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利用密度泛函理论研究了气体分子(NH3, H2O, H2S, NO2)吸附在二维M3(HIB)2(M=Ni, Cu; HIB为六亚氨基苯)薄膜上体系的几何结构和电子结构的变化. 结果表明, 2种薄膜对气体分子的响应不同. 其中NH3, H2O和H2S在M3(HIB)2薄膜表面的吸附较弱, 主要与薄膜的亚氨基形成氢键, 吸附能均小于-0.36 eV, 吸附对体系电子性质的影响很小. 但是 NO2分子在薄膜表面形成化学吸附, 吸附能在-0.65~-1.72 eV范围内. 吸附NO2分子使其电子结构发生明显改变, 如Cu3(HIB)2在费米能级处打开带隙, 由金属性质转变为半导体性质. 这是由于NO2分子的pz轨道与金属原子$d_{z}^{2}$ 轨道发生了强烈的轨道杂化. 此外, 研究发现高浓度的NO2分子吸附能够使Ni3(HIB)2薄膜由非磁性变为磁性体系, 由普通金属性质变为半金属性质; 而高浓度的NO2分子使Cu3(HIB)2薄膜由金属性质变为半导体性质, 薄膜电导率降低. 相似文献
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分子电子器件的思想始于20世纪70年代,分子整流的研究在30多年中取得了显著进展,包括分子结构设计、实验测量以及理论模拟。本文简述了分子整流的发展历程,介绍了被广泛研究的分子整流体系以及分子水平整流机理,包括D-σ-A型、D-π-A型、D-A型、构象转变和界面引起的整流,以及负微分电阻现象。最后提出了分子整流研究中存在的一些问题,并展望了分子整流的研究和发展方向。 相似文献
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采用密度泛函方法在6-31G*水平上,对一系列不同链长的低聚呋喃分子在外电场作用下的性质进行了理论计算研究。结果表明电场的引入提高了呋喃分子共轭性,电场的诱导使偶极增加,SCF能量降低和HOMO-LUMO能隙变窄.进一步通过硫原子将呋喃分子与金电极相连接,利用非平衡格林函数方法对其在0.0~2.0V偏压下电子输运特征进行了研究.讨论链长效应对这些性质的影响. 相似文献
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在B3LYP/6-31+G**//HF/6-31+G**水平上研究了在不同电场极化环境下碱基对A-T的几何构型和电子结构. 通过碱基对的氢键和结合能的变化讨论了碱基对间的质子转移, 进一步利用密度泛函理论结合非平衡态格林函数方法研究了通过碱基对的电子输运行为. 结果表明, 在0.6~2.0 V的偏压下, 由T向A方向的电子传递更易进行, 表现了微弱的整流行为. 相似文献
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