
9.
中国环流器2A(HL-2A)是我国第一个运行于偏滤器位形的托卡马克装置,为在较高等离子体参数下深入开展改善约束、大功率二级加热和电流驱动和加料等国际前沿工程与物理课题的实验研究,其第一壁将覆盖大面积的石墨材料和碳纤维保护瓦。因此,HL-2A装置器壁原位处理技术的应用和发展,涂层与等离子体相互作用特性的研究对有效控制杂质的产生,改善等离子体约束性能,提高装置实验运行参数都具有重要的意义。  相似文献
10.
在2004年的实验中,首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理,在这种硅化器壁的条件下,对轻重杂质的线辐射进行了研究,并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中,通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗,研究了硅化对氢再循环的影响。  相似文献
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号