全硅MCM-41担载的加氢脱硫催化剂的TPR研究

用TRP技术研究了以全硅MCM-41(Si-MCM-41)和HNO3交换的全硅MCM-41(H-MCM-41)为载体制备的Ni-Mo、Co-Mo和Ni-W加氢脱硫(HDS)催化剂的还原性能，并以0．8(wt)％二苯并噻吩(DBT)的十氢萘溶液为模型化合物，在高压固定床反应器上考察了上述催化剂的加氢脱硫(HDS)反应性能。结果表明，Si-MCM-41经稀HNO3交换后，所担载的Ni-Mo和Ni-W催化剂还原性能、HDS活性和加氢活性有显著变化，但对Co-Mo催化剂影响不大。这说明在Ni-Mo／H-MCM-41和Ni-W／H-MCM-41中可能存在氢溢流现象，DBT的HDS活性与载体表面酸性和氢溢流有关。     

基于电热模型的SNSPD响应过程模拟与时间抖动分析

超导单光子探测器(SNSPD)具有高探测效率,低时间抖动、低暗计数率、高计数率等优点.文章通过对纳米线电热过程的建模,分析了纳米线的电热响应过程,探讨了负载电阻、偏置电流和动态电感对SNSPD响应时间的影响,结合蒙特卡洛方法来模拟研究了纳米线空间不均匀性对于SNSPD时间抖动的影响,结果表明随着纳米线空间不均匀性的增加,纳米线的时间抖动不断增加,并求出了典型的时间抖动约为7.73 ps.     

铁电单晶(KxNa1-x)0.4(SryBa1-y)0.8Nb2O6的光学性质和线性电光效应

本文介绍铁电单晶(K_xNa_1-x)_0.4(Sr_yBa_1-y)_0.8Nb₂O₆的光学性质和线性电光效应的测量。实验结果表明,这种晶体具有较大的光学双折射,透光范围由4000?到5.6μm。晶体具有低的线性电光调制的半波电压,其电光调制价值指数n₀³·γ_c高达730×10 关键词：     

M2B7-(M=Mg,Zn)团簇的双重芳香性促进Mg-Mg和Zn-Zn单键的形成

本文使用密度泛函理论设计了两个无需配体的具有Mg-Mg和Zn-Zn单键的团簇Mg₂B₇^-和Zn₂B₇^-. 这两种团簇的全局能量最低构型均以M₂²⁺(B₇^3-)的形式存在,其中M-M单键处于准平面六边形形状的B₇部分的上方. 化学键分析证实了这些团簇中Mg-Mg和Zn-Zn单键的存在,这些单键是在异常稳定的B₇^3-的驱动下生成的. 该B₇^3-部分同时具有σ和π双重芳香性. 计算得到Mg₂B₇^-和Zn₂B₇^-的垂直跃迁能分别为2.79 eV和2.94 eV.     

Pr3+在SBN晶体中的发光特性

通过测量Ｐｒ：ＳＢＮ晶体的吸收光谱和荧光光谱来确定Ｐｒ³⁺在ＳＢＮ晶体中的能级位置。由于Ｐｒ³⁺离子占据晶体中的不同格位而引起荧光带呈现双峰结构。测量荧光寿命随温度的变化关系，表明Ｐｒ³⁺在ＳＢＮ晶体中 ³Ｐ₀态的无辐射弛豫主要是 ³Ｐ₀→¹Ｄ₂多声子弛豫过程。 关键词：     

不良导体导热系数的测量与探讨

根据利用物体散热速率求传热速率的实验思想,给出了橡胶盘导热系数的实验结果。并对散热速率做了分析,给出了一个修正方案。     

Co SiO2颗粒膜的巨磁电阻效应

采用离子束溅射方法在玻璃基片上制备了一系列的Co－SiO\-2颗 粒膜样品,并对样品的巨磁电阻效应进行了研究.在Co35(SiO\-2)65(体积 百分比)颗粒膜样品中,观测到室温下近4%的巨磁电阻效应.研究了不同基片温度对巨磁电 阻效应的影响并发现,随着基片温度的升高样品的巨磁电阻效应下降.根据样品的电阻率温度关系曲线分析,在铁磁金属- 非磁绝缘介质颗粒膜中,除了电子自旋相关隧穿效应外, 可能还存在其他的导电机制. 关键词：     

掺杂钾钠铌酸锶钡光折变晶体的各向异性衍射

本文给出了关于光折变晶体各向异性衍射的二波耦合方程,还给出了三种分别掺Cu,Ce,Co的钨青铜结构系列单晶(厚度为0.6—0.8cm)钾钠铌酸锶钡(KNSBN)在He-Ne激光(λ=6328?)照射下产生的光致光栅衍射实验结果。根据二波耦合理论,解释了这三种光析变晶体的衍射图样分布。根据波矢图的分析得出结论:对于不同性(正或负)单轴晶体,只能存在一种各向异性衍射的圆环图样(e→o衍射或o→e衍射)。理论分析与实验基本符合。 关键词：     

Passively Q-switched Self-frequency Doubling NYAB laser with GaAs Saturable Absorber

By using a passive Q-switch with GaAs saturable absorber, the Q-switched self-frequency doubling NYAB laser at 0.531μm has been successfully realized. The pulse width and the single pulse energy are measured. The numerical solutions of the coupling wave rate equations are in agreement with the experimental results.     

GdCa4O(BO3)3:Yb晶体沿倍频方向的生长和自倍频性质

本文首次报道了利用倍频方向的籽晶生长GdCa4O(BO3)3:Yb(GdCOB:Yb)晶体,通过控制温场及生长速度可以得到高光学质量的晶体.分析了晶体的生长习性及孪晶的形成.通过与b向生长的晶体相比较,认为以倍频方向生长的晶体加工器件时,可以极大地提高利用率(从50;提高到90;).测量了晶体的室温透过谱和荧光谱.利用976nm的激光二极管及列阵二极管作为泵浦源,测量了晶体沿最佳倍频方向的激光输出及自倍频性质.