首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5篇
  完全免费   2篇
  物理学   7篇
  2010年   1篇
  2008年   1篇
  2007年   1篇
  2004年   1篇
  2003年   1篇
  1998年   1篇
  1992年   1篇
排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
催化动力学吸光光度法测定痕量汞   总被引:6,自引:0,他引:6  
在pH5.6的缓冲溶液中,痕量Hg(Ⅱ)对高碘酸钾氧化胭脂红褪色反应有较强的催化作用,研究了反应的最优条件,建立了测定痕量Hg(Ⅱ)的新方法,方法的最低检出限为4×10^-11g/mL Hg(Ⅱ),检测线性范围为0-1.2μg/25mL Hg(Ⅱ),用于水样中痕量Hg(Ⅱ)的测定,获得满意的结果。  相似文献
2.
磁流化床强化烟气脱硫反应机理研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
磁流化床对脱硫反应的强化作用分铁磁颗粒强化和磁场强化两方面.铁磁颗粒强化体现在铁磁颗粒对SO2脱除具有催化氧化作用;磁场强化,体现在磁场能增强Ca(OH)2的溶解度,从而增强Ca(OH)2浆滴的脱硫能力.磁流化床烟气脱硫的试验研究结果证实了上述分析的正确性.  相似文献
3.
We report a simple method to make two-dimensional plane gratings that can be used as splitters. In the self-assembly process, the colloidal spheres can form single layer square or triangular lattice on a fiat surface and in our experiments the triangular lattice is a more common structure. As an incident beam passes through the triangular lattice, it can be split into seven sub-beams, among which six beams have the same density and scattering angle. This grating is not sensitive to the polarization direction of the incident light.  相似文献
4.
杨晓腊  张琦 《光学学报》1992,12(6):48-552
本文从菲涅耳衍射积分公式出发研究了激光器非稳腔输出环状光束在空间的传输规律.由轴上光强的极值点位置给出了划分非稳腔传输空间的近场、中场和远场区域公式.理论计算结果表明,非稳腔输出端环状光束在中场区域激光能量逐渐向轴心方向转移,而在远场变为爱里型圆盘状光束的过程.在非稳腔脉冲TEA CO_2激光器上测得的实验结果与理论计算结果很好地符合.  相似文献
5.
通过改进样品池的结构和其他实验条件,用气压法制备了大直径聚苯乙烯小球(直径为1 μm和700 nm)的人造蛋白石(opal)样品,并测量了其能带特性.对于制备能带位置在红外波段的三维光子晶体,这一实验结果将有很广阔的用途.  相似文献
6.
张琦  龚丽芳  姚成 《光谱实验室》2010,27(1):202-205
在150℃、800W的消解条件下,用硝酸对三醋酸纤维素进行消解,空气-乙炔火焰原子吸收光谱法测定三醋酸纤维素中铜和铁的含量,测定条件为;光谱通带为0.4nm、灯电流为3.0mA、燃烧器高度为6.0mm、乙炔流量为2.0L·min^-1。结果表明,测定样品中铜和铁含量分别为1.15、5.63μg·g^-1。该法的加标回收率在97.0%-100.6%范围内,相对标准偏差均小于1.0%。适用于三醋酸纤维素中铜和铁的质量控制和样品系统分析。  相似文献
7.
研究了磁流化床烟气脱硫过程中铁磁颗粒和外加磁场对S(Ⅳ)氧化反应的促进作用.进行了两组实验:(1)磁流化床烟气脱硫实验.测定脱硫产物成分,分析流化床的床料和外加磁场的强度对S(Ⅳ)氧化反应的影响;(2)Fe(Ⅲ)溶液SO2吸收实验.测定溶液的SO2吸收性能,确定S(Ⅳ)氧化反应的机理.实验结果表明:磁流化床以石英砂为床料时,未发生S(Ⅳ)的氧化反应;以铁磁颗粒为床料时,发生S(Ⅳ)的氧化反应.并且,S(Ⅳ)的氧化反应程度随溶液中Fe(Ⅲ)浓度的增加和外加磁场强度的增加而增强.  相似文献
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号