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1.
X射线荧光光谱检测多层薄膜样品的增强效应研究   总被引:4,自引:4,他引:0  
研究了X射线荧光光谱检测多层薄膜样品的增强效应.根据多层膜中的X荧光强度理论计算公式编写了计算机程序,并计算了Zn/Fe和Fe/Zn双层膜样品中不同薄膜厚度时Fe Kα的一次荧光强度、二次荧光强度、二次荧光与一次荧光强度比以及二次荧光在总荧光强度中比例.研究发现,在多层膜样品的X射线荧光分析中,激发条件不变的情况下,元素谱线的一次荧光相对强度、二次荧光相对强度和二次荧光在总荧光强度中所占比例都随薄膜厚度及位置的变化而变化.当Fe和Zn层厚度相同时,随厚度的变化,对于Fe/Zn样品,Fe Kα二次荧光强度占总荧光强度最高为9%,而对于Zn/Fe样品这一比例最高可达35%.  相似文献   
2.
用X射线荧光光谱法测定了Fe基上Zn镀层的质量厚度;研究了厚度不同时选用不同谱线计算对测定结果的影响,发现在镀层质量厚度较小时(约〈14mg/cm^2)测量Zn元素的Kα线,质量厚度较大时选择Zn的Kα和Fe的Kα线共同计算,用纯元素和相似标样校正测定结果之间的偏差最小;用纯元素作校正标样测定了3个标准样品的Zn镀层质量厚度,计算结果与标准值符舍得较好。  相似文献   
3.
X射线荧光光谱法表征薄膜进展   总被引:12,自引:3,他引:9  
X射线荧光光谱法表征薄膜样品以其能同时测定样品的组分和厚度等优点,目前在国内外的研究和应用越来越广泛和深入.文章通过从荧光强度理论计算、基体效应和校正方法、分析误差来源及消除、定量分析软件和实际分析应用等几个方面对X射线荧光光谱法表征薄膜样品的研究作了评述.鉴于薄膜样品制备相似标样比较困难,而基本参数法采用非相似标样表征薄膜的准确度较高,因此基本参数法校正薄膜样品的应用比较广泛.重点介绍了基本参数法的荧光强度理论计算公式的发展、计算误差来源以及分析软件应用.展望了X射线荧光光谱法表征薄膜样品的应用前景和发展方向.  相似文献   
4.
研究了以242Pu为稀释剂时,电感耦合等离子质谱(ICP-MS)定量分析237 Np的理论可行性。研究结果表明:237 Np和242Pu灵敏度的差异主要是由两者电离度的差异和质量歧视效应引起的。在等离子体温度为7 000~10 000K和样品提升率为50~1 000μL/mL时,经过质量岐视校正后,237 Np和242Pu灵敏度的差异只在于两者电离度的差异,且两者相对差异<1%。以242Pu为稀释剂ICP-MS定量分析237 Np的方法在理论上是可行的。  相似文献   
5.
ICP-MS测量环境样品中铀的非质谱干扰内标校正研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
内标的合理应用直接关系到测量结果的可靠性,通过外标与内标校正相结合的方法,实验研究了Y,Rh,In,Tb,Yb,Tl,Bi,Re作为内标对ICP-MS测量铀的非质谱干扰的校正效果。对于非抑制/增强基体效应,各内标元素校正结果明显优于无内标校正结果,高质量数内标元素Tb,Yb,Re,Tl,Bi可获得较好的校正效果,校正偏差优于5%,其中以Tl为最佳;对于盐度较高的样品溶液,由于基体对待测元素和内标元素产生了明显不同的抑制/增强效应,因此各内标校正结果均不理想,这表明内标对可溶性固体引起的抑制/增强效应的校正能力有限。在铀的测量中,对于含盐度在300~500μg/mL的样品,内标校正造成的偏差可达到5%~10%;对于盐度在500μg/mL以上的样品,内标校正造成的偏差很可能超过10%或者更高。  相似文献   
6.
环境样品中239 Pu的含量非常低,即使经过基体放化分离,238 UH+复合离子对239 Pu的干扰仍然很严重,直接扣除干扰谱线信号对分析结果的准确度影响较大。从仪器物理测量的角度研究了降低238 UH+复合离子产率的方法,包括进样系统、激发系统和离子界面层。研究结果表明,膜去溶装置可降低238 UH+复合离子产率一个数量级以上。射频功率对238 UH+复合离子的产率有一定的影响。在雾化气流速最佳的条件下,238 UH+复合离子产率达到最小值。Xs锥测量238 UH+复合离子产率的结果相对采用Xt锥的测量结果略低一些。  相似文献   
7.
采用一组熔融片样品研究了由不同的X光管激发电位和不同的X光管靶材(Cr靶和Rh靶)所导致的入射X射线能量及强度分布变化对3种散射效应增强荧光强度的影响规律.研究的散射增强包括相干散射激发的荧光强度、非相干散射激发的荧光强度以及其他方向的一次荧光被散射进探测方向的强度.研究结果表明,对于采用的熔融片,相干散射效应和一次荧光被散射进探测器方向增强效应对荧光强度的贡献随X光管激发电位增大而减小,用Cr靶原级谱激发比用Rh靶原级谱激发贡献大;而非相干散射效应对荧光强度的贡献则随X光管激发电位增大而增大,用Rh靶原级谱激发比用Cr靶原级谱激发贡献大;3种散射效应对荧光强度的总贡献随X光管激发电位增大而增大,在Rh靶原级谱激发条件下比用Cr靶原级谱激发贡献大.  相似文献   
8.
X射线荧光光谱中散射效应对荧光强度的贡献研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
采用理论计算和实验测定的方法研究了在纯元素样品、BaB二元样品及熔融片样品中三种散射效应对荧光强度的贡献(包括相干散射X射线激发的荧光强度、非相干散射X射线激发的荧光强度以及其他方向的一次荧光X射线被散射进探测方向的强度)大小及其变化规律.研究结果表明,三种散射效应对荧光强度的贡献大小与所研究元素原子特征谱线的能量及样品的基体有关,元素原子的特征谱线能量越高,散射效应对荧光强度的贡献越大;轻基体样品中散射效应对荧光的贡献比重基体样品大.实验证明,将散射效应包括在基本参数法的理论计算中可以有效地提高理论计算的准确度.  相似文献   
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