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1.
ZnO薄膜的制备和发光特性的研究   总被引:31,自引:12,他引:19  
用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜,在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱。探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响,从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态。另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位,以上结果说明:用溅射方法制备的ZnO薄膜结晶质量较好,富锌状态有所改善。  相似文献
2.
可调光子晶体研究进展   总被引:6,自引:0,他引:6  
王东栋  王永生  张希清  何志群 《物理》2003,32(11):757-761
可调光子晶体是光子晶体研究中的一个新领域,文章简单介绍了当前可调光子晶体的发展状况,阐述了其调制机理及存在的问题,同时论述了可调光子晶体的发展趋势。  相似文献
3.
一种新型的稀土有机电致发光材料:Tb(asprin)3phen   总被引:5,自引:0,他引:5  
文报道了乙酰水杨酸为第一配体 ,邻菲罗啉为第二配体的铽配合物这种新型电致发光材料 ,并通过引入导电高分子材料PVK来改善配合物的成膜性和导电性 ,使其可应用于电致发光器件的发光层。我们制备了单层电致发光器件ITO/PVK :Tb(asprin) 3phen/Al,并对其电致发光性能进行了研究。结果表明该配合物具有很好的光致发光性能和电致发光性能。通过测量材料的激发谱和发射谱 ,我们初步探讨了器件的电致发光机理 ,认为是PVK及Tb(asprin) 3phen激发态的载流子被Tb3 +俘获并与符号相反的载流子在Tb3 +中心上复合 ,发出Tb3+的特征发光  相似文献
4.
The optical properties of both the annealed and as-deposited ZnO thin films by radio frequency (RF) magnetron sputtering on SiO2 substrates were studied. In the annealed films, two pronounced well defined exciton absorption peaks for the A and B excitons were obtained in the absorption spectra, a strong free exciton emission without deep-level emissions was observed in the photoluminescence (PL) spectra at room temperature. It was found that annealing the films in oxygen dramatically improved the optical properties and the quality of the films.  相似文献
5.
用非相干光时间延迟四波混频测量二级扩散系数   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
张希清  赵家龙 《物理学报》1993,42(3):417-421
6.
磁控溅射制备ZnO薄膜的受激发射特性的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
用射频磁控反应溅射法在二氧化硅衬底上制备ZnO薄膜。得到了在不同温度下ZnO薄膜的吸收与光致发光。观测到了纵光学波 (LO)声子吸收峰与自由激子吸收峰 ;室温 (30 0K)下 ,PL谱中仅有自由激子发光峰。这些结果证实了ZnO薄膜具有较高的质量。探讨了变温ZnO薄膜的发光特性。研究了ZnO薄膜的受激发射特性。  相似文献
7.
溶剂效应对聚喹啉铝发光特性的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了非共轭聚喹啉铝(Palq)在氯仿和乙醇不同极性的溶剂下所获得的薄膜的吸收和发光光谱。由于溶剂性的不同,聚喹啉铝链在氯仿和乙醇溶液中表现出不同的聚集状态。当各种溶液分别旋涂成膜时,溶液中的聚喹啉铝的聚集态仍部分地保存下来,导致不同聚喹啉铝薄膜的电子结构状态的差别。结果,聚喹啉铝的薄膜表现出不同的发光特性。实验表明,在制作聚合物器件中,溶剂的选择对共轭聚合物的发光特性有着重要的影响。  相似文献
8.
CdSe/CdZnSe超晶格的激子光学性质的研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe/Cd0.65Zn0.35Se超晶格结构。利用X射线衍射(XRD)、77K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe/CdZnSe超晶格结构和激光复合特性,在该材料中观测到激子-激子散射发射峰,变密度激发光致发光光谱和谱温度光致发光光谱证实了这一现象,激子发射峰的线宽随着温度的升高而展宽,低温时发光峰的宽度主要是由合金组分和阱垒起伏引起的,没温时激子线宽展宽是由于激子与纵光学声子和离化的施主杂质间的散射作用引起的,光致发光的强度随着温度的升高而降低,这主要是由激子的热离化造成的,也就是说,热激发使得电子或空穴由阱中跃迁至垒上。  相似文献
9.
CdS薄膜的化学沉积法制备及其特性的研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
用化学沉积方法在沉积温度为90℃下制备了CdS薄膜.研究了直接退火处理和涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理对CdS薄膜的影响.利用X射线衍射、扫描电子显微镜对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了研究,发现没有任何处理的CdS薄膜没有明显的晶型;直接退火处理促进了CdS立方相的结晶,晶粒没有增大且生长出许多细小的晶粒;涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理不仅极大地促进了CdS六角相的结晶,而且晶粒增粗增大,表面更加光滑.用吸收光谱研究了薄膜的光学特性,发现退火使薄膜的禁带宽度变窄,涂敷CdCl2甲醇溶液后退火处理使吸收边变陡和带尾变小.表明涂敷CdCl2甲醇溶液退火处理明显改善CdS薄膜的结晶质量和光学性质.  相似文献
10.
纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜的磁控溅射制备和发光性质的研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
采用射频磁控反应溅射方法在SiO衬底上制备了纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜.在室温下利用吸收光谱和光致发光光谱研究了样品的光学性质.发现吸收光谱随纳米ZnO尺寸的减小发生了明显的蓝移,表明随着ZnO尺寸的减小,量子尺寸效应增强,导致带隙展宽,吸收峰蓝移.光致发光光谱在387和441 nm附近出现了两个发光带,分析认为紫外发光来源于自由激子的辐射复合,而蓝色发光带来自于氧空位的电子到价带的跃迁,并用时间分辨光谱和发光衰减证实了上述观点.  相似文献
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