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1.
We report on the lasing characteristics of a two-color InAs/InP quantum dots(QDs)laser at a low tem-perature.Two lasing peaks with a tunable gap are simultaneously observed.At a low temperature of 80 K,a tunable range greater than a 20-nm wavelength is demonstrated by varying the injection current from 30 to 500 mA.Under a special condition,we even observe three lasing peaks,which are in contrast to those observed at room temperature.The temperature coefficient of the lasing wavelength was obtained for the two colors in the 80?280 K temperature range,which is lower than that of the reference quantum well(QW)laser working in the same wavelength region.  相似文献   
2.
采用室温重结晶法制备CsPbBr_3量子点,分别利用六种常用的极性溶剂对量子点粗液进行高速离心提纯,监测提纯过程中每一步骤后的光致发光光谱,并采用吸收光谱,荧光寿命、X射线衍射分析和透射电镜等表征方法系统表征了六种极性溶剂提纯得到的CsPbBr_3量子点.研究表明,通过六种极性溶剂提纯,都可以得到结晶度良好的呈立方体形态的立方相CsPbBr_3量子点;在利用六种不同极性溶剂进行提纯过程中,第二次离心得到的上清液具有最为统一的半峰宽和峰值波长;除乙酸乙酯外,第二次离心得到的上清液具有最高的量子产出;比较而言,通过正丙醇、异丙醇、正丁醇特别是异丁醇提纯得到的CsPbBr_3量子点具有较高的发光性能.  相似文献   
3.
全光谱LED具有光谱和太阳光可见光光谱相似度高、色彩饱和度和保真度高、显色指数接近100且无蓝光危害等优点,被认为是未来半导体照明技术的一个主流方向。本文从全光谱LED的概念和特性着手,简述了全光谱LED方案相较于传统方案的优越性;阐述了目前主流的全光谱LED方案及存在的问题;最后,分别从新型荧光粉的开发和多基色全光谱的合成两个方面介绍了研究者们关于完善光谱和简化流程所做的工作,并对未来全光谱LED的应用做出了设想。  相似文献   
4.
半二面体群的小度数Cayley图   总被引:1,自引:0,他引:1  
群G的一个Cayley图X=Cay(G,S)称为正规的,如果右乘变换群R(G)在Aut X中正规.研究了4m阶半二面体群G=〈a,b a2m=b2=1,ab=am-1〉的3度和4度Cayley图的正规性,其中m=2r且r>2,并得到了几类非正规的Cayley图.  相似文献   
5.
本文成功地应用Fuzzy聚类分析方法对舰船的磁性防护性能等级进行了分类,并且在聚类分析结果的基础上,应用模式识别技术对多个舰船磁场样本的磁性防护性能进行了预测,其结果是令人满意的。该方法克服了文献[2]所提出的模拟对抗计算方法的计算时间长、模型复杂等缺点。  相似文献   
6.
射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
采用射频等离子体辅助分子束外延(RF plasma-assisted MBE)系统生长非故意掺杂GaN和p型GaN,并且通过室温和低温光致发光(PL)谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系,对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明,富Ga条件下生长的GaN材料特性要优于富N生长的材料;非故意掺杂的富Ga样品中出现的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的氮空位(VN)缺陷有关;不同的Mg掺杂浓度对样品的PL特性有较大的影响;结合Hall效应测量结果,认为在Mg重掺杂的样品中出现的黄带发光,与GaN的自补偿效应以及重掺杂导致的晶体质量下降有关。  相似文献   
7.
利用纳米银烧结工艺制备大功率LED,重点探究了纳米银键合层的界面热阻及器件发光性能。通过将纳米银膏在不同温度下烧结,系统地研究了烧结温度对纳米银烧结后电阻率及接头剪切强度的影响,并分析了烧结后银膏的晶体结构及接头断口微观形貌。结果表明,接头键合强度和银膜导电率均随纳米银烧结温度的升高而增大。实验中还对比分析了纳米银烧结LED和传统锡银铜(SAC305)焊膏封装LED的界面热阻、结温以及发光性能。与纳米银烧结LED样品相比,传统焊膏封装LED的界面热阻和结温分别提高了8.9%和29.6%,说明纳米银键合层拥有更好的导热性并可及时为芯片散热降温。此外,通过高温老化实验,深入探讨了不同焊膏烧结LED的界面热阻及发光效率变化。实验表明,经过100℃下点亮500 h,纳米银和传统焊膏烧结LED样品的总热阻分别增大了0.03 K/W和4.28 K/W,但纳米银键合层界面热阻比老化前有所降低,同时纳米银烧结LED样品在不同电流下的发光效率始终高于传统焊膏封装LED样品。  相似文献   
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