自组装短肽GFS-2构建新型三维细胞培养支架材料

典型的自组装短肽在水中可形成稳定的β-sheet二级结构,在生理性环境下则能够形成稳定的纳米纤维,可进一步形成含水量达99%的水凝胶,具有高纯度、可降解及无免疫反应等突出优点,能模拟生物体内的三维基质环境而作为细胞三维培养的新型生物材料。本文主要采用了圆二色谱仪、原子力显微镜、倒置显微镜等探究新型短肽GFS-2的自组装性能及其在细胞三维培养中的应用。此研究可能会启发设计更多的新型自组装短肽服务于化学、生物材料、医学工程等领域。     

具有线性微分算子的分数阶微分方程积分边值问题

研究一类具有分数阶线性微分算子的非线性微分方程积分边值问题解的存在性与唯一性.利用Schauder不动点定理及压缩映射原理,建立并证明了边值问题解的存在性定理和唯一性定理,并给出两个例子以说明所得结论.     

自组装短肽作为“实时监控”纳米材料的初步研究

本文主要采用圆二色谱仪、原子力显微镜、刚果红染色等来探究手性自组装短肽GFS-15的二级结构、纳米形态和宏观形貌特征;通过循环伏安曲线、圆二色谱来检测浓度、时间、盐离子对它自组装过程的影响。结果表明,GFS-15能形成纳米纤维,能和金电极结合且影响其电化学行为,还可以作为细胞的三维培养基质材料;细胞三维培养常规实验以及细胞三维培养实时监控实验表明,细胞可在该肽形成的纳米三维微环境中生长,也能组装在金电极传感器的(纳米金)表面。本研究将为生物实时监控以及纳米生物医学的前沿研究打下基础。     

基于色度学与拉曼光谱的安徽淡水养殖白色珍珠研究

珍珠的颜色是影响其品质最关键因素之一。目前珍珠颜色的研究大多集中在不同颜色珍珠的组成元素、致色机理及结构差异,但对于如何直观分辨同种颜色珍珠的研究却很少。选用三批产自安徽不同时期的淡水养殖白色珍珠,对其进行色度学、激光拉曼光谱测试及宝石显微镜观察,建立白色系淡水养殖珍珠的白度值与拉曼光谱的关系并结合宝石显微镜的观察对其颜色等级的划分提供依据。运用亨特白度公式,W_HT=100-[(100-L*)2+a*2+b*2]1/2计算出不同珍珠样品的白度值,再与拉曼光谱中由C-C伸缩振动引起的1 132 cm-1峰的峰面积和由[CO₃]2-对称伸缩振动引起的文石峰面积的比值即R值进行对比发现,淡水养殖白色珍珠的白度值与拉曼光谱中的R值成反比。运用SPSS聚类分析对安徽产淡水养殖白色珍珠进行颜色分级,可将其白度值划分为85以上,85~80,80~75和75以下四个区间,白度值在85以上为最白,85~80之间为较白,80~75之间为中等白度,75以下为最差。安徽产淡水养殖白色珍珠的表面形貌观察发现,白度值在85以上的珍珠表面较光滑且光泽度很强,白度值在85~80之间的珍珠表面有一部分缺陷但光泽度较强,白度值在80~75之间的珍珠则有较明显的缺陷光泽度也一般,而白度值在75以下的珍珠表面则缺陷较多且光泽度较差。珍珠表面的光滑度和光泽度会影响珍珠白度。白度值和拉曼光谱中R值的大小均可定量表示安徽产淡水养殖白色珍珠的洁白程度,两者之间存在一定的对应关系,即白度值越大,拉曼光谱中的R值越小,珍珠越白;珍珠表面的光滑度和光泽度可以作为评判珍珠洁白程度的辅助依据。综合利用淡水养殖白色珍珠的色度学参数和拉曼光谱,再结合显微结构观察对其洁白程度进行区分这也可以为淡水养殖白色珍珠颜色等级的划分提供理论依据。     

基于科学本质的“元素周期律”教学设计

促进学生对科学本质的理解是科学教育的重要目标之一。以元素周期律为例,从教材分析、学情分析、教学方法、教学过程和教学反思等方面探讨了基于科学本质的教学设计。     

强磁场下Sm-Fe薄膜不同晶态组织演化及磁性能调控

针对Sm-Fe薄膜的不同晶态组织演化和磁性能调控问题,采用分子束气相沉积方法制备Sm-Fe薄膜时,通过改变Sm含量、膜厚和强磁场来调节薄膜的晶态和磁性能.结果表明,Sm含量可以调节Sm-Fe薄膜的晶态组织演化,而晶态组织的演化和强磁场对磁性能有显著影响.Sm-Fe薄膜在Sm原子比为5.8%时是体心立方晶态组织,在Sm含量为33.0%时为非晶态组织,而膜厚和强磁场不会影响薄膜的晶态组织.非晶态薄膜的表面粗糙度和表面颗粒尺寸都比晶态薄膜的小,施加6 T强磁场会使表面颗粒尺寸增大,而表面粗糙度降低.非晶态薄膜的饱和磁化强度M_s比晶态薄膜的M_s(1466 emu/cm~3,1 emu/cm~3=4π×10-10T)低约47.6%,施加6 T强磁场使非晶态和晶态薄膜的M_s均降低约50%.Sm-Fe薄膜的矫顽力H_c在6—130 Oe(1 Oe=103/(4π)A/m)之间,其中,非晶态薄膜的H_c比晶态薄膜的H_c大.施加6 T强磁场使晶态薄膜的H_c增大,而使非晶态薄膜的H_c减小,最高可以减少95%.结果表明含量和强磁场可以用于调控Sm-Fe薄膜的晶态和磁性能.     

碳硅共掺杂p型AlN的光电性能研究

在SiC衬底上生长了碳硅共掺杂p型AlN晶体,通过X射线衍射、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)光谱、霍尔测试对碳硅共掺杂p型AlN晶体的结构、光学及电学性能进行了综合研究。通过XPS测试分析(尤其是对样品中Si 2p和C 1s的XPS谱分析)发现,样品中C替代N成为受主,而Si替代Al成为施主。样品的PL谱主要包括两个特征发射峰,分别来自于C、Si在AlN中形成的复合物V N-C N和C N-Si Al。     

忆阻电路的基本性质及其应用

对有边界的忆阻元件与电容、 电感的串、 并联电路分别进行了研究, 分析了电路所具有的特性和频率及元件的电容、 电感对电路的影响, 通过仿真验证了理论结果.根据有边界的忆阻元件及其构成电路的性质研究, 对其潜在的应用进行了预测.     

升华法生长氮化铝晶体的热场分析

本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场,分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影响.结果表明:坩埚位置主要影响系统中最高温度的位置及温度梯度的大小原料与结晶体之间的距离仅对温度梯度有影响;感应线圈的匝间距则影响加热效率的高低.通过合理优化以上三个条件,可以获得适宜于高品质氮化铝晶体快速制备的理想热场.