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在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶凝胶甩膜并经950℃真空(10-3Pa)热解处理法,制备出晶态SiC薄膜.用FTIR,XRD,TEM,RamanXPS等方法研究了SiC薄膜的晶体结构、微结构、组成以及各元素的化学态等性质.结果表明制得的是沿(0001)高度择优取向的晶态6H-SiC薄膜.膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长,其最大尺寸约150nm,膜厚约为0.3μm,SiC中的Si/C比约为1.表层有少许污染C(CH和CO)和少量O(Si2O3,CO态氧和吸附氧).从对比实验可知,在热解时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量.
关键词:
碳化硅
薄膜
溶胶凝胶 相似文献
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在 10 5~ 30 0K温区内 ,测量了X射线激发下Ce3+ ∶LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖 (I T) ,在 2 37~30 0K温区内发光强度有特殊的增强结构 ,结合 10 5~ 30 0K温区内热释光的测量 ,证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致。通过对热释光曲线的进一步分析 ,得到深度分别为 0 5 1eV和 0 5 5eV的陷阱能级 ,这些陷阱主要源于Ce3 + 取代Sr2 + 所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F-空位以及Li+ 空位所形成的本征缺陷。 相似文献
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非晶氧化锆水合物红外研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用红外吸收光谱(IR)结合X射线衍射(XRD)、差热(DTA)和热失重分析(TG)详细研究了氧化锆前驱物(溶胶凝胶法制得的非晶态氧化锆水合物)的结构。实验结果表明在非晶态氧化锆水合物中有三种不同的近程结构。它表现为不同条件下制得的非晶氧化锆水合物的红外吸收谱在1700~1200cm-1水和羟基的弯曲振动吸收区出现1633、1551、1400和1340cm-1四个不同的羟基吸收峰。这表明样品中有三种不同近邻结构的羟基。根据实验结果我们提出了相应的非晶氧化锆水合物的近邻结构模型。造成这种结构差异的原因是制备过程中溶胶-凝胶反应的羟基浓度的不同。非晶态氧化锆水合物晶化后生成具有不同晶体结构的纳米氧化锆的主要原因是由于它们的不同近邻结构。 相似文献
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珊瑚水热转换羟基磷灰石中的影响因素 总被引:1,自引:0,他引:1
分别在不同的反应温度、不同的pH值、加矿化剂与否的条件下,将滨珊瑚水热转换为珊瑚羟基磷灰石.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分别对产物和中间产物的物相和微结构进行了分析.发现不同条件下存在有不同的反应路径.考察了反应温度、pH值和矿化剂对珊瑚水热反应的影响. 相似文献
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SiC films were prepared by pulsed XeCl laser ablation of ceramic SiC target on Si(100) substrate at temperature 850℃ and post-deposition high temperature annealing above 1100℃ (1100℃-7 Pa). The surface morphology, crystal structure, composition and chemical state of the element in the films before and after annealing were studied by X-ray diffraction, transmission electron microscopy, scanning electron microscopy, Auger electron Spectrum, X-ray photoelectron spectrum and photoluminescence methods. It was found that the films were consisted of polycrystal 4H-SiC structure before annealing and were turned into singlecrystal epitaxial 4H-SiC after annealing. The surfaces of the films were smooth and the adhesion of films with the substrate was good. The films were transparent. Excited by the laser with wavelength 290 nm at room temperature, the films emitted two luminescence bands with the peaks at 377 nm and 560 nm. The emission at 377 nm was attributed to the combination of the transmission among the valence and conductor bands, while the one at 560 nm was possibly to be from exciton emission. 相似文献
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