用逆压电极化模型对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究

通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程，模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用，从正-逆压电极化现象出发，提出了逆压电极化模型.计算结果显示：逆压电极化明显影响2DEG性质，当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20 nm时，不考虑逆压电极化，2DEG浓度为1.53×10¹³cm^-2；当等效外电压分别为10和15V 关键词： AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 Poisson-Schrdinger方程 逆压电极化模型 电流崩塌     

BOUNDARY BEHAVIOR OF CAUCHY-TYPE INTEGRALS IN CLIFFORD ANALYSIS

In this article,the authors discussed the boundary behavior for the Cauchy- type integrals with values in a Clifford algebra,obtained some Sochocki–Plemelj formulae and Privalov–Muskhelishvili theorems for the Cauchy-type integral taken over a smooth surface by rather simple method.     

Clifford分析中无界域上正则函数的边值问题

在引入修正Cauchy核的基础上,讨论了无界域上正则函数的带共轭值的边值问题：a(t)Φ (t) b(t)Φ (t) c(t)Φ-(t) d(t)Φ=g(t)．首先给出了无界域上正则函数的Plemelj公式,然后利用积分方程方法和压缩不动点原理证明了问题解的存在唯一性．     

泛Clifford分析中无界域上的Cauchy积分公式和Cauchy-Pompeiu公式

本文研究了泛Clifford分析中的Cauchy积分公式和Cauchy-Pompeiu公式.通过引入修正的Cauchy核,得出了取值在泛Clifford代数上的两公式在无界域上的表达式.此两公式是有界域上的相应结果的推广,并为研究无界域上的边值问题打下了基础.     

低栅极电压控制下带有phenyltrimethoxysilane单分子自组装层的有机薄膜晶体管场效应特性研究

制作了底栅极顶接触有机薄膜晶体管器件,60 nm的pentacene被用作有源层,120 nm热生长的SiO₂作为栅极绝缘层.通过采用不同自组装修饰材料对器件的有源层与栅极绝缘层之间的界面进行修饰,如octadecyltrichlorosilane （OTS）,phenyltrimethoxysilane （PhTMS）,来比较界面修饰层对器件性能的影响.同时对带有PhTMS修饰层的OTFTs器件低栅极电压调制下的场效应行为及其载流子的传输机理进行研究.结果得到,当|V 关键词： 有机薄膜晶体管 自组装单分子层 场效应迁移率 低栅极调制电压     

复Clifford分析中几类函数的等价描述

第一部分借助黄沙老师拟置换的思想,得到了复正则函数,复超正则函数的等价条件,定义了复超调和函数并讨论了它的等价条件,第二部分讨论了复超正则函数的若干性质.     

Study on characteristics of a double-conductible channel organic thin-films transistor with an ultra-thin hole-blocking layer

The properties of top-contact organic thin-film transistors(TC-OTFTs) using ultra-thin 2,9-dimethyl-4,7diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP) as a hole-blocking interlayer have been improved significantly and a BCP interlayer was inserted into the middle of the pentacene active layer.This paper obtains a fire-new transport mode of an OTFT device with double-conductible channels.The accumulation and transfer of the hole carriers are limited by the BCP interlayer in the vertical region of the channel.A huge amount of carriers is located not only at the interface between pentacene and the gate insulator,but also at the two interfaces of pentacene/BCP interlayer and pentacene/gate insulator,respectively.The results suggest that the BCP interlayer may be useful to adjust the hole accumulation and transfer,and can increase the hole mobility and output current of OTFTs.The TC-OTFTs with a BCP interlayer at VDS = 20 V showed excellent hole mobility μFE and threshold voltage VTH of 0.58 cm2/(V.s) and-4.6 V,respectively.     

实Clifford分析中正则函数列的几条性质

在解析函数列的收敛性定理的基础上 ,定义了实 Clifford分析中正则函数列的一致有界、内闭一致有界及内闭一致收敛等概念 ,并讨论了正则函数列的几条性质 .     

侦测股市时间序列相关性的三种方法

运用方差方法.重标极差方法(R/S)和消除趋势波动分析方法(DFA)对美国股市标准普尔500指数的收盘价进行分析.结果表明:此股票市场指数具有状态持续性特征及自相似特征.同时兼具混沌等非线性特征.通过这三种方法对同一股市进行分析更能全方位的诠释相关性在股票市场理论应用的必要性及可行性,并且对股票市场理论建模.预测和管控策略的制定及实施具有重要意义.     

对硅片上自组装生长的Pentacene薄膜生长机制及其结晶相态的研究

采用热蒸发的方法在硅片衬底上自组装生长的Pentacene薄膜,薄膜在80℃温度下经2 h恒温真空热处理,通过原子力显微镜(AFM)对Pentacene薄膜表面形貌及其生长机制进行研究.结果得到,在硅片上生长的Pentacene薄膜足以台阶岛状结构生长,其岛状直径约为100 nm.且Pentacene分子以垂直于衬底的方向生长,台阶岛状结构中每个台阶的平均高度约为1.54 nnl·s-1,与Pentacene分子的沿长轴方向的长度相近.从Pentacene薄膜的XRD图谱中可以看出,薄膜在形成的过程中会因条件的不同而形成不同的结晶相,分别为薄膜相和三斜体相,且薄膜的结晶相将随着薄膜厚度的增加向三斜体相转变,其临界厚度为80和150 nm,当薄膜大于150 nm时,薄膜的三斜体相占主导地位,而当Pentacene薄膜的厚度小于80 nm时,Pentacene薄膜呈薄膜相存在.