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1.
Edge assisted epitaxy of CsPbBr3 nanoplates on Bi2O2Se nanosheets for enhanced photoresponse 下载免费PDF全文
Haotian Jiang 《中国物理 B》2022,31(4):48102-048102
Bi$_{2}$O$_{2}$Se has been proved to be a promising candidate for electronic and optoelectronic devices due to their unique physical properties. However, it is still a great challenge to construct the heterostructures with direct epitaxy of hetero semiconductor materials on Bi$_{2}$O$_{2}$Se nanosheets. Here, a two-step chemical vapor deposition (CVD) route was used to directly grow the CsPbBr$_{3}$ nanoplate-Bi$_{2}$O$_{2}$Se nanosheet heterostructures. The CsPbBr$_{3}$ nanoplates were selectively grown on the Bi$_{2}$O$_{2}$Se nanosheet along the edges, where the dangling bonds provide the nucleation sites. The epitaxial relationships between CsPbBr$_{3}$ and Bi$_{2}$O$_{2}$Se were determined as ${[200]}_{\rm Bi_{2}O_{2}Se}||{[110]}_{\rm CsPbBr_{3}}$ and ${[110]}_{\rm Bi_{2}O_{2}Se}||{[200]}_{\rm CsPbBr_{3}}$ by transmission electron microscopy characterization. The photoluminescence (PL) results reveal that the formation of heterostructures results in the remarkable PL quenching due to the type-I band arrangement at CsPbBr$_{3}$/Bi$_{2}$O$_{2}$Se interface, which was confirmed by ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) and Kelvin probe measurements, and makes the photogenerated carriers transfer from CsPbBr$_{3}$ to Bi$_{2}$O$_{2}$Se. Importantly, the photodetectors based on the heterostructures exhibit a 4-time increase in the responsivity compared to those based on the pristine Bi$_{2}$O$_{2}$Se sheets, and the fast rise and decay time in microsecond. These results indicate that the direct epitaxy of the CsPbBr$_{3}$ plates on the Bi$_{2}$O$_{2}$Se sheet may improve the optoelectronic performance of Bi$_{2}$O$_{2}$Se based devices. 相似文献
2.
超/高超声速尾退分离在防热、保形、隐身、多次投放、回收等方面具有明显优势,有望成为高超声速飞行器载荷投放的优选方案。由此面临一类新的多体分离问题:超/高超声速尾退分离问题(aft super/hypersonic ejection separation,ASES)。超/高超声速尾退分离问题本质上是带空腔底部流动与多体分离构成的耦合问题,具有流场结构复杂、气动非定常非线性非对称效应显著的特点。针对超声速尾退分离问题,采用网格测力和轨迹捕获(captive trajectory system,CTS)风洞试验方法探索了尾退分离干扰流场的结构,发现可根据流场结构和舵效变化分为低速-亚声速无激波、高亚声速-跨声速弱激波、超声速激波和准自由流弱干扰4种典型干扰特征,揭示了尾流场影响后不同区域的全弹气动特性和舵效特性以及控制律、攻角、高度和Mach数对分离位移和姿态的影响规律。相关结论将有助于增强对尾退分离问题的认识,对尾退分离技术的工程实践具有参考价值。 相似文献
3.
开发了一种适用于现场快速检测孔雀石绿(MG)的免疫层析试纸条,在超顺磁性纳米微球上偶联MG单克隆抗体作为检测探针,分别将孔雀石绿完全抗原(MG-BSA)和羊抗鼠IgG喷涂于NC膜的T线和C线。结果发现,T线最佳喷涂量为0.25 mg/mL,抗体最佳偶联量为20μg,构建的试纸条可在25 min内实现养殖用水及鱼肉组织的定性与定量分析,检出限为1μg/mL,定量限分别为0.60,0.97 ng/mL,对无色孔雀石绿无交叉反应,批内、批间相对标准偏差均<12%;通过与HPLC和市售胶体金试剂盒对比发现,水样的回收率在82.0%~117.4%,灵敏度高于市售胶体金试剂盒。该孔雀石绿磁性免疫层析条适用于现场快速检测鱼肉或水体中的残留孔雀石绿。 相似文献
4.
管线是维系很多设施的命脉,它们的腐蚀问题受到了广泛的重视.工业X射线CT成像技术可以实现对管线的非破坏检测,发现它们的腐蚀状况以及各种缺陷,从而掌握其质量情况和变化规律.本文主要研究了海水管线的CT成像方法,在每个角度都存在数据缺失的情况下,给出了它的CT扫描和重建模型,提出了基于TV约束和加权均值化处理的分组ART迭代算法的重建方法.模拟实验表明该方法可以获得管线横截面的高质量CT图像,为其内部腐蚀参数的计算和腐蚀程度的判断提供了重要依据. 相似文献
5.
声学超材料及结构已被广泛研究,其超结构通常利用3D打印技术实现,当结构刚度较小或者面积较大时,由声固耦合所导致的声学效果与设计不符的情况广泛存在。本文针对含有膨胀腔类的超材料,研究了声固耦合对其声学性能的影响,采用有限元计算结合阻抗管实验的方法,得到其传递损失,分析了声固耦合现象对传递损失的影响。结果表明:薄壁膨胀腔结构的作用频率范围与只考虑声学理论计算的设计不符,声固耦合现象对传递损失产生显著影响;采用增加膨胀腔壁厚、减少膨胀腔内径或选择金属材料的方式,都可以使得声固耦合现象对传递损失的影响减小;仿真结果与实验结果基本吻合。该研究结果说明:对于膨胀腔类超材料,当刚度较小或者面积较大时,对其进行声固耦合分析是完全必要的。 相似文献
7.
8.
当周期激励频率远小于系统固有频率时,会存在快慢耦合效应,与单项激励不同,参外联合激励不仅会导致快子系统平衡曲线和分岔行为的复杂化,也会产生一些特殊的非线性现象,为此,本文以两耦合Hodgkin-Huxley细胞模型为例,引入周期参外联合激励,探讨在频域不同尺度耦合时该系统的簇发振荡的特点及其分岔机制.通过建立相应的快慢子系统,得到慢变参数变化下的快子系统的各种分岔模式以及相应的分岔行为,结合转换相图,揭示耦合系统随激励幅值变化时的动力学行为及其机理.研究表明,在激励幅值较小时,系统表现为概周期振荡,两频率分别近似于快子系统平衡曲线由Hopf分岔引起的两稳定极限环的振荡频率.概周期解随激励幅值的增加进入簇发振荡,导致这些簇发振荡的主要原因是在慢变参数变化的部分区间内,存在唯一稳定的平衡曲线,使得系统的轨迹逐渐趋向该平衡曲线,产生沉寂态,并随着慢变参数的变化,由分岔进入激发态.同时,快子系统中参与簇发振荡的稳定吸引子随激励幅值的变化也会不同,导致不同形式的簇发振荡.另外,与单项激励下的情形不同,联合激励时快子系统的部分稳定吸引子掩埋在其它稳定吸引子内,从而失去对簇发振荡的影响. 相似文献
9.
介电泳分离是一种高效的微细颗粒分离技术,利用非均匀电场极化并操纵分离微流道中的颗粒.柔性微粒在介电泳分离过程中同时受多种物理场、多相流和微粒变形等复杂因素的影响,仅用单一的计算方法对其进行模拟存在一定的难度,本文采用有限单元-格子玻尔兹曼耦合计算的方法处理这一难题.介观尺度的格子玻尔兹曼方法将流体看成由大量微小粒子组成,在离散格子上求解玻尔兹曼输运方程,易于处理多相流及大变形问题,特别适合模拟柔性颗粒在介电泳分离过程中的变形情况.另一方面,介电泳分离过程的模拟需求解流体、电场和微粒运动方程,计算量相当庞大,通过有限单元法求解介电泳力,可提高计算效率.利用这种多尺度耦合计算方法,对一款现有的介电泳芯片分离过程进行了模拟.分析了微粒在电场作用下产生的介电泳力,揭示了介电泳力与电场变化率等因素之间的关系.对微粒运动轨迹及其变形的情况进行了研究,发现微粒的变形主要与流体剪切作用有关.这种多尺度耦合计算方法,为复杂微流体的计算提供了一种有效的解决方案. 相似文献
10.
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料.受制于氮化镓单晶衬底的尺寸、产能及成本的影响,当前的GaN基器件主要基于异质衬底(硅、碳化硅、蓝宝石等)制作而成,GaN单晶衬底的缺乏已成为制约GaN器件发展的瓶颈.近年来,国内外在GaN单晶衬底制备方面取得了较大的进展.本文综述了氮化镓单晶生长的最新进展,包括氢化物气相外延法、氨热法和钠助熔剂法的研究进展,分析了各生长方法面临的挑战与机遇,并对氮化镓单晶材料的发展趋势讲行了展望. 相似文献