InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究

通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。     

Dirichlet级数和随机Dirichlet级数的下级增长性

本文研究了全平面上零级和有限级Dirichlet级数及随机Dirichlet级数的下级增长性.利用型函数,得到了其系数和增长性之间的关系,以及当随机变量序列{X_n(ω)}满足一定条件时,零级和有限级随机Dirichlet级数在全平面上所确定的随机整函数在每条水平直线上的下级增长性几乎必然与相应的随机Dirichlet级数的下级增长性相同.     

一种合成N-苯基苯并咪唑的新方法

成功开发出一种直接合成N-苯基苯并咪唑的新方法.在不使用金属催化剂与强碱的条件下,通过苯并咪唑与二苯基碘三氟甲磺酸盐的反应合成了目标化合物,采用1H NMR与13C NMR技术对目标化合物进行了表征,并确定了最佳反应条件.在苯并咪唑与二苯基碘三氟甲磺酸盐的物质的量比为1∶1.2、溶剂乙醇/二甲苯的体积比为1∶4、反应温度为120℃、反应时间为24h的最佳反应条件下,使目标化合物的产率达到了52.0％,并回收了等量的碘苯.此外,通过高效液相色谱技术进行跟踪监测,对该反应的机理进行了探讨.     

全平面上解析的零级Laplace-Stieltjes变换

本文研究了Laplace-Stieltjes变换所定义的零级整函数的增长性.利用型函数,得到了这类整函数关于增长性及正规增长性的充要条件,推广了Dirichlet级数的相关结论.     

半平面内随机Dirichlet级数的增长性

本文研究了右半平面上有限正级随机Dirichlet级数的增长性.利用Knopp-Kojima的方法,获得了两类随机Dirichlet级数关于型的三个结果,推广了半平面上有限级随机Dirichlet级数增长性的研究范围.     

平面上零级Dirichlet级数和随机Dirichlet级数的上下级

本文对平面上的零级Dirichlet级数和随机Dirichlet级数的上下级进行了研究.利用Newton多边形,在一定条件下得到了Dirichlet级数和随机Dirichlet级数的上下级与其系数的重要关系.推广了平面上的零级Dirichlet级数和随机Dirichlet级数的增长性的研究范围.     

一类零级Dirichlet级数的增长性

本文研究了一类零级Dirichlet级数在全平面上的级、下级以及正规增长性.利用Knopp-Kojima的方法,获得了一类零级Dirichlet级数在全平面上的级、下级以及正规增长性的充要条件,推广了平面上零级Dirichlet级数增长性的研究范围.     

一类解析的零级Laplace-Stieltjes变换

本文研究了Laplace-Stieltjes变换所定义的零级整函数的增长性.利用牛顿多边形,得到了这类整函数关于增长性及正规增长性的充要条件,推广了文献[3]中的结果.     

全平面上一类解析的零级和有限级Laplace-Stieltjes变换

应用型函数,对全平面上一类解析的零级和有限级Laplace-Stieltjes变换的增长性进行研究,得到了3个定理.     

S-苯并噻吩盐的合成的方法及其反应的研究进展

综述了近年来合成苯并噻吩盐的多种方法,讨论了其存在的优缺点,并详细介绍了S-苯基苯并噻吩盐的[4+2]Diels-Alder反应、加热反应、光解反应以及开环反应,并对其发展前景做出了展望.