Backlund Transformation and Exact Solution to Kadomtsev-Petviashvili Equation with Variable Coefficients

By using the homogeneous balance principle, we derive a Backlund transformation (BT) to (3+1)-dimensionaI Kadomtsev-Petviashvili (K-P) equation with variable coefficients if the variable coefficients are linearly dependent. Based on the BT, the exact solution of the (3+1)-dimensional K-P equation is given. By the same method, we derive a BT and the solution to (2+1)-dimensional K-P equation. The variable coefficients can change the amplitude of solitary wave, but cannot change the form of solitary wave.     

量子群V_q(sl(2))的商代数

本文研究当q是单位根时,V_q(sl(2))在关系H~r=K~r=1,E~(mr)=F~(nr)=0下的商代数V_q(m,n)的构造与分解,以及它的区块结构.为此,首先将U_q(sl(2))的基本性质和重要结论推广到V_q(sl(2)),并研究V_q(sl(2))的模的基本性质.利用这些结论,我们逐步构造出V_q(m,n)的左理想,并将V_q(m,n)分解成不可分解的左理想的直和.然后,把V_q(m,n)的不可分解的左理想合并成区块,并研究区块结构,从而把V_q(m,n)的表示问题归结成一个代数表示论的问题.     

高效高亮度有机红色微腔发光二极管

采用普通的Alq:DCM红光发光材料体系,制作了结构为Glass/DBR/ITO/NPB/Alq:DCM/MgAg的有机红光微腔发光器件,实现了纯红光发射,器件发射峰位于600 nm.与无腔器件相比,微腔器件光谱半峰全宽（FWHM）从92 nm压缩为32 nm,色度从X=0.58,Y=0.41改善为X=0.6,Y=0.4,微腔器件的最大发光效率为3.1 cd/A,最大亮度为32 010 cd/m2.     

大功率半导体激光器的可靠性研究

对InGaAs/AlGaAs和InGaAsP/GaAs有源区含铝的915nm和无铝的808nm腔面镀膜及未镀膜的大功率半导体激光器进行了老化实验。在老化前通过综合参数测试仪测试两种激光器的斜率效率、阈值电流，发现有腔面膜的激光器比无腔面膜的激光器的阈值电流降低25％以上。在1.2倍阈值电流下，恒流老化40h左右，老化后再分别测试它们的阈值电流、功率参数，我们发现在老化后未镀膜的激光器的阈值电流和镀有腔面膜的激光器相比增加25mA以上，输出功率也比镀过腔面膜的减小到了原来的1／2，可见腔面保护对于延长激光器的寿命是很重要的。     

高功率半导体量子阱激光器测试中的灾变性损伤

在使用综合参数测试仪测试808nm发射的半导体量子阱激光器的过程中，出现了一种由电浪涌所导致的灾变性损伤。通过测试的功率曲线和伏安特性曲线，断定激光器出现了灾变性的损伤，同时测试的发射光谱不再是激射光谱，而是由自发辐射所产生的荧光光谱。由扫描电镜(SEM)观察到了激光器的腔面膜出现了熔化，证实激光器的确发生了灾变性损伤。作为对比，我们引用了另一种在测试中发现的快速退化现象，对两种退化出现的原因进行了理论上的分析，了解到激光器的退化主要还是由器件本身的材料、结构以及后期的工艺过程所决定的，在测试器件过程中电浪涌只不过会加速或产生突然灾变性退化。通过测试我们建立了一种比较简单的检验一个激光器质量可靠性的方法，所以理解由电浪涌所引起的退化行为是非常重要的。