结合部切向接触刚度分形模型研究

根据球体与平面接触的切向接触刚度和粗糙表面的接触分形理论，从理论上首次建立了结合部切向接触刚度分形模型，该模型具有尺度独立性。通过对所建模型的数字仿真，直观地给出了结合部切向接触刚度与其影响因素之间的非线性关系，并与实验研究结果具有较好的一致性，从而说明了该模型是合理的。     

气相氟化合成1,1,1,2-四氟乙烷的CrOx-Y2O3催化剂的表征与性能

制备了一系列CrOx-Y2O3催化剂用于气相氟化1,1,1-三氟-2-氯乙烷(HCFC-133a)合成1,1,1,2-四氟乙烷(HFC-134a), 并考察了Y(OH)3、YCl3和Y(NO3)3前躯体对催化剂性能的影响. XRD和UV-Vis光谱实验结果表明, Y前躯体对催化剂表面Cr物种有影响, 其中采用Y(OH)3前躯体的催化剂有利于以高分散的Cr6+形式存在. 研究表明CrOx-Y2O3催化剂在预处理和反应过程中, 部分高价CrOx可转化为CrF3. 催化剂中CrF3含量增加, 导致其转化为活性物种的含量相对减少, 所以其催化活性下降.     

具有标准发生率和因病死亡率的离散SIS传染病模型的全局稳定性分析

主要研究了具有标准发生率和因病死亡率的离散SIS传染病模型的动力学性质,利用构造Lyapunov函数,得到模型无病平衡点和地方性平衡点的全局稳定性,即无病平衡点是全局渐近稳定的当且仅当基本再生数R_0≤1,地方病平衡点是全局渐近稳定的当且仅当R_0>1.     

一类具有离散时滞的基因网络的Hopf分支

研究一类具有两个时滞的二维单基因网络模型.首先得到了Hopf分支的存在性,其次利用规范型理论及中心流形定理确定了Hopf分支的方向和分支周期解的稳定性.最后,给出数值模拟.     

基于三维各向异性分形理论的固定机械结合面法向接触刚度建模研究

摘要：将结合面微凸体拓展为椭球体,基于KE有限元模型,类比球形微凸体在弹塑性接触变形阶段法向载荷、接触面积以及变形量之间的关系,根据椭球体的弹性接触理论,采用代入法得到了表征椭球形微凸体弹塑性接触变形机制的对应关系式。结合三维各向异性分形几何理论得到了结合面接触点离心率的有效区间为[0,0.7374],在此基础上,假设结合面接触点离心率分布在有效区间内,在该区间上服从指数分布,且与接触点面积分布相互独立,根据概率论以及接触点的面积大小分布函数,获得了关于结合面接触点面积与离心率的二维联合分布密度函数,进而建立了包含椭球形微凸体完全弹性、弹塑性以及完全塑性三种变形机制的结合面法向接触刚度分形模型。所建模型理论刚度与实验数据的对比结果,表明了模型的正确性及有效性,能较好的预测固定结合面在轻载状态下的法向接触刚度。     

心肌组织机械形变的元胞自动机模拟

采用Greenberg-Hastings元胞自动机模型研究机械形变对心肌组织中螺旋波动力学行为的影响.数值模拟表明：对于规则网格下的稳定螺旋波，在生理性机械形变作用下，螺旋波发生漫游但不破碎；在病理性机械形变作用下，螺旋波会发生持续漫游、漫游后消失和破碎进入螺旋波湍流态三种变化.通过对比发现机械形变的振幅变化率对螺旋波的影响较大，而机械形变的角频率对螺旋波的影响较小.结合数值模拟，对心前区受到猛烈撞击会出现心颤致死及耐力运动员在发生心动过速后比一般人员更容易恢复正常进行解释.     

改进谐波组织规则的单通道浊语音分离系统

针对以往单通道噪声和浊语音分离算法的不足,改进了谐波组织算法。算法利用载波包络能量比将时频单元分为确定和非确定。提取基频作为组织线索。组织阶段分别使用谐波原理和最小幅度原理对确定时频单元组织;使用改进包络自相关函数度量幅度调制率对非确定时频单元组织。对比以往算法的处理结果,改进算法平均信噪比(SNR)提高0.96 dB。通过对谐波组织规则的改进,提高了分离性能。     

气相氟化合成1,1，1，2－四氟乙烷的CrOx-Y2O3催化剂的表征与性能

制备了一系列CrOx-Y2O3催化剂用于气相氟化1,1,1-三氟-2-氯乙烷(HCFC-133a)合成1,1,1,2-四氟乙烷(HFC-134a),并考察了Y(OH)3、YCl3和Y(NO3)3前躯体对催化剂性能的影响.XRD和UV-Vis光谱实验结果表明,Y前躯体对催化剂表而Cr物种有影响,其中采用Y(OH)3前躯体的催化剂有利于以高分散的Cr6+形式存在.研究表明CrOx-Y2O3催化剂在预处理和反应过程中,部分高价CrOx可转化为CrF3.催化剂中CrF3含量增加,导致其转化为活性物种的含量相对减少,所以其催化活性下降.     

基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光界面接触形式研究

设计了3种不同的抛光液并进行一系列抛光试验,得到机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率,分析了化学机械抛光时硅片与抛光垫之间接触形式的判别方法及其抛光机理.结果表明:化学机械抛光中的主要作用为磨粒的机械作用;材料的去除率主要为磨粒与抛光液交互作用所引起的材料去除率;硅片表面材料的去除形式主要为化学作用下的二体磨粒磨损;化学机械抛光时硅片与抛光垫之间的接触形式为实体接触.     

一类具间断系数退化椭圆型方程的L~(p,λ)正则性

得到一类退化椭圆型方程弱解梯度在其拟线性系数矩阵A(·,u)对任意u关于x一致满足VMO条件下在Morrey空间L~(p,λ)的内部正则性。