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用循环伏安法、计时电位法以及薄层光谱电化学等多种实验技术探讨了3,3′-二甲基联苯胺在中性溶液中电化学氧化机理。实验结果表明3,3′-二甲基联苯胺电化学氧化为连续分步进行的两个单电子过程。测定了两个分步进行的式电极电位以及电极界面层中歧化反应的平衡常数。 相似文献
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本文采用逻辑信息法对某干旱区花岗岩体中的地下坑道渗水进行了研究。对影响地下坑道渗水的因素进行了分析,确定了可能与地下坑道渗水相关的11个影响因子,并根据场地地下坑道渗水特征,将渗水严重程度分成4个级别,建立了所研究场地地下坑道渗水预测评价的逻辑信息法模型,得到了不同影响因子的权重。从计算得到的影响因子的权重可以看出,围岩岩性、裂隙发育特征及地下坑道垂直正上方地表附近的地貌等因素对地下坑道渗水都有明显影响。并用所建立的模型对研究场地进行了分区评价。 相似文献
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阳离子艳蓝的薄层光谱电化学研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用薄层光谱电化学技术研究了阳离子艳蓝的电还原过程。薄层循环伏安图表明阳离子艳蓝有一对接近可逆的氧化还原峰。从光谱发现它有顺反异构体互变现象与变色效应。在氧存在时,循环伏安图和光谱图上均出现新峰,推测阳离艳蓝分子与氧分子能形成电荷转移络合物。测得阳离艳蓝电还原的式电极电势,电子转移数以及扩散系数等参数。并讨论了可能的电极过程。 相似文献
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蒙脱石有很好的层状结构、大的表面积和优良的吸附性,与其它修饰材料(如Nafion)相比有较高的热稳定性和化学稳定性。是可以利用的廉价材料。用它制成的化学修饰电极(CME)已用于电催化、电有机合成等。 本文报道中性红(NR)/蒙脱石/SnO_2 CME的制备及其电化学性能。实验结果表明,用蒙脱石作修饰层材料,对电活性物质有很好的富集作用,制得的CME有较好的稳定性。虽然电活性物在蒙脱石膜界面的扩散系数较小,但由于在膜内有较高的浓度,因而制得的CME比空白 相似文献
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用循环伏安法、计时电位法以及薄层光谱电化学等多种实验技术探讨了3,3'一二甲基联苯胺在中性溶液中电化学氧化机理.实验结果表明3,3,一二甲基联苯胺电化学氧化为连续分步进行的两个单电子过程.测定了两个分步进行的式电极电位以及电极界面层中歧化反应的平衡常数. 相似文献
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用预交换法和掺入法将某些荷阳电物(NR, MB)与荷阴电物[IC, Fe(CN)~6^3-]吸附在蒙脱石膜中制备化学修饰电极(CME)。对不同电性的吸附物, 用预交换法制备的CME在支持电解质溶液中显示不同的伏安响应。被吸附物在蒙脱石膜内的电活性浓度(c*)和总浓度(c~t)之比值较小, 说明被吸附物中只有小部分表现有电化学特性。X衍射实验表明荷阳电的吸附物可能通过离子交换吸附而嵌入蒙脱石层间。吸收光谱实验亦表明荷阳电物与蒙脱石间有强的化学吸附作用。根据蒙脱石中各种不同的吸附位置, 讨论了被吸附物对电化学响应的不同贡献。 相似文献