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1.
白光LED的加速老化特性   总被引:25,自引:11,他引:14  
对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿着螺旋位错聚集及移动的结果;电容-电压(C-V)曲线中反向偏压下电容减少,正向偏压下电容增大,这是由于螺位错和混合位错产生了漏电的通道;电致发光光谱中黄光荧光成分比重增加;光通量随时间开始缓慢降低,在某一个时刻突然急剧降低,显示各个老化因素累积的影响会在某一时刻导致白光LED突然失效。最后使用阿列纽斯关系计算出所用白光LED的寿命为2.3万小时。  相似文献
2.
GaN基白光LED的研制与特性   总被引:11,自引:3,他引:8  
本文报导了通过低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)与钇铝石榴石(YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管(W-LED).在室温、正向电流20mA时,W-LED轴向亮度为170mcd,显色指数(CRI)达到82,色温(CCT)为7448K,CIE色坐标是(0.296,0.316),接近纯白色(0.33,0.33).随着注入电流的增强,测量并探讨了白光LED的发射光谱与发光强度的变化.  相似文献
3.
GaN基白光LED的结温测量   总被引:9,自引:6,他引:3  
用正向电压法、管脚法和蓝白比法等三种方法测量GaN基白光LED的结温,获得了较为准确的结温,误差可以控制在4℃以内。正向电压法在恒定电流的条件下,得到了正向电压与结温的线性关系;蓝白比法在不同环境温度和不同注入电流两种情况下,都得到了蓝白比与结温较好的线性关系。提出了蓝白比法可能的物理机制,提高环境温度和增大注入电流都会使结温升高,蓝光峰值波长也会改变,这两个因素都会影响荧光粉的激发和发光效率。降低结温需要考虑的主要因素有白光LED的接触电阻、串联电阻和外量子效率,封装材料的热导率,反射杯和管脚的设计,以及空气散热部分的散热面积等。  相似文献
4.
MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED   总被引:8,自引:7,他引:1  
利用LP-MOCVD系统生长了InGaN/GaN MQW紫光LED外延片,双晶X射线衍射测试获得了2级卫星峰,室温光致发光谱的峰值波长为399.5nm,FWHM为15.5nm,波长均匀性良好。制成的LED管芯,正向电流20mA时,工作电压在4V以下。  相似文献
5.
固态照明光源的基石--氮化镓基白光发光二极管   总被引:5,自引:0,他引:5  
张国义  陈志忠 《物理》2004,33(11):833-842
首先回顾了照明光源的简单历史 ,然后介绍了发光二极管 (LED)发展到大功率白光LED的历史 ,接着简述了国内外发展现状 ,主要技术路线及其特点 .最后阐述了作者在这方面的研究工作进展状况 ,对其发展趋势提出了一些看法 .  相似文献
6.
高亮度白光LED用外延片的新进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
张国义  陆敏  陈志忠 《物理》2007,36(5):377-384
文章首先介绍了发光二极管(LED)的内量子效率、外量子效率的基本概念和提高量子效率的基本方法,接着对LED外延的结构和方法做了简要介绍.文章的第三和第四部分则着重介绍了提高内、外量子效率的外延方法,这些方法包括外延结构的优化,侧向外延生长,SiC和GaN衬底的生长,AIInGaN四元系有源区生长,非极性面、半极性面的外延,表面粗化结构生长,图形化二次外延结构.图形化蓝宝石衬底上的外延,提高载流子注入效率的结构和组分设计.文章的第五部分则介绍了基于可靠性和成本考虑的其他新型外延结构,第六部分介绍了提高LED可靠性的外延方法.最后得出结论:采用非极性面的GaN衬底,生长优化的LED结构,并结合光子晶体技术,可望取得突破性进展.  相似文献
7.
X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜   总被引:3,自引:0,他引:3  
氮化物研究在90年代取得显著进步,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管.由于氮化镓与衬底(如:蓝宝石,碳花硅)间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配,外延膜中有非常高的位错密度.研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度.Ф扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构.计算出螺位错密度为:2.93×109cm-2和刃位错密度为:5.25×1010cm-2.  相似文献
8.
GaN发光二极管的负电容现象   总被引:3,自引:2,他引:1  
采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性.由此可以同时测量结电容和串联电阻,并能判断二极管是否有界面层。首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下,GaN二极管的结电容具有负值,并且测试频率越低,正向偏压越大,负电容现象越显著。这种负电容效应可能与大正向电压下强注入造成的电子-空穴复合发光有关。  相似文献
9.
InGaN/GaN multi-quantum well structure with Mg-doped p-type GaN was grown by low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy. After rapid-thermal-annealing at 700 and 900${^\circ}$C, both the red-shift and the blue-shift of the photoluminescence (PL) peak, the decreased and the enhancement of the PL intensity were observed. The transmission electron microscopic images showed that InGaN multi-quantum-dots-like (MQD-like) structures with dimensions less than 5$\tm$10nm were formed in InGaN wells. The changes of PL spectra could be tentatively attributed to the competition between the red-shift mechanism of the quantum-confined Stark effect and the blue-shift mechanism of the quantum size effect due to MQD-like structures.  相似文献
10.
王涛  姚键全  张国义 《物理》2005,34(10):718-724
如今,InGaN/GaN基量子阱发光二极管已经商业化,而且InGaN/GaN基量子阱激光二极管已实现连续波室温运转,使用寿命超过10000小时,虽然如此,但还没有完全搞清楚这些器件的发光机理.试验中通常使用连续输出He-Cd激光器(325nm)作光源,或者使用20—50mA注入电流来研究In—GaN量子阱样品或发光二极管光学性质,本文上篇研究了量子阱厚度与发光二极管发光功率的关系,lnGaN和GaN之间的晶格失配产生压电场,从而导致量子束缚斯塔克效应,而量子束缚斯塔克效应强  相似文献
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