分布布喇格反射镜的反射特性

采用等效法布里-珀罗(F-P)腔方法对分布布喇格反射镜(DBR)的特性进行了研究，计算并讨论了上下两层DBR结构非对称模型反射率的变化。设计了DBR反射镜的反射谱中心波长为850mm的结构。随着DBR周期数的增加，腔反射率峰值逐渐增加。上下两层DBR反射镜的厚度由反射率和中心波长决定。实验表明，下DBR的周期数为30对左右，上DBR的周期数为20对左右，易实现激光输出。非对称的双层DBR的反射特性表明理论计算与实验结果基本一致。  

垂直腔面发射激光器的结构生长及特性研究

在偏〈111〉A 2°的GaAs (100) 衬底上生长了Al0.9Ga0.1As /Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器（VCSEL）外延片P 型DBR的周期数为24.5对，N型DBR的周期数为34.5对.用光荧光 (PL) 谱、扫描电子显微镜 (SEM)和X射线双晶衍射 (XRD) 方法对VCSEL的光学特性和结构特性进行了分析室温量子阱材料的PL谱峰值波长为837.0 nm，半高宽达到28.9 nm在X射线双晶衍射回摆曲线中，除了“0”级衍射峰外，还观察到一级和二级卫星峰.“0”级双晶衍射峰的半高宽为12.56弧秒(″)，衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.79″.“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近，表明晶格具有很高的完整性.实验结果表明腔模波长为837.2 nm，腔模波长与PL谱峰值波长相匹配.  

新型垂直腔面发射半导体激光器阵列

设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的方法,实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉格反射镜(DBR)两次较浅的质子注入形成高电阻区域实现对阵列中单元器件间的隔离,另一方面通过再次的两次较深度的可以达到有源区上表面的质子注入形成高电阻区域实现对单元器件注入电流的限制。由瞬态热传导方程对阵列中单元器件间的热相互作用进行了理论分析。采用四次质子注入工艺实现了2×2、3×3简单的二维GaAs/A lGaAs量子阱VCSEL阵列,并对器件的激射近场、光谱特性及功率等进行了测量。  

Design and numerical simulation of novel DBRs

In this paper, a numerical simulation of the traditional graded distributed Bragg reflector (DBR) and a design of the novel DBR with short period superlattices (SPSs DBR) used by vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) are reported. First, the optical characteristic matrix of the graded DBRs is derived using the theories of thin film optics. Second, its reflective spectrum is numerical simulated and it is found that the simulative results are similar with the experimental data. The difference of the cavity mode position between the experimental and simulative data is discussed. Finally, based on the simulative results of graded DBR, a novel DBR with 4.5-pair GaAs/AlAs SPSs is designed, and its reflective spectrum is numerical simulated and analyzed.  

由阴、阳极电压及入射光强及频率确定光电流

根据费米-狄拉克统计,本文推导出了一个光电效应中光电流作为阴、阳极电压的函数关系.应用本文所提供的函数所得计算结果同实验结果非常好地符合.其次,建立了入射光强对光电流贡献的数学表现,最后,从数学上得到了入射光频率与光电流的关系,从而能够预测光电流.  

半导体超常媒质矩形谐振腔

 设计并研究了两个有不同各向异性参数的半导体超常媒质矩形谐振腔，其中填充了部分右手半导体超常媒质和部分左手半导体超常媒质。通过作图法研究了充满非色散的右手半导体超常媒质和色散的左手半导体超常媒质的谐振腔中谐振模式的解。结果显示，谐振腔的谐振模式取决于半导体超常媒质的色散关系。讨论了每种谐振腔中包含的六种情况，分别表示两个区域的传播常数为实数和虚数的不同的组合，并且揭示了构建具有无相差特性的谐振腔的几何参数要求。  

基于“邻近有效激发模型”计算透射面次级X射线强度

分析了实验所得低能γ光子及X射线在Fe和Cu箔透射面产生的次级特征X射线强度测量结果,由此建立起“邻近有效激发模型”。该模型所得结果与实验值在一定范围内相当好地符合。  

综合指数法在评价物理实验室运行效率中的应用

综合指数法是多目标评价中一种常用的评价方法,本文根据物理实验室的特点,通过构建运行效率的评价模型指标体系,利用综合指数法对物理实验室的运行效率进行了综合评价.  

SpaceWire冗余网络故障检测恢复技术实现

为提高SapceWire网络可靠性,基于SpaceWire-D提出了一种应用于SpaceWire冗余网络的故障检测恢复技术。网络节点通过比较主、备份端口收到的时间码来判断链路故障状态,在确认主链路发生故障后,节点自动启用备份端口工作。通过引入时间码抖动容限参数,提高了节点对故障判断的准确性,避免了故障误判。测试结果表明,即使故障链路未与节点直接连接,节点也能够在一个时间槽长度内检测到链路故障并自动切换至备份链路。此技术保证了网络故障情况下的数据正确传输,提高了SpaceWire网络的可靠性,是一种稳定可靠的故障检测恢复技术。  

微波段左手材料光子晶体带隙特性研究

利用电磁理论和传输矩阵法仿真得到了在0.3～6.935GHz微波波段具有负折射率的左手材料,并分别对右手材料和左手材料构成的光子晶体带隙特点进行了分析.结果表明:右手材料光子晶体结构的带隙对周期数变化不敏感,而对层厚度比、入射角度变化敏感;左手材料光子晶体带隙随层厚度比的增大,带隙位置出现蓝移,随着入射角度的增大,TM波主带隙的上带边会出现红移,而TE波带隙特性对入射角度变化不敏感.研究结果对微波技术中全方位反射器等器件的设计有一定的参考意义.