首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   23篇
  免费   33篇
  国内免费   4篇
化学   1篇
综合类   2篇
数学   12篇
物理学   45篇
  2021年   1篇
  2014年   2篇
  2012年   2篇
  2011年   5篇
  2010年   2篇
  2009年   4篇
  2008年   4篇
  2007年   4篇
  2006年   4篇
  2005年   3篇
  2004年   3篇
  2003年   3篇
  2002年   4篇
  2001年   4篇
  2000年   5篇
  1998年   1篇
  1997年   3篇
  1996年   1篇
  1995年   1篇
  1994年   2篇
  1993年   2篇
排序方式: 共有60条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
固相萃取-高效液相色谱-串联质谱法检测香辛料中罗丹明B   总被引:1,自引:0,他引:1  
尹峰  丁召伟  杨志坚 《色谱》2012,30(7):672-676
建立了香辛料中罗丹明B的固相萃取-高效液相色谱-串联质谱分析方法。样品经乙腈提取后离心,在提取液中加入10 mL 1%三氯乙酸溶液后,用Bond Elut Plexa PCX强阳离子固相萃取柱净化、富集,Pursuit C18色谱柱(100 mm×2.0 mm, 3 μm)分离,以0.1%甲酸水和甲醇为流动相梯度洗脱,电喷雾电离正离子模式下多反应监测(MRM)模式进行定性、定量检测。结果表明,在0.6~6 μg/L范围内的线性相关系数R2>0.99;方法的定量限为1.2 μg/kg;添加量分别为1.197、2.992及5.985 μg/L时的加标回收率为80%~121%,相对标准偏差<15%。同时对流动相的洗脱梯度、提取溶剂、固相萃取柱等条件进行了优化。该方法的专属性较强,基质效应较小,可用于固体香辛料产品中罗丹明B的定性、定量分析。  相似文献   
2.
We report on the growth and fabrication of nonpolar a-plane light emitting diodes with an in-situ SiNx interlayer grown between the undoped a-plane GaN buffer and Si-doped GaN layer. X-ray diffraction shows that the crystalline quality of the GaN buffer layer is greatly improved with the introduction of the SiNx interlayer. The electrical properties are also improved. For example, electron mobility and sheet resistance are reduced from high resistance to 31.6 cm2/(V·s) and 460 Ω/口 respectively. Owing to the significant effect of the SiNx interlayer, a-plane LEDs are realized. Electroluminescence of a nonpolar a-plane light-emitting diode with a wavelength of 488nm is demonstrated. The emission peak remains constant when the injection current increases to over 20 mA.  相似文献   
3.
InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源.  相似文献   
4.
X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
氮化物研究在90年代取得显著进步,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管.由于氮化镓与衬底(如:蓝宝石,碳花硅)间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配,外延膜中有非常高的位错密度.研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度.Ф扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构.计算出螺位错密度为:2.93×109cm-2和刃位错密度为:5.25×1010cm-2.  相似文献   
5.
InGaN蓝光与CdTe纳米晶基白光LED   总被引:1,自引:1,他引:0  
报道了倒装焊InGaN蓝光LED与黄光CdTe纳米晶的复合结构。利用蓝光作为CdTe纳米晶的激发源,通过光的下转换机制,将部分蓝光转化为黄光,复合发射出白光。室温下正向驱动电流为10mA时,发光色品坐标为x=0.29,y=0.30。实验表明,该复合结构白光LED的一大优点在于,复合光的色品坐标几乎不随正向驱动电流大小变化,颜色稳定。  相似文献   
6.
GaN-based laser diodes (LDs) with 399 nm wavelength are grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD). Electroluminescence spectra of the fabricated LDs show that the LDs from some grown wafers failed to emit laser. The SEM and XRD results show the similar surface morphology and interface qualities of multi quantum wells (MQWs) and super-lattices between LDs that succeed and fail to emit laser. However, the cathodoluminescence (CL) measurements reveal a kind of optical defect rather than structural defect in un-emitted LDs. Further depth-dependent CL imaging observation indicates that such optical defects originate from the MQWs to the surface of LDs as a non-irradiative recombination centre that should cause the failure of laser emitting of LDs.  相似文献   
7.
Non-polar a-plane (110) GaN films have been grown on r-plane (102) sapphire substrates by metal organic chemical vapour deposition. The influences of Ⅴ/Ⅲ ratio on the species diffusion anisotropy of a-plane GaN films were investigated by scanning electron microscopy, cathodoluminescence and high-resolution x-ray diffraction measurements. The anisotropy of a-plane GaN films may result from the different migration length of adatoms along two in-plane directions. Ⅴ/Ⅲ ratio has an effect on the growth rates of different facets and crystal quality. The stripe feature morphology was obviously observed in the film with a high V/III ratio because of the slow growth rate along the [100] direction. When the Ⅴ/Ⅲ ratio increased from 1000 to 6000, the in-plane crystal quality anisotropy was decreased due to the weakened predominance in migration length of gallium adatoms.  相似文献   
8.
在采用MOCVD技术生长的GaN膜上制备出MSM紫外光探测器,分别在室温下和94K低温下,测量了探测器对不同光波长的响应、同一光波长下对不同偏压的响应、不同斩波频率下的响应。结果表明,在94K下响应有了很大的改善。当光波长从360nm增加到450nm时,响应下降了3个数量级,而常温下只下降两个数量级,但探测器的时间响应常数变长了。  相似文献   
9.
研究一类非线性发展方程初边值问题整体弱解的存在性,渐近性和解的爆破问题,证明在关于非线性项的不同条件下,上述初边值问题分别在大初值和小初始能量的情况下存在整体弱解,并且讨论了弱解的渐近性。还证明:在相反的条件下,上述弱解在有限时刻爆破,并且给出了一个实例。  相似文献   
10.
一类三阶拟线性发展方程的整体解   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文研究一类三阶拟线性发展方程utt-Δut+ut=ni=1xiσi(uxi),(x,t)∈Ω×(0,T)的初边值问题,其中ΩRn(n≥1)为一有界域.证明了只要σi(s)∈C1,σ′i(s)(i=1,…,n)有界并且初始函数满足一定的条件,则上述问题存在唯一的整体弱解.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号