19F+93Nb耗散反应产物不重复截面的分析

完成了¹⁹F+⁹³Nb耗散反应产物激发函数的两次独立测量,入射束流的能量从102MeV到108MeV,步长250keV.实验结果在一些相同能量点两次测量的截面不能重复.分析表明:能量自关联函数的离散程度大约相当于随机计数率引起的离散程度的3倍;激发函数曲线相对于能量平均本底的几率分布,有大约21髎超出了标准高斯分布宽度的3倍;两次测量得到的截面之差的几率分布大约有18髎也超出了标准高斯分布宽度的3倍.可见,两次测量的¹⁹F+⁹³Nb耗散反应产物激发函数的截面不重复性具有明确的统计意义,其来源不是计数率的随机涨落.     

19F+93Nb耗散反应产物激发函数中截面测量的不重复性

完成了¹⁹F+⁹³Nb重离子耗散碰撞激发函数的两次独立测量.束流的入射能量为100—108MeV,步长250keV.两次测量的宏观条件几乎完全一样,惟一的差别是使用了厚度分别为70和71μg/cm²的两块⁹³Nb同位素靶.实验结果表明:(1)两次测量所得到的耗散反应产物激发函数的涨落具有不可平滑的结构;(2)这种不平滑的涨落截面有不重复的迹象.着重从实验的角度对这一结果进行了讨论.     

19F+93Nb耗散反应的相互作用时间

测量了¹⁹F+⁹³Nb耗散反应产物的激发函数与角分布.从角分布的斜率提取的该反应系统的平均寿命在对称性较大的入射系统中反映了系统中耗散产物的特征时间;通过能量自关联函数方法从激发函数提取的反应时间不论在对称的还是在非对称的入射系统中都反映了耗散产物的特征时间.能量自关联函数还可以给出双核系统的转动角速度以及表征转动阻尼的退相干宽度,更好地描述双核系统随时间的整个演化过程.     

16O+94Zr和16O+116Sn的弹性散射角分布测量

用北京Q3D磁谱仪及其重离子焦面探测器系统测量了两个体系的14个弹性散射角分布,即¹⁶O+⁹⁴Zr体系在52,57,59,62,72,82和92MeV 7个能量点及¹⁶O+¹¹⁶Sn体系在57,59,62,67,72,82和92MeV 7个能量点的弹性散射角分布.用耦合道理论的ECIS计算程序拟合数据,初步观察到了“阈反常”现象.     

Statistical Significance of Non-Reproducibility of Cross Sections in Dissipative Reactions

Two independent excitation function measurements have been performed in the reaction system of ^19F ^93Nb using two target foils of the same nominal thickness. We measured the dissipative reaction products at incident energies of 102 through 108 MeV with a step of 250ke V. The variance of energy autocorrelation functions of the reaction products was found to be three times of that originated from the randomized counting rates. By analysing the probability distributions of the deviations in the measured cross sections, we found that about 20% of all the deviations exceeds three standard deviations. This indicates that the non-reproduclbility of the cross sections in the two independent measurements is of a statistical significance but not originated from randomized fluctuation of counting rates.     

Defects in GaN Films Grown on Si（111） Substrates by Metal-Organic Chemical Vapour Deposition

We report the transmission-electron microscopy study of the defects in wurtzitic GaN films grown on Si(111) substrates with AlN buffer layers by the metal-organic chemical vapour deposition method. The In0.1 Ga0.9N/GaN multiple quantum well (MQW) reduced the dislocation density by obstructing the mixed and screw dislocations passing through the MQW. No evident reduction of the edge dislocations density by the MQW was observed. It was found that dislocations with screw component can be located at the boundaries of sub-grains slightly in-plane misoriented.     

高分辨的弹性反冲探测分析技术

在中国原子能科学研究院HI－13串列加速器上建立了一套高分辨的弹性反冲探测分析技术,用高质量的127I重离子束轰击薄膜或块材靶样品,利用Q3D磁谱仪及其焦面探测器和纵向型双向型双电离室ΔE－E望远镜探测器两套探测系统,在前角区测量了靶中各种元素的反冲能谱,利用卢瑟福散射截离子在靶材料中的阻止本领,将能谱转换成元素的深度分布,利用Q3D磁谱仪系统,对C和H等轻元素的分析得到纳米级的深度分频谱,用ΔE－E望远镜探测器可同时得到靶材料上从轻至中重各种元素的深度分布,其深度分辨率达0－30nm。     

19F+93Nb重离子耗散碰撞中截面测量的不可重复性

完成了¹⁹F+⁹³Nb重离子耗散碰撞激发函数的两次独立测量.束流¹⁹F⁸⁺的入射能量100—108MeV,能量步长250keV;两次测量中分别使用了厚度为70和71μg/cm²的⁹³Nb靶,其它宏观实验条件(例如,入射能量及能量步长,探测器及其探测角度,加速器、电子学以及数据获取系统的参数选取等等)则保持完全相同.实验结果表明,两次测量所得到的耗散产物截面的激发函数的不平滑结构具有不可重复性.这一实验结果支持了最近提出的理论预言:“在复杂量子碰撞中存在对初始条件的极端敏感性与混沌运动.”     

H,He对Ti_3SiC_2材料力学性能影响的第一性原理研究

层状三元化合物Ti_3SiC_2兼具陶瓷与金属的优良性能而得到诸多研究领域的关注.本工作采用第一性原理密度泛函理论研究了氢、氦对该材料解理断裂行为的影响,以期探讨Ti_3SiC_2作为核应用材料的可行性.结果表明Si—Ti相对较弱的化学键使之相应的原子层间成为解理断裂面.氢与氦都易在此原子层间聚集.氦的聚集严重降低材料的解理断裂临界应力促使材料的断裂,而氢则对该临界应力影响不大.两者的差异源于这两类原子与材料中晶体原子相异的电子杂化行为.