On the existence and stability of periodic solutions for hopfield neural network equations with delay

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎｔｈｅｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓ,ｗｉｔｈａｌｏｔｏｆａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆｎｅｕｒａｌｎｅｔｗｏｒｋｍｏｄｅｌｓ,ｍａｎｙａｕｔｈｏｒｓ［１～３］ａｒｅｉｎｔｅｒｅｓｔｅｄｉｎｔｈｅｒｅｓｅａｒｃｈｏｆｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｆｏｒｔｈｅｓｅｎｅｔｗｏｒｋｓ．ＢｅｃａｕｓｅＨｏｐｆｉｅｌｄｎｅｕｒａｌｎｅｔｗｏｒｋｗｅｌｌｓｉｍｕｌａｔｅｔｈｅｅｃｏｌｏｇｉｃａｌｓｙｓｔｅｍ,ｍａｎｙｓｔｕｄｉｅｓａｒｅｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅｄｏｎｔｈ…     

ON THE EXISTENCE AND STABILITY OF SOLUTION FOR SEMI－HOMOGENEOUS BOUNDARY VALUE PROBLEM

ＯＮＴＨＥＥＸＩＳＴＥＮＣＥＡＮＤＳＴＡＢＩＬＩＴＹＯＦＳＯＬＵＴＩＯＮＦＯＲＳＥＭＩ－ＨＯＭＯＧＥＮＥＯＵＳＢＯＵＮＤＡＲＹＶＡＬＵＥＰＲＯＢＬＥＭＤｏｎｇＱｉｎｘｉ（董勤喜）；ＨｕａｎｇＸｉａｎｋａｉ（黄先开）（ＲｅｃｅｉｖｅｄＪｕｌｙ．４．１９...     

锌磷酸盐玻璃掺杂VO~(2+)吸收光谱和EPR谱研究

3d1离子(如VO2+,V4+)是一类非常重要的离子,其掺杂电子顺磁共振谱已有大量的研究,积累了丰富的实验数据。利用3d1离子在四角压缩八面体对称中EPR参量的高阶微扰公式,计算了锌磷酸盐玻璃晶体中掺杂VO2+的EPR参量(g因子g‖,g⊥和超精细结构常数A‖,A⊥)和光吸收谱。由于锌磷酸盐玻璃晶体中掺杂VO2+中配体O2-的自旋-轨道耦合参量ζ0p(≈150cm-1)与中心过渡金属3d1离子V4+的ζ0d(≈248cm-1)相差不太大,故来自配体的自旋-轨道耦合参量ζ0p对EPR参量和光吸收谱的贡献必须予以考虑。采用重叠模型建立了杂质中心结构参数与电子顺磁共振(EPR)参量以及光吸收谱之间的定量关系;通过拟合锌磷酸盐玻璃中V4+中心的EPR参量和光吸收谱理论与试验符合,获得了杂质中心[VO6]8-基团的局域结构;研究发现,[VO6]8-基团的平行和垂直于C4轴的键长分别为:R‖≈0.175nm,R⊥≈0.197nm,即[VO6]8-基团的局域结构为沿C4轴方向呈压缩的八面体结构;所得EPR参量和光吸收谱的理论值与实验符合很好,并对上述结果的合理性进行了讨论。这说明微扰法可以用来研究材料中掺杂3d1过渡金属离子的EPR参量和光吸收谱。此外,对超精细结构常数(A‖和A⊥)的研究发现,较大的芯区极化常数κ值说明VO2+中未配对的s电子对超精细结构常数有较大的贡献。     

共振下n维Lienard型方程的2π周期解

本文在跨共振点条件下证明n维Lienard型方程存在2π周期解.     

关于某些三阶方程周期解的存在性,唯一性与稳定性

本文提出B-稳定性的概念,并在非耗散性条件下证明了某些三阶微分方程存在唯一的B-稳定周期解,同时,在耗散性条件下得到一类三阶方程存在平稳振荡的结论。为了方便起见,约定本文所涉及到的函数都是连续的,必要时尚假定是连续可微的。定义一个微分方程的某一解如果在有界解集上是稳定的,但在Liapunov意义下不稳定,则称此解是B-稳定的。     

温度和电流对白光LED发光效率的影响

对大功率白光LED发光效率进行了研究,得出温度和电流对LED发光效率的影响:随着温度的升高,势阱中辐射复合几率降低,从而降低了发光效率;电流的升高,使更多的非平衡载流子穿过势垒,降低了发光效率。LED工作时,过高的工作温度或者过大的工作电流都会产生明显的光衰:如果LED工作温度超过芯片的承载温度,这将会使LED的发光效率快速降低,产生明显的光衰,并且对LED造成永久性破坏;如果LED的工作电流超过芯片的饱和电流,也会使LED发光效率快速降低,产生明显的光衰。并且LED所能承载的温度与饱和电流有一定关系,散热良好的装置可以使LED工作温度相对降低些,饱和电流也可以更大,LED也就可以在相对较大的电流下工作。     

高阶非保守系统的周期解的存在性与唯一性

本文主要研究一类高阶向量微分方程的周期解问题,在允许与共振点接触甚至跨共振点的条件下证明了其周期解的存在性。     

半齐次边值问题解的存在性与稳定性

本文讨论两类半齐次边值问题的可解性及解的稳定性，推广了文献〔１－２〕中的有关结果，并得到了若干新的判别准则。     

电荷补偿剂对YAG:Ce荧光粉效率的影响

在研制传统的YAG:Ce3 荧光粉过程中引入NH4F作为助熔剂,BaF2和MgF2作为电荷补偿剂,使得荧光粉的性能得到有效的改善。助熔剂的引入使YAG:Ce3 荧光粉的合成温度由原来的1600℃降低到1340℃左右,这对于降低生产成本有着十分重要的意义。引入BaF2和MgF2作为电荷补偿剂,荧光粉的发光强度得到有效的提高。尤其是引入MgF2后,光致发光强度提高了42%。从XRD谱可以看出,Mg和Ba进入晶格取代了Y。通过对晶格常数的计算,发现Mg的引入可以部分补偿Ce3 掺杂带来的晶格增大。同时电荷补偿剂的引入使荧光粉达到电荷平衡:2AYYx→2Mg′Y→VO¨、2YYx→2Ba′Y V¨O减少了烧制过程中产生的氧空位缺陷的影响,从而减少了由于氧空位带来的无辐射跃迁。另外,以杂质离子的半径和原子的电负性为出发点,对发射光谱的峰位相对移动作了定性的解释。