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1.
基于CSIFT的彩色图像配准技术研究   总被引:9,自引:1,他引:8  
张锐娟  张建奇  杨翠  张翔 《光学学报》2008,28(11):2097-2103
图像配准在计算机视觉、遥感、医学诊断与治疗、环境监测等领域有广泛的研究应用.目前,多数算法是将彩色图像转化为灰度图后再配准,色彩信息的丢失可能会引起误配准.为此,提出一种基于CSIFT(Colored scale invariant feature transform)的彩色图像配准方法,求出彩色图像各个位置处的颜色不变最,以颜色不变量作为输入图像,再提取特征点并描述特征点周围的信息,通过最近邻匹配法求出图像问的匹配对,最后利用匹配的特征求取图像间的变换参数及配准后图像.实验结果表明,对彩色图像进行已知参数值变换时,该算法能得到精度高、误差小的计算结果;对变换关系末知的彩色图像,也能准确地求出图像间的映射关系;且多数情况下运行速度较SIFT(Scale invariant feature transform)快.  相似文献   
2.
克拉霉素在不同条件下水解,分别生成3-羟基克拉霉素(2)和3-羟基-8,9,10,11-二脱水-9,12-半缩酮克拉霉素(3),用乙酸酐保护2的C(2')-OH得到2'-乙酰基-3-羟基克拉霉素(4),用Ⅳ-氯代琥珀酰亚胺(NCS)氧化4的C(3)-OH合成了2'-乙酰基-3-氧代克拉霉素(5),采用MS,IR,1H NMR,13C NMR等对这些化合物进行了表征.用X射线单晶衍射法测定了化合物2和5的晶体结构,其均属于正交晶系,P212121空间群.化合物2的晶胞参数a=1.3657(3)nm,6=1.4783(3)nm,c=1.6510(3)nm,Z=4,V=3.3332(12)am3,Dc=1.175 g/cm3,F(000)=1288,μ=0.087mm-1;化合物5的晶胞参数a=1.5124(3)nm,b=1.5247(3)nm,c=1.5288(3)nm,Z=4,V=3.5254(12)nm3,Dc=1.187g/cm3,F(000)=1368.0,μ=0.088 mm-1.  相似文献   
3.
套代数上的广义Jordan中心化子   总被引:2,自引:1,他引:1  
杨翠  张建华 《数学学报》2010,53(5):975-980
设H是实数域或复数域F上的Hilbert空间,N为H上的非平凡套,τ(N)为相应的套代数,并且φ:τ(N)→τ(N)是一个可加映射.本文证明了如果存在正整数m,n,p,使得(m+n)φ(A~(p+1))=mφ(A)A~p+nA~pφ(A)或φ(A~(m+n+1))=A~mφ(A)A~n对所有的A∈τ(N)成立,则存在λ∈F,使得对所有的A∈τ(N),有φ(A)=λA.  相似文献   
4.
A novel CMOS image sensor(CIS) pinned photodiode(PPD) pixel, named as O-T pixel, is proposed and investigated by TCAD simulations. Compared with the conventional PPD pixel, the proposed pixel features the overlapping gate(OG)and the temporary storage diffusing(TSD) region, based on which the several-nanosecond-level charge transfer could be achieved and the complete charge transfer from the PPD to the floating node(FD) could be realized. And systematic analyses of the influence of the doping conditions of the proposed processes, the OG length, and the photodiode length on the transfer performances of the proposed pixel are conducted. Optimized simulation results show that the total charge transfer time could reach about 5.862 ns from the photodiode to the sensed node and the corresponding charge transfer efficiency could reach as high as 99.995% in the proposed pixel with 10 μm long photodiode and 2.22 μm long OG. These results demonstrate a great potential of the proposed pixel in high-speed applications.  相似文献   
5.
QCD(Quantum Chromo Dynamics)手征反常理论主导了π0介子到两个$\gamma $光子的衰变。基于手征反常理论和手征微扰论的修正,对π0介子寿命的理论预测精度高达1%。高精度实验测量π0介子的寿命可以严格检验低能区的QCD理论和手征微扰论。本工作重点介绍了三种测量π0介子寿命的实验方法:直接测量法、双光子反应法和Primakoff测量法。2018版的PDG收录了测量π0介子寿命精度最高的5个实验,并以此给出π0介子寿命的平均值。回顾了这5个实验,其中2004年在美国JLab实验室进行的PrimEx-I实验的测量精度最高,为2.8%。虽然这些实验结果在误差范围内与理论预测相符合,但实验精度还不足以严格检验精度为1%的理论预测。为了进一步提高实验精度,美国JLab实验室于2010年进行了第二次实验PrimEx-II,测量精度为1.57%。将PrimEx实验系列的结果取加权平均,得到总的实验不确定度为1.50%。这是迄今为止对π0寿命最精确的实验测量,在实验误差范围内可以验证QCD手征反常理论的预测。此外,还对PrimEx-II的设备布局和数据分析方法做了简单介绍。  相似文献   
6.
In this paper, we present a two-dimensional (2D) fully analytical model with consideration of polarization effect for the channel potential and electric field distributions of the gate field-plated high electron mobility transistor (FP-HEMT) on the basis of 2D Poisson's solution. The dependences of the channel potential and electric field distributions on drain bias, polarization charge density, FP structure parameters, A1GaN/GaN material parameters, etc. are investigated. A simple and convenient approach to designing high breakdown voltage FP-HEMTs is also proposed. The validity of this model is demonstrated by comparison with the numerical simulations with Silvaco-Atlas. The method in this paper can be extended to the development of other analytical models for different device structures, such as MIS-HEMTs, multiple-FP HETMs, slant-FP HEMTs, etc.  相似文献   
7.
通过实验和数值器件仿真研究了钝化GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)、栅场板GaN HEMTs和栅源双层场板GaN HEMTs电流崩塌现象的物理机理,建立了电流崩塌强度与帽层中载流子浓度、陷阱电离率和电场的内在联系.研究结果表明,场板可以有效调制帽层中横向和纵向电场的强度分布,并可有效调制纵向电场的方向,减弱栅极附近电场强度,增加场板下方电场强度,这会减弱栅极附近自由电子的横向运动,增强场板下方自由电子的纵向运动,进而可以有效调制帽层中自由电子浓度的分布,提高陷阱的电离率,减小器件的电流崩塌. 关键词: 电流崩塌 钝化器件 场板器件 陷阱电离率  相似文献   
8.
单缩和双缩二氨基硫脲类化合物的合成与表征   总被引:1,自引:0,他引:1  
周琳  王麟生  王海霞  杨翠 《化学通报》2006,69(5):355-358
合成了2乙酰基吡嗪单缩二氨基硫脲(1)、2乙酰基吡嗪缩二氨基硫脲缩5溴水杨醛(2a)、2乙酰基吡嗪缩二氨基硫脲缩5氯水杨醛(2b)、2乙酰基吡嗪缩二氨基硫脲缩5硝基水杨醛(2c)四种化合物,并通过红外光谱、核磁共振、质谱、元素分析等进行了结构表征。化合物1形成的晶体为单斜晶系,具有C2c空间群。a=2.3057(14)nm,b=0.7297(4)nm,c=1.1940(7)nm,V=1.909(2)nm3,Z=8,Dc=1.463gcm3,μ=0.309mm-1,F(000)=880,R1=0.0866,wR2=0.2072。  相似文献   
9.
克拉霉素在不同条件下水解,分别生成3-羟基克拉霉素(2)和3-羟基-8,9,10,11-二脱水-9,12-半缩酮克拉霉素(3),用乙酸酐保护2的C(2’)-OH得到2’-乙酰基-3-羟基克拉霉素(4),用N-氯代琥珀酰亚胺(NCS)氧化4的C(3)-OH合成了2’-乙酰基-3-氧代克拉霉素(5),采用MS,IR,^1H NMR,^13C NMR等对这些化合物进行了表征.用X射线单晶衍射法测定了化合物2和5的晶体结构,其均属于正交晶系,P212121空间群.化合物2的晶胞参数a=1.3657(3)nm,b=1.4783(3)nm,c=1.6510(3)nm,Z=4,V=3.3332(12)nm^3,Dc=1.175g/cm^3,F(000)=1288,/t=0.087mm^-1;化合物5的晶胞参数a=1.5124(3)nm,b=1.5247(3)nm,c=1.5288(3)nm,Z=4,V=3.5254(12)nm^3,Dc=1.187g/cm^3,F(000)=1368.0,μ=0.088mm^-1.  相似文献   
10.
We present an AlInN/AlN/GaN MOS–HEMT with a 3 nm ultra-thin atomic layer deposition (ALD) Al2O3 dielectric layer and a 0.3 μm field-plate (FP)-MOS--HEMT. Compared with a conventional AlInN/AlN/GaN HEMT (HEMT) with the same dimensions, a FP-MOS--HEMT with a 0.6 μm gate length exhibits an improved maximum drain current of 1141 mA/mm, an improved peak extrinsic transconductance of 325 mS/mm and effective suppression of gate leakage in both the reverse direction (by about one order of magnitude) and the forward direction (by more than two orders of magnitude). Moreover, the peak extrinsic transconductance of the FP-MOS--HEMT is slightly larger than that of the HEMT, indicating an exciting improvement of transconductance performance. The sharp transition from depletion to accumulation in the capacitance--voltage (C--V) curve of the FP-MOS--HEMT demonstrates a high-quality interface of Al2O3/AlInN. In addition, a large off-state breakdown voltage of 133 V, a high field-plate efficiency of 170 V/μ m and a negligible double-pulse current collapse is achieved in the FP-MOS--HEMT. This is attributed to the adoption of an ultra-thin Al2O3 gate dielectric and also of a field-plate on the dielectric of an appropriate thickness. The results show a great potential application of the ultra-thin ALD-Al2O3 FP-MOS--HEMT to deliver high currents and power densities in high power microwave technologies.  相似文献   
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