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为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制,对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015,1×1016 e/cm2)1 MeV电子束辐照和辐照后不同温度退火(650,750,850℃)试验,并结合Mulassis仿真和GaAs能带模型图对其分析讨论。结果表明,随着电子注量的增加,GaAsN/GaAs量子阱光学性能急剧降低,注量为1×1015 e/cm2和1×1016 e/cm2的电子束辐照后,GaAsN/GaAs量子阱PL强度分别衰减为初始值的85%和29%。GaAsN/GaAs量子阱电子辐照后650℃退火5 min,样品PL强度恢复到初始值,材料带隙没有发生变化。GaAsN/GaAs量子阱辐照后750℃和850℃各退火5 min后,样品PL强度随退火温度的升高不断减小,同时N原子外扩散使得样品带隙发生约4 nm蓝移。退火温度升高没有造成带隙更大的蓝移,这是由于进一步的温度升高产生了新的N—As间隙缺陷,抑制了N原子外扩散,同时导致GaAsN/GaAs量子阱光学性能退化。 相似文献
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研究了一类涉广义不变凸锥约束非光滑多目标优化问题(记为(MOP)),结合Craven与Yang广义选择定理,建立了该优化问题的Kuhn-Tucker型最优性充分必要条件以及其鞍点与弱有效解之间的关系,给出了(MOP)的Wolfe型与Mond-Weir型弱、强以及逆对偶理论. 相似文献
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在自反Banach空间中,引入可数族弱Bregman相对非扩张映像概念,构造了两种迭代算法求解可数族弱Bregman相对非扩张映像的公共不动点.在适当条件下,证明了两种迭代算法产生的序列的强收敛性. 相似文献
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广义投影下F隐变分不等式解的存在性 总被引:2,自引:0,他引:2
首先引进了广义(F,g)-投影算子,提出了一个新的例外簇概念,并运用Fan-KKM定理以及例外簇,分别在无单调性与渐近h-g伪单调假设下,研究了自反Banach空间中一类F隐变分不等式的可解性与解集特征问题,得到了新的解的存在性定理. 相似文献
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