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1.
利用高分辨快电子能量损失谱仪,采用高分辨的dipole(e,e)方法对氦原子的光学振子强度进行了研究.它避免了光学测量中的困难,提高了实验精度.在21~26 eV的能量损失范围内测量得到了氦的I1S→n1P中跃迁以及电离过程的光学振子强度谱,并在59~67eV和 69~74eV的能量损失范围内对氦的自电离共振过程的光学振子强度谱进行了研究,所得结果与前人的工作进行了比较.  相似文献   
2.
利用多层溅射技术制备了WSix/Si薄膜,然后测量其平面电阻的退火行为,发现平面电阻在600-700℃之间退火后有陡降,这对应于非晶WSix薄膜中W5Si3四角相的形成。x射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化,它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。 关键词:  相似文献   
3.
通过测量低能正电子入射到锗(Ge)靶的电子偶素产额随靶温度的变化,测定了在真空度为1.33×10-4Pa时锗的正电子表面态的束缚能Eb=2.2eV;Ps形成的激活能Ea=0.2±0.01eV.讨论了高真空与超高真空条件下Eb,Ea的变化.  相似文献   
4.
本文介绍一台慢正电子束装置。在该装置上我们用W慢化体产生慢正电子,测量了慢正电子能谱,并和在该装置上用Ni+Mgo慢化体所得结果进行了比较。 关键词:  相似文献   
5.
用慢正电子束入射固体靶表面,通过测量湮没光子能谱随靶温度和入射慢正电子能量的变化,用“峰法”确定慢正电子产生电子偶素原子的转换率。转换率依赖于靶材料、靶温度和入射慢正电子能量。对材料锗转换率可达80%。 关键词:  相似文献   
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