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研究了NiSi金属栅的各种电学特性及其热稳定性，提出一个物理模型用于解释当形成温度大于500 ℃时NiSi功函数随退火温度升高而增大的现象.测量了不同退火温度形成的NiSi材料的方块电阻，当退火温度大于400 ℃时，方块电阻达到最小，并在400—600 ℃范围内稳定.比较各种温度下形成的NiSi材料X射线衍射谱的变化，说明温度在400—600 ℃范围内NiSi相为最主要的成分.制备了以NiSi为金属栅的金属氧化物半导体电容.通过等效氧化层电荷密度及击穿电场Ebd的分布研
关键词：
金属栅
NiSi
炉退火
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