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以高活性、低熔点金属锂为还原剂,在惰性气氛保护下分别将一氧化硅和氧化亚锡还原为单质硅和锡。通过调节球磨参数并加入适量助磨剂有效抑制因金属锂熔化导致的物料结块现象,得到将纳米硅、锡颗粒均匀分散在含锂化合物基体中的二元储锂母体复合材料。通过该方法得到的复合材料中硅、锡颗粒粒径明显小于商品化的纳米硅和纳米锡,不仅能最大限度降低硅、锡颗粒的体积效应,避免纳米粉体的分散工序,且能大大降低材料的制备成本。交流阻抗和充放电循环测试显示,金属锡作为另一种储锂母体既能为复合材料提供部分可逆容量,也能有效降低活性物质颗粒之间 相似文献
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晶体中三阶有效非线性系数的计算方法 总被引:5,自引:2,他引:3
经过对x(3)ijkl的脚标进行简化压缩处理,首次得出了全部晶体点群共11种不同的X(3)im矩阵表达形式及Kleinman对称条件成立下的简化形式,给出了各类晶体中四波相互作用过程中X(3)^eff的计算方法。 相似文献
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GaMnN/GaN multilayers and conventional GaMnN single layers are grown by metal-organic chemical vapor deposition. Both kinds of samples show room-temperature ferromagnetism. After thermal annealing, the sample with GaMnN/GaN multilayer structure displays a larger coercivity and better thermal stability compared to the GaMnN single layer. The annealing effects on Vca related defects are observed from photoluminescenee measurements. Moreover, a different magnetic behavior is also found in the annealed GaMnN films grown on different (n-type GaN and p-type GaN) templates. These kinds of structure-dependent magnetic behaviors indicate that defects or carriers transformation introduced during annealing may have important effects on the electronic structure of Mn ions and on the ferromagnetism. Our work may be helpful for further understanding the origin of ferromagnetism in GaN-based diluted magnetic semiconductors. 相似文献
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向量式有限元基于牛顿运动定律,通过质点描述和向量分析来求解整体结构的动力响应。首先,给出了向量式有限元三角形薄膜单元的基本理论,进而针对薄膜结构的断裂和穿透破坏过程,提出相应解决方案。对于薄膜断裂问题,采用Mises应力状态变量达到失效应力限值作为断裂判据,通过质点分裂方式将相连单元的对应节点断开,并对分裂后的新质点进行状态更新来模拟其断裂过程;对于薄膜穿透问题,则同时结合碰撞和断裂过程模拟来实现。在此基础上,编制了薄膜结构的断裂和穿透求解计算程序,算例分析表明,程序可很好地完成薄膜结构的大变形大转动、断裂和穿透等不连续行为的模拟,验证了理论及程序的可靠性和有效性,体现了本文方法进行薄膜结构复杂不连续行为分析的优势。 相似文献
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以活化的天然石墨为碳源,采用固相辅助回流法成功合成了双相碳改性的Li2FeSiO4复合材料。采用XRD、SEM、HRTEM和Raman光谱分析了Li2FeSiO4/(C+G)复合材料的物相、形貌及其微观结构;并研究了活化石墨用量对Li2FeSiO4/(C+G)复合材料的电化学性能的影响。结果表明:活化石墨以石墨微晶和无定形碳的形态共存于Li2FeSiO4/(C+G)材料中,活化石墨用量为5%时所得样品的首次放电容量较高(170.3mAh·g-1),循环50次后其容量保持率为88.7%,表现出了良好的电化学性能。 相似文献
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以球形天然石墨为原料,柠檬酸为碳源,通过喷雾造粒及高温热处理得到了高容量石墨复合(G/C)负极材料。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)对样品物相和微观形貌进行表征,并通过恒流充放电及循环伏安(CV)研究了不同热处理温度对G/C材料电化学性能的影响。2900℃制得样品既具有石墨负极电压曲线特性,又可释放出远高于商品化石墨负极的比容量:首次循环活化后充电比容量为423mAh·g-1,100次循环后仍高达416mAh·g-1,容量保持率为98%。 相似文献
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