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一维光子晶体的缺陷模特性研究   总被引:28,自引:17,他引:11       下载免费PDF全文
利用传输矩阵法研究了缺陷层有吸收的一维光子晶体的带隙结构,在中心波长附近利用泰勒展开式的一级近似得到了缺陷模的高度和半峰全宽的计算公式.研究发现,消光系数、介质周期数和缺陷层厚度对缺陷模高度的影响较大,它们的增大均使缺陷模高度快速下降;而对半峰全宽的影响主要取决于介质的周期数,随周期数的增大缺陷模快速变窄.  相似文献
2.
分光计测定光栅常数   总被引:2,自引:1,他引:1  
针对分光计测定光栅常数实验中入射光线偏离光栅法线的情形,提出了计算光栅常数的一个近似表达式。在不增加额外测量的前提下,使实验结果更接近于实际值。  相似文献
3.
以简单二维正方排列的光子品体为例,计算分析了完全禁带随介质填充率和介质折射率比变化出现的条件和规律,结果显示对两者同时进行调谐是获取完全禁带的最佳途径,选取晶格常数为0.7 μm,介质填充率0.5,介质折射率比为4时,在光子晶体中引人线缺陷后,对处于完全禁带中的波长为1.55μm的光显示良好的导波特性.  相似文献
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