基于双核Cu（II）-M（II）[M=Pb和Cu]单元的氰基桥联配合物的合成、晶体结构和磁性研究

四个氰基桥联的杂金属配合物{[CuPb（L^1）][FeⅢ（bpb）（CN）2]）2·（C104）2·2H20·2CH3CN（1）,{[CuPb（L^1）]2·[FeⅡ（CN）6]（H20）2J·10H20（2）,{[Cu2（L^2）][FeⅢ（bpb）（CN）2]2}·2H20·2CH30H（3）和{[Cu2（L^2）]3[FeⅢ（CN）612（H20）2}·10H20（4）是通过K[FeⅢ（bpb）（CN）2][bpb=1,2-双（吡啶-2-羧酰氨基）苯二价阴离子]和K3[FeⅢ（cN）】6与双核大环席夫碱化合物[CuPb（L^1）]·（C104）2或[Cu2（L^2）]·（C1O4）2．H2L^1配体是由2,6-二甲基对甲基苯酚、乙二胺和乙二烯三乙胺以1：1：1摩尔比缩合得到,而H2L。配体是由2,6-二甲基对甲基苯酚和丙二胺以1：1摩尔比缩合得到．单晶X射线衍射分析揭示了化合物1是一个由[FeⅢ（bpb）（CN）2r阴离子[CuPb（L^1）]^2＋阳离子交替排列形成的环状杂三金属分子结构．化合物2是一个[Fe（CN）6]^4-离子和两个[CU2L^2]^2＋阳离子构成的哑铃型五核分子结构,该单元通过分子间氢键形成了二维超分子结构．双杂金属配合物3是一个由中心对称的[Cu2（L^2）]^2＋部分与两个含有氰基的fFeⅢ（bpb）（CN）2r离子构筑四核分子．八核化合物4是由两个[Fe（CN）。]3一离子连接了三个[Cu2（L^2）]^2＋离子构筑而成．磁性调查揭示了化合物1、3和4都表现出整体的反铁磁行为．     

有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响

用平面波展开法对GaN/Al_xGa_1-xN球形量子点中类氢杂质态能级随量子点半径、Al组分以及结合能随Al组分的变化规律进行了详细讨论.计算了量子点内外有效质量差异对杂质态能级和结合能的修正,结果表明对于Al组分较高的GaN/Al_xGa_1-xN球形量子点,电子有效质量差异对杂质能级和结合能的修正不能忽略.考虑电子有效质量差异后,进一步具体计算了杂质结合能随量子点半 关键词： 球形量子点 平面波展开法 有效质量     

高能反应末态强子产率的普适质量关系

最近实验上发现高能粒子反应末态强子多重数与其质量之间满足简单普适经验公式.计算了e⁺e^－湮没与pp(p)反应过程的直生介子与重子多重数,与经验公式中的参数完全一致.对经验公式中与反应能量有关的参数给出合理解释,并讨论了质量普适关系的原因.     

高能e+e－湮没强子多重数的质量关系

利用一个描述强子质量谱成功的夸克模型确定出得到的强子多重数普适质量关系〈n〉=aexp(–bm)中的参数b,发现对于介子、重子是一个普适的常数.利用这个质量公式给出计算各种粒子多重数的表达式,进而以高能e⁺e^－湮没为例计算出各种粒子多重数与实验以及其他模型做了比较,表明这个没有任何假定的质量关系同样能够解释实验.     

金属Cu低指数表面熔化行为的分子动力学模

采用Mishin镶嵌原子势, 通过分子动力学方法模拟了金属Cu的低指数表面在不同温度的表面熔化行为, 分析了熔化过程中系统结构组态的变化以及固-液界面迁移情况. 金属Cu的(100)和(110)表面在低于熔点发生预熔化, 而(111)表面存在明显的过热现象. 准液体层的厚度随温度升高而增加, 热稳定性与表面的密排顺序一致, 按(111)、(100)、(110)顺序增大. 当温度高于热力学熔点时, 固液界面的移动速度与温度成正比, 外推得到热力学熔点约为1360～1380 K, 与实验结果1358 K吻合良好. 动力学系数定义为界面移动速度与过热程度的比值, 表现为明显的各向异性: k100=39 cm•s−1•K−1, k110=29 cm•s−1•K−1, k111=20 cm•s−1•K−1. k100与k110之间的比例符合collision-limited理论, (111)密排面有与其它低指数表面不同的熔化方式.     

Efficiency enhancement of InGaN based blue light emitting diodes with InGaN/GaN multilayer barriers

The advantages of InGaN based light-emitting diodes with InGaN/GaN multilayer barriers are studied.It is found that the structure with InGaN/GaN multilayer barriers shows improved light output power,lower current leakage,and less efficiency droop over its conventional InGaN/GaN counterparts.Based on the numerical simulation and analysis,these improvements on the electrical and the optical characteristics are mainly attributed to the alleviation of the electrostatic field in the quantum wells(QWs) when the InGaN/GaN multilayer barriers are used.     

光学微透镜阵列成像质量预测和测量

为了研究微透镜阵列成像质量的影响因素,针对慢刀伺服加工和紫外（UV）光固化工艺制备的微透镜阵列,引入微透镜阵列镜片的误差,建立基于Zemax光学软件的光学微透镜阵列成像仿真模型,分析透镜单元的高度、曲率半径、入瞳直径等误差对微透镜阵列成像质量的影响。搭建光学测试平台对评价微透镜阵列成像性能的光学参数进行检测,包括各透镜单元的焦斑大小、位置误差及其焦距值,并利用点扩散函数（PSF）曲线的半峰全宽值对光场成像结果进行成像质量评价,测量得到微透镜阵列的焦距标准误差为0.12 mm。将测量结果与仿真结果相比,可得PSF曲线的半峰全宽值误差在12%左右,证明了仿真模型的准确性。利用仿真和实验的方法建立了微透镜阵列镜片误差与其光学成像质量之间的关系,这可为基于功能实现的光学微透镜阵列的超精密加工工艺提供理论基础和指导。     

漫谈半导体材料及异质结器件

半导体材料与器件在当代信息社会中扮演着核心角色,相关产品几乎渗透了人类生活的各个角落。文章简要回顾了半导体的研究历史,介绍了半导体材料与相关应用,阐述了半导体异质结器件的工作原理,并展示了半导体自旋电子学及低维窄禁带半导体纳米结构的研究现状与发展前景。     

Ultrafast Magnetization Precession in Perpendicularly Magnetized L1_0-MnAl Thin Films with Co_2 MnSi Buffer Layers

Perpendicularly magnetized L1₀-MnAl thin films with Co₂ MnSi bufer layers were prepared on GaAs(001) substrates by molecular-beam epitaxy(MBE).The samples with high crystalline quality show a maximum uniaxial perpendicular magnetic anisotropy constant of 1.4×10⁷ erg/cm³.Ultrafast spin dynamics with a magnetization precession frequency up to 200 GHz was investigated by using time-resolved magneto-optical Kerr effect(TRMOKE) measurements,from which the G...     

Unusual Anomalous Hall Effect in a Co_2MnSi/MnGa/Pt Trilayer

An ultra-thin Co₂MnSi(0.5 nm)/Mn Ga(1.5 nm) bilayer capped with Pt(5 nm) has been successfully grown by molecular-beam epitaxy.It is a potential candidate of synthetic antiferromagnets due to antiferromagnetic coupling between Co₂MnSi and MnGa,which is a promising skyrmion-racetrack-memory medium without skyrmion Hall effect after capping with a Pt layer.Unusual humps in transverse Hall resistance loops are clearly observed in the temperature range from 260 to 400 K.This an...