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1.
将测量和分析不同部位的外周动脉脉搏波波形,作为一种无创评估动脉僵硬度的方法,已经受到中外医学界的广泛重视。脉搏波传导时间已经被用来作为评价动脉僵硬度的有效指标,其无创评估动脉硬化的有效价值也得到重视。本文是通过容易获取的桡动脉波形计算全桡动脉脉搏波传导时间(FRPTT),将其与已经成熟的动脉僵硬度指标作对比分析研究,来判断FRPTT是否可以用来评估人体的动脉僵硬度。对248位合格样本人员的桡动脉脉搏波波形数据进行计算分析,同时测量其身高、体重、手腕处动脉血压,计算身体质量指数、桡动脉增益指数、射血时间、FRPTT。通过对采集到的20s时间内桡动脉波形进行二次微分,用自编的软件算法自动检测出点b(心脏开始射血点)和e(左心射血的停止点)的位置,计算FRPTT。通过对算出的FRPTT值与已知的心率、脉压、增益指数三个参数进行分析和比较,发现其与心率和增益指数两个参数(P0.001)显著相关;另外,女性组的FRPTT值跟脉压显示弱的负相关性,男性组没有相关性。结果表明,FRPTT可以作为一个衡量动脉硬化的指标。  相似文献   
2.
建立了电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定镧玻璃废粉中稀土元素总量和配分量的分析方法。样品经碱熔融后分离硅、铝等元素及钠盐,用硝酸和高氯酸破坏滤纸和溶解沉淀,用ICP-AES法测定稀土元素总量和配分量。讨论了溶解样品条件、共存元素干扰等影响测定的各种因素。实际样品的稀土总量与草酸盐重量法测定结果一致,配分量与X-射线荧光光谱(XRF)法、电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法测定结果一致。RSD(n=11)在0.15%~1.1%,加标回收率为97%~105%。测定范围为:La_2O_3/REO(80%~98%);CeO_2/REO(2%~20%);REO(16%~70%)。方法能快速准确地测定镧玻璃废粉中稀土元素总量及配分量。  相似文献   
3.
DNA序列比对数目的算法研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
徐琛梅  刘晓杰 《大学数学》2008,24(1):100-103
生物序列比对是生物信息学中非常重要的内容.文[1]中作者用差分方程理论给出了求两DNA序列间比对数目的一个计算公式,然而解法较为繁琐.本文将借助于组合数学中母函数这一计数工具给出另一简单、优美的算法,并在此基础上剔除非生物比对,得到进一步的计算公式,这一结果缩小了需要考查的比对范围.  相似文献   
4.
采用数值计算方法,模拟了具有二维光子带隙结构的太赫兹频段谐振腔的谐振模式场分布,计算了这种谐振腔的品质因数,详细分析了光子晶体结构、缺陷腔几何参量对谐振特性的影响.计算得到频率落在光子晶体禁带内的单一、高阶谐振模式,且缺陷腔横向尺寸越大,谐振模式的阶数越高.这种谐振腔具有很高的品质因数,腔体的纵向长度对品质因数的影响较大.  相似文献   
5.
相位测量和频振动光谱(SFG)可以获得物质表面分子取向等信息,但在实验重复性、实验设计和界面分析等方面仍有一些关键问题没有解决。相位误差会引起光谱变化并误导界面结构分析,因此分析并准确控制误差是相位测量SFG的关键技术。使用z-切石英作为相位标准,测量了修饰在熔融石英基底上的十八烷基三氯硅烷(OTS)在C-H振动波段的和频振动光谱,对OTS的相位光谱进行了解析,结果表明OTS虚部光谱中,2 878和2 936 cm-1处的两个正峰分别是末端CH3的对称振动(CH3ss)和费米共振(CH3FR),2 960 cm-1处的负峰为CH3的反对称伸缩振动(CH3as),这三个峰的光谱特征和指认与文献一致。2 910 cm-1附近的负峰为CH2反对称伸缩(CH2as),与文献比较,约有20 cm-1的偏移,且在2 850 cm-1附近还观察到一个负峰,归属为CH2对称伸缩(CH2ss),分析认为与文献的差异可能是因为样品制备时间影响了OTS的分子排列结构。通过建立OTS虚部谱与CH3取向角的关系,发现CH3的三种振动模式的c轴与表面法线的夹角均小于90°,其H更多为向上取向且排列有序,表明相位测量相较于强度测量可以获得更丰富的表面信息。同时,讨论了待测样品和参考样品位置的非一致性对相位测量精度的影响。通过测量OTS在三个不同位置(12.1,12.3和12.73 mm)的虚部谱,并与模拟相位误差的引入对虚部谱的影响对比,发现待测样品与参考样品测量位置间2.5 μm的位移对应于1°的相位误差,20°相位的偏移会导致零点位置移动约6 cm-1,从而引起振动峰位置和符号等的改变,导致对光谱的错误解析。为了获得界面分子稳定可靠的相位信息,需要严格控制两次样品测量位置一致。实验研究结果为提高和频振动光谱相位测量的精度与准确性提供了指导,为界面分子表面态的检测与分析、及微小信号的探测提供了有效手段。  相似文献   
6.
物理参数对光限幅效应的影响   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
为了对抗日益严重的激光武器威胁,需要了解激光防护材料的光学性能。该文根据非线性吸收模型,推导出光限幅阈值表达式。并以表达式为理论依据,利用配位聚合物[Cd(L4)(SO4)(H2O)2]n在波长532nm、脉冲宽度为40ps的条件下所获得的实验数据,分析研究非线性吸收参数、线性透过率和有效激发态吸收截面等物理参数对光限幅效应的影响。以此为基础,研究了激光防护材料的非线性光学特性和光限幅特性,为制备光限幅材料提供了理论和实验依据。  相似文献   
7.
为提高水平轴水轮机用于双向水流发电时总输出功率, 对一种导流罩的增速性能进行了研究. 以流速比作为导流罩的性能指标, 利用有限元仿真计算不同几何参数时导流罩流速比且对其进行优化, 分析了增速导流罩的安装对水平轴水轮机双向发电性能的影响, 并通过水下拖拽发电试验对仿真优化后的导流罩性能加以验证. 结果表明 增速导流罩长度和角度是影响其性能的关键因素, 在导流罩长度保持不变时, 随着导流罩角度的增加, 流速比呈现先增后减的变化趋势; 当水流速度为1m·s-1时, 加装增速导流罩后发电装置的双向发电功率提高了37%.  相似文献   
8.
A memory device Si/Al2O3/Al2O3-Cu2O/Al2O3/Pt is fabricated by using atomic layer deposition and r~magnetron sputtering techniques. The memory device including the composite of Al2O3 and Cu2O as the charge storage layer shows a distinguished charge trapping capability. At a working voltage of ±11 V a memory window of 9.22 V is obtained. The x-ray photoelectron spectroscopic study shows a shoulder from Cu2+ ions around the peak of Cu1+ ions. It is suggested that the charge-trapping mechanism should be attributed to the defect states formed by the inter-diffusion at the interface of two oxides.  相似文献   
9.
共轴环光子晶体的缺陷微腔特性   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 采用数值计算方法,模拟了共轴环光子晶体缺陷微腔的谐振模式场分布,计算了此微腔的品质因数和功率损耗,并分析其几何参数对谐振特性的影响。以此缺陷微腔为基础构建周期性慢波系统,讨论了该系统的色散特性。结果表明,微腔中能够存在单一的谐振模式,微腔的纵向长度和介质环介电常数对谐振特性影响较大。所构建的慢波系统有较宽的慢波频域,且慢波比曲线较为平坦。增大电子注开孔半径和减小周期长度对于提高工作频率及增加带宽较为有效。  相似文献   
10.
We investigate the spin accumulation in a double quantum dot Aharonov-Bohm (AB) interferometer in which both the Rashba spin-orbit (RSO) interaction and intradot Coulomb interaction are taken into account. Due to the existence of the RSO interaction, the electron, flowing through different arms of the AB ring, will acquire a spin-dependent phase factor in the tunnel-coupling strengths. This phase factor will induce various interesting interference phenomena. It is found that the electrons of the different spin directions can accumulate in the two dots by properly adjusting the bias and the intradot level with a fixed RSO interaction strength. Moreover, both the magnitude and direction of the spin accumulation in each dot can be conveniently controlled and tuned by the gate voltage acting on the dot or the bias on the lead.  相似文献   
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