一种基于时域和频域特征的图像拼接方法

1 引言图像拼接是指将具有部分景物重合的图像进行无缝拼合,生成一张具有较宽视角的高分辨率图像的技术．现有的图像拼接技术主要有两类:基于区域的方法和基于特征的方法．基于区域的方法[1]通常是取参考图像中某一窗口中的点作为特征模板,建立描述     

Coexistence of unipolar and bipolar modes in Ag/ZnO/Pt resistive switching memory with oxygen-vacancy and metal-Ag filaments

In this study, the unipolar resistive switching(URS) and bipolar resistive switching(BRS) are demonstrated to be coexistent in the Ag/Zn O/Pt memory device, and both modes are observed to strongly depend on the polarity of forming voltage. The mechanisms of the URS and BRS behaviors could be attributed to the electric-field-induced migration of oxygen vacancies(VO) and metal-Ag conducting filaments(CFs) respectively, which are confirmed by investigating the temperature dependences of low resistance states in both modes. Furthermore, we compare the resistive switching(RS)characteristics(e.g., forming and switching voltages, reset current and resistance states) between these two modes based on VO- and Ag-CFs. The BRS mode shows better switching uniformity and lower power than the URS mode. Both of these modes exhibit good RS performances, including good retention, reliable cycling and high-speed switching. The result indicates that the coexistence of URS and BRS behaviors in a single device has great potential applications in future nonvolatile multi-level memory.     

基于HfN_x∶Zn薄膜的负微分阻变存储器

基于HfNx∶Zn薄膜材料制备了阻变式随机存储器,获得了良好的阻变可靠性,并观察到负微分电阻现象.Au/HfNx∶Zn/Pt器件表现出快速的擦写速度(150ns)、优异的循环耐受性(103)、长时间保持性(85℃时105 s)、较小的开启/关闭电压波动性(3.5%/8.5%)和较低的高阻/低阻波动性(13.5%/10.1%).Zn元素的掺入为薄膜引入了大量的N空位缺陷态,根据器件运行的I-V拟合曲线,得知器件阻变机制与N空位缺陷的存在有直接的关系.     

基于ZnO纳米线/PMMA复合材料的柔性阻变式随机存储器

基于ZnO纳米线/有机PMMA复合材料体系制备了柔性阻变式随机存储器,由于复合材料体系的低杨氏模量及高柔性特点,该器件展示了超高的机械耐受性.器件在大角度下弯折104次以上而未见性能退化,且数据保持性良好.器件的阻变存储机制可归因于导电细丝的形成与断裂,其中ZnO纳米线表面上的缺陷在导电细丝构建中起重要作用.     

光学镜头轴线精确定心校准技术

目前,随着军用光学镜头结构复杂度以及性能要求的不断提高,传统装调手段误差大、一致性差的缺陷越发明显,为此,提出了光学镜头轴线精度定心校准技术以满足尖端光学系统的装调需求。首先,分析了影响光学镜头成像质量的误差来源;其次,提出了带数据反馈的闭环制造链原理,将整个光学系统研制环节结合成一个闭环;之后,针对现有装调手段的不足,从保证中心偏差和光学间隔两方面,提出了以定心加工为核心的镜组轴线精确校准方法,其光机轴线一致性达到秒级,尺寸精度达到微米级;最后,采用本文技术,设计研制了一套光学镜头,与传统镜头相比,焦距误差由1%提高至0.1%,分辨力由2.3″提高至2.04″。     

两镜反射系统自适应装调技术研究北大核心CSCD

为了满足两镜反射系统对光学元件高精度的装调、定位要求,以及系统工程化应用对可靠性与装调效率的要求,提出了一种基于人工神经网络(ANN)的自适应装调技术。基于矢量波像差理论分析两镜系统波像差与失调量的映射关系,在Keras框架下搭建ANN,并以非解析思路构建了自适应装调模型,开发了自适应装调装置,使失调次镜的平移调校精度优于2μm,倾斜调校精度优于2″,解决了算法设计与精度优化、反射镜组微应力固联等技术难题,并对某双抛无焦系统完成了自适应装调验证。试验结果表明:运用该装调技术,两镜反射系统装调后波像差优于λ/16、装调周期大幅缩短、装配可靠性通过环境试验考核,为该技术的工程化应用打下了基础。     

氧化物基忆阻型神经突触器件

忆阻器具有高密度、低功耗和阻值能够连续可调的特性,被认为是模拟神经突触最具潜力的候选者.而金属氧化物,因其氧离子可迁移,组分易于调控,与传统CMOS兼容等优点,是发展高性能忆阻器件的理想材料.本文首先介绍了氧化物基忆阻器件阻变行为及其运行机制,包括数字型和模拟型忆阻器.主要综述了基于模拟型忆阻器实现的突触器件认知功能模拟,包括非线性传输特性、时域突触可塑性、经验式学习和联合式学习等.然后进一步介绍了忆阻型突触器件在模式识别、声音定位、柔性可穿戴和光电神经突触方面的潜在应用.最后总结展望氧化物基忆阻神经突触在相关领域的可能发展方向.     

一种对称损失函数下刻度参数的最优同变估计

本文研究刻度参数分布族(1/σ)f(x/σ)中刻度参数在损失函数L(σ,δ)=(σ-δ)~2/σδ下的最小风险同变估计及其最小最大性。     

面向感存算一体化的光电忆阻器件研究进展

脑启发神经形态计算系统有望从根本上突破传统冯·诺依曼计算机系统架构瓶颈,极大程度地提升数据处理速度和能效.新型神经形态器件是构建高能效神经形态计算的重要硬件基础.光电忆阻器作为新兴的纳米智能器件,因具备整合光学感知、信息存储和逻辑计算等功能特性,被认为是发展类脑视觉系统的重要备选.本文将综述面向感存算功能一体化的光电忆阻器研究进展,包括光电忆阻材料与机制、光电忆阻器件与特性、感存算一体化功能及应用等.具体将根据机制分类介绍光子-离子耦合型和光子-电子耦合型光电忆阻材料,根据光电忆阻特性调节方式介绍光电调制型和全光调制型光电忆阻器件,根据感存算一体化功能介绍其在认知功能模拟、光电逻辑运算、神经形态视觉功能、动态探测与识别等方面的应用.最后总结光电忆阻器的主要优势以及所面临的挑战,并展望光电忆阻器的未来发展.