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1.
Josephson结跳变电流在不同温度下的统计分布   总被引:3,自引:1,他引:2  
本工作提出了一种通过对时间的测量来获得单个Josephson结的跳变电流统计分布P(I)的电路,该电路具有很好的精度和速度.利用该电路我们首次从4.2K到30mK的不同温度下,对NbN/AlN/AbN结和Nb/AlOx/Nb结的跳变电流统计分布进行了测量,得到了一系列P(I).在一定的温度范围内,P(I)和理论值符合的很好.该电路结合其他的实验手段,将在今后研究Josephson结其他物理性质(例如Rabi振荡)中发挥很好的作用.  相似文献
2.
Josephson结开关电流分布的测量方案探讨   总被引:3,自引:1,他引:2  
Josephson结的开关电流存在着一定的分布.利用开关电流的分布,我们可以推算出Josephson结的逸出率.进一步结合合适的微波辐照,还可以获得结的诸如能级、拉比振荡等许多相关的量子特性.Josephson结的开关电流分布的获得,对于研究超导量子比特,包括相位量子比特、电荷量子比特、磁通量子比特和涡流量子比特以及他们的组合量子比特都有着重要意义.我们提出了三种测量方案,对这三种方案进行了比较,并初步的对自制的NbN/AlNx/NbN Josephson结的开关电流进行了多次(104次)测量,得到一定温度下的开关电流分布的直方图.针对三种方案各自的优缺点及已有的结果,我们提出了需要进一步改进的措施,对于下一步开展在极低温下(mK)Josephson结的开关电流分布的测量有着重要的意义.  相似文献
3.
MgO(111)上NbN和AlN薄膜的生长研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的生长工艺条件,XRD研究分析表明,我们获得了单晶结构良好的NbN薄膜;为了支持作为上电极的NbN薄膜的生长,也需要良好的AlN薄膜用作势垒层,我们采用射频磁控溅射设备和纯净的Al靶对AlN薄膜进行了制备研究.实验结果表明,所获得的AlN薄膜具有六方c-轴取向,并讨论了衬底和薄膜界面处可能的结构情况.  相似文献
4.
添加Ag的Nd0.7Sr0.3MnO3薄膜研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文研究了Ag的添加对超大磁阻材料Nd0.7Sr0.3MnO3薄膜磁电特性的影响。通过对相同条件下制备的Nd0.7Sr0.3MnO3薄膜和添加Ag的Nd0.7Sr0.3MnO3薄膜的测量,着重比较了电阻温度系数(TCR)和磁电阻(MR)的变化。所制备的添加Ag的Nd0.7Sr0.3MnO3薄膜经过高温退火处理后,在1Tesla下得到较高的磁电阻MR值,其电阻温度系数TCR也大为增加。  相似文献
5.
高温超导本征结的制备工艺和特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
自从本征Josephson效应发现以来,由于其涉及到高温超导材料和结构、Josephson结动力学、高频应用等多个领域,本征结的研究一直是国际上研究的热点之一.我们采用低能离子刻蚀,实现了每分钟和单结本征结厚度相当的刻蚀速率,由BSCCO单晶成功的实现了含有单个或少数几个结的本征Josephson结的制备,并用四端子方法测量其低温下的I-V,Ic-T特性.通过反复实验研究,提高本征结制备的成功率及可重复性,完善制备工艺,并进一步探讨本征结的特性.  相似文献
6.
粉末微波滤波器的制备和特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用通电导线的电磁感应和铜粉的趋肤效应,试制了在超导量子计算实验系统中使用的粉末微波滤波器.滤波器的频率响应随频率升高而平缓下降,在1GHz左右衰减至-80dB.我们分析了滤波器的原理,并通过改变参数对滤波器性能的变化进行了详细的研究.  相似文献
7.
Eu2CuO4缓冲层和YBCO超导薄膜的制备及研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文用脉冲激光淀积法在LaAlO3(100)基片上外延生长Eu2CuO4薄膜缓冲层和YBCO超导薄膜,用X射线衍射扫描分析表明ECO薄膜为c轴取向.  相似文献
8.
超导纳米线单光子探测器   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
利用磁控溅射、电子束光刻和反应离子刻蚀等微加工技术,开展了超导纳米线单光子探测器(SNSPD)的研究.通过对SNSPD的设计和制备工艺参数的优化,成功制备出了高质量的SNSPD.单光子检测实验表明,制备的SNSPD对660 nm波长的光信号,系统检测效率可达30%,对1550 nm波长光信号,最大系统检测效率为4.2%.在平均暗计数小于10 c/s的情况下,系统检测效率大于20%(660 nm)和3%(1550 nm).  相似文献
9.
超导HEB的I-V特性模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
超导热电子测热辐射仪(Superconducting Hot-electron Bolom eter,HEB)是一种检测器件,可以对1THz以上的电磁辐射进行高灵敏度的检测。该工作是利用双温模型,假设电子和声子各自处在平衡态,但具有不同的温度,根据热平衡原理,计算出电子和声子温度在HEB桥上的分布,得到桥两端的电压值,从而得出器件的I-V特性。分析了实验环境温度,转变宽度和薄膜厚度对器件I-V的要求,并与实验测量的结果相比较,为进一步研究超导HEB的混频特性打下基础。  相似文献
10.
An epitsucial γ-Mg2SiO4 thin film can be a good buffer between the Si substrate and some oxide thin films. For high temperature superconducting multilayer structures, hopefully it can be taken as an insulating layer to replace the widely used MgO film. To explore such possibilities, we carry out systematic studies on the influences of pressure and substrate temperature on the epitaxy of γ-Mg2SiO4 thin films grown on Si (100) substrates using rf magnetron sputtering with an Mg target of purity of 99.95 percent. With the substrate temperature kept at 500℃ and the pressure changing from lO Pa to 15 Pa, in the XRD spectra the 7-Mg2SiO4 (400) peak grows drastically while the MgO (200) peak is suppressed. Keeping the pressure at 15Pa and increasing the temperature from 500℃ to 570℃ further can improve the film epitaxy, while working at 780℃ and 11Pa seems to give very good results. X-ray photoelectronic spectroscopy and φ scan are used to characterize the stoichiometry, crystallinity, and in-plane growth of the samples.  相似文献
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