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利用X 射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%, 36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn关键词:
磁控溅射
XRD
XAFS
xGe1-x稀磁半导体薄膜')" href="#">MnxGe1-x稀磁半导体薄膜 相似文献
2.
球磨辅助氧化还原法制备石墨烯 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用天然石墨作为原材料,采用改进的Hummers法制备氧化石墨(GO)。首先将氧化石墨在低能球磨机中球磨10 h,然后超声剥离得到氧化石墨烯。最后利用水合肼作为还原剂,通过磁力搅拌回流反应得到石墨烯。利用SEM,AFM,XRD,Raman,FTIR,TEM对所制备的石墨烯的形貌和结构进行表征。同时将经低能球磨制备的石墨烯与未经低能球磨制备的石墨烯进行比较,分析了在不同工艺条件下制备的石墨烯的效果。结果表明低能球磨有利于减薄氧化石墨,促进氧化石墨的剥离。并且有利于氧化石墨的还原,从而缩短回流还原反应时间,提高了制备石墨烯的效率。 相似文献
3.
利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子. 相似文献
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利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.
关键词:
xSi1-x磁性薄膜')" href="#">MnxSi1-x磁性薄膜
分子束外延
XRD
XANES 相似文献
7.
以大孔SiO2为载体,通过SnCl2/SbCl3的乙二醇溶液的浸渍,孔道内两步水解和高温煅烧等处理,制备出大尺寸大孔径的ATO/SiO2导电材料,用SEM﹑FTIR﹑XRD﹑XPS对其进行结构表征,用稳态极化和苯胺电化学聚合研究其电化学特性。结果表明,ATO以10nm尺寸的微粒形式均匀致密的负载在SiO2薄层上,电导率随ATO含量的增加而提高,负载三次后的体积电阻是18Ω·cm,比表面积达到77m2·g-1。ATO/SiO2大孔电极在酸性和中性条件下分别具有2.5和2.2V的析氧电位。SiO2/ATO电极在恒电流下可以使苯胺发生电氧化聚合,并在ATO表面覆盖上聚苯胺导电膜,循环伏安实验表明聚苯胺具有电活性,并且电信号随着电极润湿程度的增加而增加,表明大孔电极的高比表面积对电化学反应有促进作用。 相似文献
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