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1.
为了研究载流子选择性接触结构在N型晶硅电池钝化特性,本文设计了专门的材料结构.分析对比了不同掺杂浓度分布的材料结构在退火后、沉积SiNx:H薄膜后及烧结后隐开路电压值的变化,并对其钝化机理进行了分析.研究结果表明隐开路电压值对掺杂浓度分布非常敏感.随着掺杂浓度分布进入硅基体的"穿透"深度增加,相对应地退火后、SiNx:H薄膜沉积后及烧结后隐开路电压值均呈现先增加后减小的趋势,且样片沉积SiNx:H薄膜后隐开路电压的增加幅度也逐渐减小,而样片烧结后隐开路电压值又出现不同幅度的下降,且隐开路电压值的下降幅度逐渐减小.通过适当的掺杂工艺,可以使得烧结后的隐开路电压均值达到738 mV.  相似文献   
2.
本文以一个新产品和再造品存在差别定价的零售商负责回收闭环供应链为研究对象,研究突发事件干扰下如何采用收益共享契约协调分散式决策闭环供应链的问题。首先,给出了一个可协调稳定环境下分散式决策闭环供应链的收益共享契约;其次,在突发事件同时干扰闭环供应链中新产品和再造品最大市场需求规模的情况下,分析了集中式决策闭环供应链的最优应对策略,并证实了原收益共享契约在突发事件干扰下会失效;最后,通过对原收益共享契约进行改进,解决了突发事件干扰下的分散式决策闭环供应链协调问题,且改进后的收益共享契约也能够协调稳定环境下的分散式决策闭环供应链。  相似文献   
3.
首先通过换算视场坐标确定灰度矩阵中每个元素对应的采样点在地球上的经纬度,从而将灰度矩阵转化为卫星云图,并添加海岸线.在此基础上,使用相关匹配法对具有一定时间间隔的两幅相关卫星云图进行模板匹配生成风矢场(云导风)矢量.然后,借助于近年来发展起来的数值微分方法,从图像灰度中提取出图像梯度信息,再利用正则化方法,实现了云导风的反演.对云图中加入灰度梯度信息和未加入灰度梯度信息的风场反演结果进行比较.结果表明,加入图像灰度梯度信息后所实施的新反演方法可有效减小图像干扰的影响,同时也大大提高了风矢量反演的精度,为卫星云图反演云导风探索出一条新路.  相似文献   
4.
本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×1015 cm-3,在855 ℃退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅相当的水平,且70 nm多晶硅的表面掺杂浓度达到5.6×1020 atoms/cm3,远高于120 nm掺杂多晶硅的表面掺杂浓度(2.5×1020 atoms/cm3)。基于70 nm超薄多晶硅厚度减薄和高表面浓度掺杂的特点,较低的寄生吸收和强场钝化效应使得在大尺寸(6英寸)直拉单晶硅片上加工的N型TOPCon太阳能电池的光电转换效率得到明显提升,主要电性能参数表现为:电流Isc升高20 mA,串联电阻Rs降低,填充因子FF增加0.3%,光电转换效率升高0.13%。  相似文献   
5.
本文旨在针对TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact背面隧穿氧化钝化接触)晶硅电池制备过程中,背面钝化多晶硅层沉积引起的硅片正面边缘沉积多晶硅绕镀层的去除进行工艺研究,进一步解决了电池外观不良和该多晶硅层对电池正面光的吸收影响.文中分别尝试采用HF-HNO3混酸溶液和KOH碱溶液两种方式进行腐蚀处理,然后通过对处理后硅片正面的工艺控制点监控和电池EL检测等手段评估去除效果.其中HF 1wt;、HNO350wt;混合溶液时腐蚀4 min以上可去除该绕镀层,但是大于6 min后硅片正面的方块电阻提升、硼掺杂浓度等变化幅度很大.KOH质量分数0.1wt;、添加剂体积分数5vol;混合溶液60℃时,腐蚀2.5 min以上可去除该绕镀层且方块电阻等测试相对变化幅度较小.故前者对电池后期电极的制备工艺要求更高否则容易引起欧姆接触不良,后者则对电池电极的制备工艺控制窗口更大.所以认为在多晶硅绕镀层的去除方面KOH腐蚀更适合工业批量化生产工艺选择.  相似文献   
6.
以天然五环三萜类化合物齐墩果酸为原料, 通过氧化、酯化、环合和曼尼希等反应, 对A环2, 3位和28位进行结构修饰, 设计合成了16个衍生物; 通过理化性质、质谱和核磁数据确定了化合物结构. 对合成的衍生物进行了体外α-葡萄糖苷酶抑制活性筛选, 结果表明, 受试化合物在200 μg/mL浓度下显示出不同程度的酶抑制活性. 初步构效关系分析表明, 28位游离羧基是活性必需基团, 3位羟基或相应的氢键供体取代基有利于提高活性.  相似文献   
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