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1.
用重离子实验数据推算质子翻转截面和轨道翻转率   总被引:1,自引:0,他引:1  
空间单粒子辐射环境主要由重离子和高能质子构成,但在地面利用两种离子评估器件单粒子效应敏感度成本太高,因此利用重离子实验数据推算质子敏感参数成为一个非常活跃的研究课题.利用Barak经验公式,在重离子实验获得器件的σ LET值曲线的基础上,计算了几种典型器件在不同能量下的质子翻转截面以及典型轨道上质子引起的翻转率,并同FOM方法预示的质子翻转率进行了比较,其结果将对卫星电子系统抗辐射加固设计具有重要参考价值. The radiation environments concerned with single event upset mainly consist of heavy ions from cosmic ray and large flux proton from solar events and planetary radiation belts. The most reliable calculation for SEE rate induced by proton and henvy ions are the way to use the experimentally measured data rospectively. But it is too expensive to test devices with both heavy ions and protons. So it is necessary to derive models for predicting proton cross sections and rates from heavy ion test data....  相似文献   
2.
研究了15.14MeV/u 136Xe离子在不同批次的32k×8bits静态存储器中所引起的单粒子效应.获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系.将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系,而不是线性能量转移(LET)值.估计了灵敏体积的深度和死层的厚度.  相似文献   
3.
非光滑半无限多目标规划弱非控解的充分性   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文利用锥次微分的概念,在一点处定义了η-(A,N)凸函数、η-(A,N)伪凸函数和η-(A,N)严格伪凸函数,在相当弱的假设下,在η-(A,N)意义下,给出了非光滑η-(A,N)凸半无限多目标规划弱非控解的一些充分条件。  相似文献   
4.
利用广义代数运算,定义了一类不变凸函数和不完全向量值Lagrange函数的鞍点,研究了涉及此类函数的多目标半无限规划问题,得到了广义鞍点的必要性和充分性条件.在更弱的凸性条件下,得到了几个重要结果.  相似文献   
5.
利用C larke广义梯度,定义了一致Fb,ε-凸函数和严格一致Fb,ε-凸函数,得到了涉及这些广义凸性和一致Fb-伪凸函数、一致Fb-拟凸函数等一些非光滑非凸函数的一类非光滑多目标半无限规划的一些K uhn-Tucker型充分性条件.  相似文献   
6.
<正>0引言分式规划作为最优化的一个分支,近年来,获得了很大的发展,如,文[4]利用(F,α,ρ,d)-凸函数,文[5]利用半局部预不变凸函数等分别讨论了相应的分式规划问题等,这些成果极大地推动了分式规划的发展.  相似文献   
7.
非光滑(h,ψ)—半无限规划解的充分性和对偶性   总被引:27,自引:0,他引:27  
本文利用Ben-Tal广义代数运算和广义(h,ψ)-梯度,提出了几类非光滑非凸函数(广义(h,ψ)-凸)概念,研究了这些新广义凸性的一些性质,讨论了这些新广义凸性与一些已有的凸性之间的关系,分别给出了三个(h,ψ)z-伪凸域(h,ψ)z-拟凸但不是凸函数,也不是某些广义凸函数的例子。在ψ是严格递增连续函数,并且ψ(0)=0相当弱的假设下,得到了一类非光滑(h,ψ)-半无限规划的一些最优性充分条件和几个对偶性结果。  相似文献   
8.
利用兰州重离子加速器加速的高能离子研究了入射角度对IDT71256的单粒子翻转截面和多位翻转比例的影响.研究表明:在大角度掠射轰击下单粒子翻转截面的增大包括了多位翻转的贡献;离子在器件敏感层中沉积的能量及其横向分布是影响多位翻转的两个重要参数,IDT71256发生三位以上多位翻转的比例随着离子入射角度的增大而增加. 关键词: 静态存储器 单粒子翻转 多位翻转 沉积能量 横向分布  相似文献   
9.
简略介绍了高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论分析方法,包括核反应分析方法、半经验方法,介绍了质子和重离子翻转截面间的关系,并用重离子实验数据预测器件在质子环境下的翻转率. This article introduces briefly the experimental and theoretical methods that have been used to study high energy proton induced single event effect in semiconductor devices. The theoretical methods including nuclear reaction analysis method and semi empirical method are presented. The relationship of upset cross section between proton and heavy ions is described. Finally, on orbit proton upset rates are predicted by using the heavy ion test data.  相似文献   
10.
微处理器80C86及其外围芯片协合效应实验研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
研究了总剂量辐照对微处理器 80C86及其外围芯片82C85单粒子效应敏感度的影响.252Cf轰击 80C86获得的单粒子效应截面在0-12 0Gy(Si)剂量范围内没有明显的变化 ;外围芯片 82C85中发生的单粒子脉冲可能引起系统故障. Total dose dependence of the single event effct (SEE) sensitivity for microprocessor 80C86 and its peripheral chip 82C85 are reported. In this study, 1 μCi 252 Cf was used as a heavy ion simulator and the samples were tested by a patent 8086 test system following exposure to 60 Co γ rays. It is found that SEE cross section of 80C86 does not show significant change with increasing total dose from 0-120 Gy(Si). SEE test also shows that single event transient (SET) in 82C85...  相似文献   
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