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AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4非线性晶体在中远红外激光具有良好的应用前景.合成高纯多晶是制备可器件化单晶元件的关键.但S、Se易挥发、高温下饱和蒸气压高,易导致石英坩埚的爆炸,组分偏离化学计量比.为此,本文采用一种新型的高压辅助法合成出大尺寸高纯的多晶原料,解决了石英坩埚爆炸和组份偏离问题,并在此基础上进行了单晶的生长过程.多晶X射线粉末衍射测试结果与模拟图谱或者标准PDF卡片一致;X射线荧光光谱分析得到各元素百分含量非常接近化学计量比,AgGaGe5 Se12中Ag、Ga、Ge、Se各占7.86;、5.08;、23.80;、63.26;,AgGaGeS4中Ag、Ga、Ge、S各占28.22;、18.24;、19.52;、34.02;;单晶透过率测试得到AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4透过率分别为60;、70;,证明此方法制备的AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4晶体性能优良,展现了该方法在多晶合成的应用潜力. 相似文献
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含有硫/硒(S/Se)元素的部分化合物在现有中红外非线性晶体材料中占据相当重要的地位。高纯多晶原料是生长优质S/Se光学晶体的基础,但常规合成方法存在周期长、数量少等缺点。为此,针对部分S/Se化合物,我们对传统的合成方法进行优化、改进,实现GaSe,AgGaSe_2,AgGaGeS_4,AgGaGe_5Se_(12)等的快速合成,单次合成原料200~300g,合成周期小于48h,经过粉末衍射(XRD)测试表明合成的原料质量较好,能够生长出较大尺寸单晶。文中对快速合成方法的机理、存在的问题等也进行了相关讨论。 相似文献
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Na_2Ge_2Se_5是一种优异的红外非线性晶体材料.采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法对Na_2Ge_2Se_5进行结构优化,并以此为基础计算研究了Na_2Ge_2Se_5的电子结构和光学性质.结果表明:Na2Ge2Se5是宽禁带间接带隙半导体,价带至导带的电子跃迁主要来自于Ge和Se的48,4p态;Na对光学性质的贡献较小,Ge和Se之间的相互耦合作用决定了Na_2Ge_2Se_5的光学性质;该晶体在紫外区有强烈的反射和吸收,静态折射率为2.133,双折射率值适中,为0.145.理论计算结果表明,Na_2Ge_2Se_5是一种性能优良的红外非线性光学晶体材料. 相似文献
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中长波红外3~5μm、8~12μm波段激光在红外对抗、环境监测、医疗诊断等诸多领域均有重要应用.通过非线性频率变换技术是获得中长波红外激光的主要方式,红外非线性晶体是其中的核心部件.目前,3~5μm中波红外非线性晶体已基本满足激光的应用需求.随着近年来激光波长向长波红外的拓展,以及中/长波红外多波段融合技术的发展,迫切需要性能优异的长波红外非线性晶体.论文主要对目前已知8~12μm波段的长波红外非线性晶体进行梳理,并分别从晶体性能、制备技术以及激光应用等方面综述它们的研究进展,对比分析它们在长波红外波段的应用潜质以及存在的技术瓶颈,指出长波红外非线性晶体的重点研究方向. 相似文献
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采用改进的双温区水平籽晶气相升华法,生长出尺寸为15 mm×35 mm的完整Cd Se单晶体。经X射线衍射仪、能谱分析仪和傅里叶红外光谱仪的检测,Cd Se单晶粉末衍射谱与标准衍射峰吻合较好,单晶摇摆曲线半高宽0.5°;Cd、Se化学计量比等于1∶0.977,接近理想比;晶体在2.5~20.0μm红外波段范围内的透过率T65%,吸收系数α0.1 cm-1。这些结果表明,采用本方法生长的晶体结晶性较好、成分均匀、透过率较高,品质良好,这对生长类似高蒸气压、高熔点的III-V、II-VI族晶体,会有所帮助。 相似文献
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提出了基于模糊综合控制的UCONF(usage confrol fuzzy)模型,同时给出了基于模型的引用监视器.该模型保留了使用控制模型的过程连续性和属性可变性.利用模糊综合逻辑计算可信度,通过可信度简化了UCON的授权策略,可动态改变所授权利,方便权利授予或撤销,增强了模型的可管理性和可实施性.分析表明本模型充分体现了开放式网络环境中主体间的可信关系,适合解决动静结合的访问控制问题,确保了信息系统的安全控制. 相似文献
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大气中臭氧含量分析预测的支向量机模型 总被引:1,自引:0,他引:1
以俄亥俄州(O h io)的气象、臭氧监测数据为基础,对一个监测点数据进行了分析处理,运用支持向量机回归方法,对气象指标的多参数样本进行学习,获得精确的支持向量机映射关系,并对臭氧含量进行预测.预测结果的误差较小,符合实际情况,能够较好的解决实际问题,说明支持向量机回归在预测上具有小的结构风险与强的泛化能力. 相似文献