YVO4∶Sm3+红色发光材料的熔盐法合成与光谱性能

采用熔盐法合成了YVO4∶Sm3+红色发光材料. 用X射线粉末衍射对其结构进行表征, 证实样品为具有锆石结构的YVO4相; 测定了样品的激发与发射光谱; 分析了不同的掺杂浓度和烧结温度对样品发光强度的影响. 研究结果表明, 采用熔盐法合成的样品均可以产生Sm3+的特征发射, 但是与其它方法相比, 熔盐法合成样品位于647 nm处Sm3+的4G5/2-6H9/2发射明显得到加强, 从而使得样品发出明亮的红光, 而不是其它合成方法获得的橙色光. 当掺杂浓度为1%(摩尔分数)且在500 ℃下烧结5 h后, 熔盐法得到的YVO4∶Sm3+荧光粉的发光强度最大.     

气相外延GaN的拉曼散射

测量了在蓝宝石衬底上气相外延生长GaN的拉曼散射谱.除观察到已被确认的两个E2,一个A1(TO)和一个E1(TO)声于振动以外,在734±3cm-1处观察到一个散射峰且从实验上确认其为GaN的纵向光学声子模E1(LO).而且发现其强度与外延层晶体质量密切相关.A1(TO)和高频E2散射峰相对强度变化显示不同生长条件引起的外延层质量的变化.     

一个不等式及其推广和变式研究

首先介绍一个不等式,它能把一类不易求和的分式放缩为容易求和的分式,用它简捷地证明了《数学通报》问题2587及其推广,并探究给出这个不等式的一个变式及其推广.     

我怎样通过实验来贯徹共产主义道德教育的

化学教学大綱明确指出:化学是一門以实驗为根据的科学,因此教学中必須貫徹这种理論与实际相結合的原則,当然实驗本身就是以客观現象的观察为基礎,引導学生从感性認識到理性認識、从具体到抽象,認識週圍的物質世界來獲得正确的科学知識。同时,通过实驗,     

考虑风险规避的渠道选择策略:直营店vs加盟店

以两供应链渠道(直营店vs加盟店)选择策略为研究对象,考虑供应链间Stackelberg和Bertrand博弈,分别建立加盟店-加盟店、加盟店-直营店、直营店-加盟店、直营店-直营店四种博弈模型,分析风险规避程度、链间博弈次序、市场竞争强度对渠道选择均衡策略的影响.研究发现,区别于早期研究结果,1)在供应链间Stackelberg博弈下,对于领导者制造商来说,直营店渠道是其占优策略;但对于追随者制造商来说,采用直营店还是加盟店渠道,则取决于市场竞争强度、领导者制造商的渠道选择及风险规避程度;2)在供应链间Bertrand博弈下,当制造商风险规避程度较大时,都选择直营店渠道是两制造商的均衡策略,但在市场竞争较激烈时,选用直营店渠道让两制造商陷入囚徒困境.     

菲涅尔数字全息的脉冲响应

数字全息是用CCD记录全息图并用计算机数值重建全息像的一种全息新方法.在数字全息中,通过对不同记录参数下记录的全息图的数值处理,可以消除零级光和共轭光,从而将数字全息系统看作是一个线性系统.本文依据全息理论和付里叶频谱分析,对菲涅尔数字全息系统的脉冲响应和分辨本领进行了理论分析.结果表明,在矩形等间隔抽样的情形下,菲涅尔数字全息的脉冲响应是由CCD有限大小的孔径衍射斑调制的矩形函数;菲涅尔数字全息的分辨率由CCD的孔径尺寸决定;由于CCD像素具有一定的大小,使得点光源的像发生弥散.     

铌酸钾锂铁电薄膜的脉冲激光沉积与光学性能

以K2CO3、Li2CO3和Nb2O5为原料,采用固相反应法制备了铌酸钾锂陶瓷;以此为靶材,采用脉冲激光沉积技术在石英玻璃上沉积了铌酸钾锂薄膜,系统研究了沉积温度对铌酸钾锂薄膜组成与结构的影响.利用X射线衍射、拉曼光谱等测试手段对薄膜的结构进行表征,通过紫外一可见光分光光度计测试薄膜的光学透过率.结果表明:所制备的铌酸钾锂靶材结构致密;在衬底温度为700℃、氧分压10 Pa的条件下可以制备纯的铌酸钾锂薄膜,所得到的多晶薄膜呈(310)取向;光学性能测试显示所制备的铌酸钾锂薄膜在可见光范围内的光学透过率为90%左右.     

铁电液晶分子光学特性的模拟分析

利用计算机对铁电液晶分子的光学特性进行了模拟计算．分析了入射光和铁电液晶分子指向矢方向的相互关系。     

离子交换动力学的研究 Ⅰ.钴式树脂与氯化钙溶液交换的扩散机理

本文用三颈圆底烧瓶及比色法测定钻(Ⅱ)式交换树脂在不同浓度的氯化钙溶液中的交换扩散机理。在0.1N或较大时,粒子扩散控制速率。在0.02N或较小时,液膜扩散控制速率。在0.05N时,两种机理同时进行。交换速率随浓度的增加而增快至达一极限值。本法简便并足够准确。     

Modeling of 4H--SiC multi-floating-junction Schottky barrier diode

This paper develops a new and easy to implement analytical model for the specific on-resistance and electric field distribution along the critical path for 4H-SiC multi-floating junction Schottky barrier diode. Considering the charge compensation effects by the multilayer of buried opposite doped regions, it improves the breakdown voltage a lot in comparison with conventional one with the same on-resistance. The forward resistance of the floating junction Schottky barrier diode consists of several components and the electric field can be understood with superposition concept, both are consistent with MEDICI simulation results. Moreover, device parameters are optimized and the analyses show that in comparison with one layer floating junction, multilayer of floating junction layer is an effective way to increase the device performance when specific resistance and the breakdown voltage are traded off. The results show that the specific resistance increases 3.2 mΩ·cm 2 and breakdown voltage increases 422 V with an additional floating junction for the given structure.