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首先介绍了我国严峻的火灾形势,阐明现有气动和火箭发射灭火弹装置的研究现状,针对射程不足、火工品使用限制等问题,提出采用电磁线圈发射器发射灭火弹进行灭火,基于电流丝模型法设计了一种10级线圈发射器模型,以脉冲电容器作为初始能源,采用续流电路对线圈进行时序放电,可将7.2 kg抛体加速至最高速度171 m/s,出口速度154 m/s,发射效率达15%,分析表明现有电磁线圈发射器能够满足灭火弹的发射需要。提出一种智能化无人电磁弹射灭火弹消防系统,智能指挥控制系统利用无人机采集火场信息,制定灭火策略,指挥无人电磁发射灭火车发射灭火弹实现精准高效灭火,根据灭火效能评估结果调整灭火方案,直至完成灭火任务。 相似文献
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用作为基体改进剂的含有氯化钯、Triton X-100及硝酸的混合溶液将全血样品稀释10倍,分取部分经稀释后的试液直接进样,按选定的仪器工作条件进行石墨炉原子吸收光谱法测定,此方法的检出限(S/N=3)为5.4 μg·L-1.应用此方法分析了一级国家标准物质(编号为GBW 09139e及GBW 09140e),测得结果与证书值相符,测定值的相对标准偏差(n=6)在1.2%~3.2%之间. 相似文献
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光度法测定铜的显色剂虽然很多,但是选择性好,能在水溶液中直接进行测定的试剂却很少。从铜(Ⅱ)的化学性质来考虑,邻,邻’-二氨基偶氮苯(简称DAAB)可能是光度法测定铜(Ⅱ)的良好显色剂。本文对DAAB的合成方法作了改进,用改进过的方法合成了DAAB;并对Cu(Ⅱ)-DAAB-SDBS-Triton X-100新显色体系作了系统的研究,得到了令人满意的结果。 1.试剂和仪器: DAAB(作者合成):0.04%乙醇溶液。铜标准溶液:将高纯金属铜溶于硝酸,加盐酸除尽硝酸。配成浓度为50μg/ml。 相似文献
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High-Quality InSb Grown on Semi-Insulting GaAs Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Hall Sensor Application 下载免费PDF全文
High-quality InSb epilayers are grown on semi-insulting GaAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition using an indium pre-deposition technique. The influence of Ⅴ/Ⅲ ratio and indium pre-deposition time on the surface morphology, crystalline quality and electrical properties of the InSb epilayer is systematically investigated using Nomarski microscopy, atomic force microscopy, high-resolution x-ray diffraction, Hall measurement and contactless sheet resistance measurement. It is found that a 2-μm-thick InSb epilayer grown at 450℃ with a Ⅴ/Ⅲ ratio of 5 and an indium pre-deposition time of 2.5s exhibits the optimum material quality, with a root-meansquare surface roughness of only 1.2 nm, an XRD rocking curve with full width at half maximum of 358 arcsec and a room-temperature electron mobility of 4.6 × 10~4 cm~2/V·s. These values are comparable with those grown by molecular beam epitaxy. Hall sensors are fabricated utilizing a 600-nm-thick InSb epilayer. The output Hall voltages of these sensors exceed 10 mV with the input voltage of 1 V at 9.3 mT and the electron mobility of 3.2 × 10~4 cm~2/V·s is determined, which indicates a strong potential for Hall applications. 相似文献
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以Ti(OC4H9)4、In(NO3)3和聚乙烯吡咯烷酮(PVP-K30)为原料,采用静电纺丝技术制备了In2TiO5纳米带。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)和N2吸附-脱附等技术对不同焙烧温度处理得到的样品进行表征,详细研究了焙烧温度对In2TiO5纳米带晶粒尺寸、形貌、比表面积和孔径的影响。以20 mg·L-1的氟喹诺酮类抗生素左氧氟沙星(LEV)为目标降解物,125 W高压汞灯为光源,评价了不同焙烧温度下In2TiO5纳米带的光催化活性。结果表明,焙烧温度对In2TiO5的形貌与光催化活性有明显影响。当焙烧温度为800℃时,制备的In2TiO5纳米带表面光滑,其宽度为(552±58) nm、厚度约为140 nm,光催化活性最强,光照60 min,LEV的降解率可以达到95%。 相似文献