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1.
S.Bernstein多项式在无穷区间上的推广   总被引:1,自引:0,他引:1  
设f(x)是定义在[0, ∞)上的函数.O.Szasz研究了 S.Bernstein多项式在无穷区间上的推广形式  相似文献   
2.
用等体积浸渍法制备了负载微量铂的稀土修饰的CO助燃剂,在固定床微反装置中考察了不同La2O3, CeO2和Pt的负载量对CO助燃剂催化活性和水热稳定性的影响.结果表明,单纯用微量铂修饰载体对其催化氧化活性无明显影响,因此有必要负载其他活性组分;对于稀土修饰的载体,随着活性组分铂负载量的增加,一氧化碳完全燃烧所需的温度大幅度下降,稀土的加入由于自身的催化氧化作用以及对活性组分铂晶粒烧结的阻抑作用,从而使助燃剂的的催化氧化性能得到了很大改善.研制的CO助燃剂具有较好的水热稳定性,可能是由于稀土对载体的修饰大大提高了助燃剂的水热稳定性.  相似文献   
3.
不确定性量化法与不确定性决策   总被引:8,自引:1,他引:7  
以不确定性信息的数学处理理论即不确定性数学理论为基础 ,阐述了专家意见的不确定性量化法 ,进而创立了不确定性决策模型 .最后通过举例 ,详细地演示了不确定性决策模型的建立过程 .  相似文献   
4.
吴华英  张鹤鸣  宋建军  胡辉勇 《物理学报》2011,60(9):97302-097302
本文基于量子机制建立了单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型,分析了隧穿电流与器件结构参数、偏置电压及应力的关系.仿真分析结果与单轴应变硅nMOSFET的实验结果符合较好,表明该模型可行.同时与具有相同条件的双轴应变硅nMOSFET的实验结果相比,隧穿电流更小,从而表明单轴应变硅器件更具有优势.该模型物理机理明确,不仅适用于单轴应变硅nMOSFET,只要将相关的参数置换,该模型也同样适用于单轴应变硅pMOSFETs. 关键词: 单轴应变 nMOSFET 栅隧穿电流 模型  相似文献   
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