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1.
本文采用高压均质结合对辊挤压工艺对天然凹凸棒石进行棒晶解离得到了纯度较高和比表面积较大(133.7 m2/g)的纳米解离凹凸棒石. 进一步通过机械共混法分别将天然凹凸棒石和纳米解离凹凸棒石与硅橡胶生胶复合制备了天然凹凸棒石-硅橡胶和纳米解离凹凸棒石-硅橡胶材料,研究了天然凹凸棒石和纳米解离凹凸棒石对凹凸棒石/硅橡胶复合材料热氧化降解和老化性能的影响. 结果表明,天然凹凸棒石-硅橡胶和纳米解离凹凸棒石-硅橡胶在300 oC热氧老化处理0.5 h后,相比于纯硅橡胶,初始5%失重温度从385 oC提高至396∽399 oC. 系列表征结果表明,天然凹凸棒石和纳米解离凹凸棒石增强了纳米粒子与硅橡胶之间的相互作用从而抑制了纳米颗粒聚集,并且可显著提高硅橡胶侧链Si-CH3的保存率,从而提高了该复合材料的热氧化降解和老化性能. 此外,纳米解离凹凸棒石可大大抑制纳米粒子的长大;因此老化后,纳米解离凹凸棒石-硅橡胶表现出了比硅橡胶(10.6%、7.4%和5.0%)更高的拉伸强度、断裂伸长率和撕裂强度保留率(40.6%、34.9% 和30.1%).  相似文献   
2.
喻聪聪  徐余幸  管全银  赵国良 《化学通报》2015,78(12):1095-1095
用缩合氧化反应,成功合成了一个新的咪唑羧酸配体2-(4’-羧基苯基)咪唑-4,5-二羧酸(H4CPhIDC)。在水热条件下以H4CPhIDC为主配体,邻菲咯啉(phen)为辅助配体,合成了镉的六核金属有机配合物[Cd6(CPhIDC)(HCPhIDC)2(H2CPhIDC) (phen)6]?H2O (MOF)。H4CPhIDC配体在该配合物中呈现出不同的去质子模式H2CPhIDC2-、HCPhIDC3-、CPhIDC4-,从而形成了一个新的六核(3,3,4,5)-连接拓扑结构。测定了配体和配合物的固体荧光光谱,并用溴化乙锭荧光探针测定了配体和配合物与DNA及BSA的作用,结果表明,配合物对生物大分子的作用更强些。CCDC:969815。  相似文献   
3.
本文数值模拟雷诺数Re=100的条件下,脉动流振幅和频率分别为0.2≤A≤0.8和0≤f_P≤20 Hz时方柱绕流特性.通过数值计算得到方柱绕流的升、阻力系数,涡脱频率及尾涡特性,且稳定流下计算结果与文献结果一致。研究结果表明脉动流是一种有效的主动流动控制方法;在脉动流频率f_P为1.2~2.6自然涡脱频率f_(sn)时,旋涡脱落频率存在"锁定"现象;在锁定范围内,尾涡形成区域变短,时均阻力系数显著增大,且在脉动流频率等于两倍频率时,时均阻力系数达到峰值;随着振幅的增大,频率"锁定"范围增大。  相似文献   
4.
建立了在线固相萃取-高效液相色谱-串联质谱法(On-line SPE HPLC-MS/MS)测定大鼠血浆中S/R-阿姆西汀手性异构体的方法。血浆样品经过以下预处理步骤:采用甲醇-乙腈(50∶50,V/V)沉淀蛋白;应用On-line SPE将血浆样品中的其它杂质去除;将保留在SPE柱上的阿姆西汀和内标洗脱后用分析柱进一步分离。分离后再用串联质谱法分别测定大鼠血浆中S/R-阿姆西汀的含量。SPE柱为Retain PEP Javelin(10 mm×2.1 mm);分析柱为ZORBAX SB-C18(50 mm×2.1 mm×3.5μm)。质谱采用电喷雾离子源(ESI),多反应监测(MRM)模式,检测离子为正离子,分别选择m/z 292.1/154.0和260.4/116.2作为S/R-阿姆西汀和内标(普萘洛尔)的检测离子对。结果表明,S/R-阿姆西汀的线性范围为0.2~1000μg/L,相关系数R分别为0.9903和0.9951,批内精密度RSD分别为1.2%~12.0%和0.4%~11.2%,回收率分别为94.2%~101.6%和94.3%~109.4%之间。本方法显著提高了阿姆西汀的检测灵敏度,可以满足大鼠灌胃给予阿姆西汀两种异构体的药代动力学研究要求。  相似文献   
5.
针对微钙化点容易漏检的问题,提出一种非下采样轮廓波变换结合对比度受限自适应直方图均衡的乳腺图像微钙化点增强新算法。对乳腺图像预处理,提取乳房区域并将胸肌区域去除;再对图像进行非下采样轮廓波变换提取多尺度、多方向的子带,对其中的多个高频子带采用高斯拉普拉斯算子检测边缘并增强;进一步采用对比度受限自适应直方图均衡算法,提高图像局部小区域的对比度,实现乳腺图像微钙化点增强算法。结果表明该方法是一种有效的乳腺钼靶图像微钙化点增强方法,为微钙化点检测和乳腺癌诊断提供支持。  相似文献   
6.
In this study,indium oxide(In_2O_3) thin-film transistors(TFTs) are fabricated by two kinds of low temperature solution-processed technologies(Ta ≤ 300?C),i.e.,water-based(DIW-based) process and alkoxide-based(2-ME-based)process.The thickness values,crystallization properties,chemical structures,surface roughness values,and optical properties of In_2O_3 thin-films and the electrical characteristics of In_2O_3 TFTs are studied at different annealing temperatures.Thermal annealing at higher temperature leads to an increase in the saturation mobility(μsat) and a negative shift in the threshold voltage(VTH).The DIW-based processed In_2O_3-TFT annealed at 300?C exhibits excellent device performance,and one annealed at 200?C exhibits an acceptable μsat of 0.86 cm~2/V·s comparable to that of a-Si:H TFTs,whereas the 2-ME-based TFT annealed at 300?C exhibits an abundant μsat of 1.65 cm~2/Vs and one annealed at 200?C is inactive.The results are attributed to the fact that the DIW-based process induces a higher degree of oxidation and less defect states than the 2-ME-based process at the same temperature.The DIW-based process for fabricating the In_2O_3 TFT opens the way for the development of nontoxic,low-cost,and low-temperature oxide electronics.  相似文献   
7.
喻秉钧 《数学学报》2012,(2):321-340
研究范畴与半群通过幂等元双序建立的一种自然联系.对每个有幂等元的半群S,其幂等元生成的左、右主理想之集通过双序ω~e,ω~r自然确定两个有子对象、有像且每个包含都右可裂的范畴L(S),R(S),其中态射的性质与S中元素的富足性、正则性有自然对应.利用这个联系,我们定义了"平衡(富足、正规)范畴"概念.对任一平衡(富足、正规)范畴■,我们构造其"锥半群"■,证明■左富足(富足、正则),且每个平衡(富足、正规)范畴■都与某左富足(富足、正则)半群S的左主理想范畴L(S)(作为有子对象的范畴)同构.  相似文献   
8.
针对管壳式换热器折流板背部存在流动死区的问题,以低温油封冷却器为研究对象,采用计算流体动力学技术对低温油封冷却器折流板开孔后的整体性能进行机理研究.研究结果表明:折流板背部存在大量的旋涡是导致流动死区的直接原因,折流板开孔后能够形成垂直于折流板的射流,对流动死区有明显改善作用。折流板开孔后,壳程压降有较大的降幅,同时传热系数也有降低,但降低幅度远远小于降低幅度。在等换热面积和等压降情况下,折流板开孔冷却器传热系数可以提高10%.  相似文献   
9.
微泡对高强度聚焦超声声压场影响的仿真研究*   总被引:2,自引:1,他引:1  
微泡对高强度聚焦超声(HIFU)治疗焦域具有增效作用,而HIFU治疗中不同声学条件下微泡对HIFU形成声压场的影响尚不清楚。本文基于气液混合声波传播方程、Keller气泡运动方程、时域有限差分(FDTD)法和龙格-库塔(RK)法数值仿真研究输入声压、激励频率、气泡初始空隙率和气泡初始半径对HIFU形成声压场的影响。研究结果表明,随着输入声压的增大,焦点处声压升高但焦点处最大声压与输入声压的比值减小,焦点位置几乎不变;随着激励频率和气泡初始半径的增大,焦点处声压升高且焦点位置向远离换能器方向移动;随着气泡初始空隙率的增大,焦点处声压降低且焦点位置向换能器方向移动。  相似文献   
10.
设k为正整数,G是简单k连通图.图G的k宽直径,dk(G),是指最小的整数ι使得对任意两不同顶点x,y∈V(G),都存在k条长至多为ι的内部不交的连接x和y的路.用C(n,t)表示在圈Gn上增加t条边所得的图.定义h(n,t):min{d2(C(n,t))}.本文给出了h(n,2)=[n/2].而且,给出了当t较大时h(n,t)的界.  相似文献   
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